专利名称：一种压模头的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及芯片制造领域内应用的压模设备，尤其涉及一种压模头。
背景技术：
压模头用于调节芯片与框架之间锡的平整度、厚度和宽度，目前所使用的压模头 的结构如图1所示，压模头的表面加工有压模面11，压模面11的四周加工有一圈排气槽 12。该种结构的压模头具有寿命短、容易脏污和排气不良等缺陷，粘片后常出现空洞不良， 给产品应用带来不良隐患。如果经常清洗压模头又会缩短其使用寿命，因此需要对现有压 模头进行结构改良。
实用新型内容本实用新型的目的是为了解决上述问题，提供一种可使压模后锡表面平整，并且 不会产生气泡的压模头。本实用新型采用的技术方案为一种压模头，其底面的中心位置处具有陷入该底 面内的横截面为矩形的加工区，加工区的底面为加工平面，所述加工平面的中心位置处具 有陷入该加工平面内的横截面为矩形的压模区，所述压模区的底面为压模面；所述加工平 面上具有四个分别起始于所述压模区的四个侧棱，且一直延伸至加工区的与各自同方位的 侧棱处的浅排气槽，所述浅排气槽与压模区相通，其深度与所述压模区的深度相同；所述加 工平面的位于相邻两浅排气槽之间的区域上均具有深度大于浅排气槽的深排气槽。优选地，所述深排气槽为腰形槽，深排气槽的一个平面侧壁与加工区的侧壁共面。优选地，所述压模面和加工平面具有碳氮化钛镀层，镀层的厚度为3Mffl。本实用新型的有益效果为本实用新型所述的压模头改变了现有压模头的形状， 增加了深排气槽，使得压模头在压模后具有足够大空间进行排气，因此，不会出现因无法排 气而产生的气泡空洞现象；另外，碳氮化钛镀层不容易与锡反应，使压模面能够在较长的时 间内保持洁净，从而延长使用寿命；使用本实用新型所述压模头，产品因压模造成不良比例 由0.3%降低至0. 08%。
图1为现有压模头的结构示意图；图2本实用新型所述压模头的立体结构示意图；图3为图2所示压模头的侧面局部剖视图；图4为图3中A处的局部放大示意图。
具体实施方式
如图2、3和4所示，本实用新型所述压模头20的底面25的中心位置处具有陷入 该底面内的横截面为矩形的加工区，加工区的底面为加工平面24，所述加工平面24的中心位置处具有陷入该加工平面内的横截面为矩形的压模区，压模区的底面为压模面21 ；在本 实施例中，所述压模面21和加工平面24均为正方形，压模面的大小可以根据芯片的规格设 定。所述加工平面上具有四个分别起始于压模区的四个侧棱，且一直延伸至加工区的侧壁 处的浅排气槽23，浅排气槽23与压模区相通，其深度与压模区的深度相同，并且相邻浅排 气槽23之间彼此垂直。所述加工平面24的位于相邻两浅排气槽23之间的区域上均具有 深度大于浅排气槽23的深排气槽22 ；在本实施例中，所述深排气槽22为腰形槽，深排气槽 22的一个平面侧壁与加工区的侧壁共面。另外，至少所述压模面21和加工平面24上具有碳氮化钛镀层，镀层的厚度为3Mm。 所述压模区的深度可以为0. 04mm，而所述深排气槽22的深度可以为0. 16mm。综上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非用来限定本实用新型的实施范围。 即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰，皆应属于本实用新型的技 术范畴。
权利要求一种压模头，其特征在于所述压模头的底面的中心位置处具有陷入该底面内的横截面为矩形的加工区，加工区的底面为加工平面，所述加工平面的中心位置处具有陷入该加工平面内的横截面为矩形的压模区，所述压模区的底面为压模面；所述加工平面上具有四个分别起始于压模区的四个侧棱，且一直延伸至加工区的侧壁处的浅排气槽，所述浅排气槽与压模区相通，其深度与所述压模区的深度相同；所述加工平面的位于相邻两浅排气槽之间的区域上均具有深度大于浅排气槽的深排气槽。
2.根据权利要求1所述的压模头，其特征在于所述深排气槽为腰形槽，深排气槽的一 个平面侧壁与加工区的侧壁共面。
3.根据权利要求1或2所述的压模头，其特征在于所述压模面和加工平面上具有碳 氮化钛镀层，镀层的厚度为3Mm。
专利摘要本实用新型公开了一种压模头，属于芯片制造领域内应用的压模设备，压模头的底面的中心位置处具有陷入该底面内的横截面为矩形的加工区，加工区的底面为加工平面，加工平面的中心位置处具有陷入该加工平面内的横截面为矩形的压模区，压模区的底面为压模面；加工平面上具有四个分别起始于压模区的四个侧棱，且一直延伸至加工区的侧壁处的浅排气槽，浅排气槽与压模区相通，其深度与压模区的深度相同；工平面的位于相邻两浅排气槽之间的区域上均具有深排气槽。该压模头在压模后具有足够大空间进行排气，因此不会出现因无法排气而产生的气泡空洞现象。
文档编号B23K3/08GK201618901SQ201020104169
公开日2010年11月3日 申请日期2010年1月29日 优先权日2010年1月29日
发明者李军 申请人:深圳市三浦半导体有限公司