一种提高塑胶件内雕质量的装置的制作方法

本实用新型涉及激光内雕技术领域，具体是一种提高塑胶件内雕质量的装置。

背景技术：

在水晶礼品行业激光内雕技术的应用，目前大都局限在水晶或玻璃这个领域的内雕应用，没有应用到大规模的工业化生产应用领域。

印刷工艺形成的图案或文字易出现掉漆、划花、褪色、不耐磨损、寿命短等缺点，镭射和激光打标工艺形成的图案或文字可以实现个性化生产，但因是通过激光等对材料表面或涂层等进行镭射或烧刻，所以对外表面材质进行了破坏，有时还会有手感，且凹陷部分容易残留灰尘污垢等，有涂层的有时也会出现脱落，退色、不耐磨等缺点。

激光内雕对于水晶或玻璃的应用已经比较广泛，但对于亚克力板等塑胶件而言，对这类材质的物体进行内雕会出现发黑发焦等现象，究其原因，是因为激光器出来的激光纯度不高、质量不高，前端镜出射的激光难以达到理论的输出值，通常含有1％左右的杂光在里面，这部分杂光产生了较高的热量，因此会烧焦、烧黑塑胶件内里，使塑胶件内雕效果不高。

技术实现要素：

本实用新型克服了上述现有技术中存在的技术问题，提供了一种改善激光质量，去除了杂光，使塑胶件内雕可以达到与水晶、玻璃同等内雕效果的装置。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种提高塑胶件内雕质量的装置，包括激光系统以及用于搁置塑胶件的三维工作台，所述的激光系统包括激光器、扩束镜与振镜，三维工作台设置在振镜下方；所述的激光器包括激光谐振腔，在激光谐振腔内设有光源、光源耦合筒、前端镜以及第一倍频晶体、第二倍频晶体，第二倍频晶体偏离第一倍频晶体的激光出射方向，并在第一倍频晶体、第二倍频晶体之间增设至少两个反射镜；光源的光经过光学耦合筒耦合并穿过所述的前端镜，射向第一倍频晶体，第一倍频晶体倍频后的输出激光经过所述的至少两个反射镜反射选拔过滤掉杂光，最后由第二倍频晶体倍频成绿光射出。

作为优选，所述的三维工作台包括X轴移动台、Y轴移动台和Z轴移动台，X轴移动台设置在Z轴移动台上，Z轴移动台又设置在Y轴移动台上。取材方便，降低成本。三维工作台设置为移动式，从而可以减少激光的振动，使激光聚焦点更加稳定，提高了雕刻效果；解决了以往振镜移动雕刻所导致的激光振动不稳定的问题。

作为优选，第一倍频晶体、第二倍频晶体之间的反射镜为三至五个。

作为优选，所述的反射镜为波长1064nm的高反镜。

作为优选，所述的前端镜为波长808nm的高透镜。

采用了上述技术方案的本实用新型的原理及有益效果是：

本实用新型将从第一倍频晶体出来的激光经过反射镜的多次反射、选拔，去除了杂光，使最终出射的激光拥有了较高的纯度，提高了激光质量，降低了激光热量，提高了塑胶件的内雕效果。

因此相比较现有技术而言，本实用新型使塑胶件进行激光内雕成为现实，延伸了激光内雕的应用范围，使可以满足各行各业的要求。

附图说明

图1为实施例中本实用新型激光系统中激光器的内部结构示意图；

图2为本实用新型装置的立体结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

本实用新型的具体实施方式如下：

具体实施例：本实施例的一种提高塑胶件内雕质量的装置，如图1、2所示，包括激光系统1以及用于搁置塑胶件的三维工作台2，所述的激光系统1包括激光器3、扩束镜4与振镜5，三维工作台2设置在振镜5下方；如图1所示，所述的激光器3包括激光谐振腔6，在激光谐振腔6内设有光源(未图示)、光源耦合筒7、前端镜8以及第一倍频晶体9、第二倍频晶体10，第二倍频晶体10偏离第一倍频晶体9的激光出射方向，并在第一倍频晶体9、第二倍频晶体10之间增设三个反射镜11；光源的波长为808nm的光经过光学耦合筒7耦合并穿过所述的前端镜8，射向第一倍频晶体9，第一倍频晶体9倍频后的波长为1064nm的输出激光经过所述的三个反射镜11一一反射选拔过滤掉杂光，最后由第二倍频晶体10倍频成绿光射出；经由第二倍频晶体10射出的激光再由一反射镜11反射后射出。

具体的说，所述的反射镜11为波长1064nm的高反镜，所述的前端镜8为波长808nm的高透镜。

所述的三维工作台2包括X轴移动台12、Y轴移动台13和Z轴移动台14，X轴移动台12设置在Z轴移动台14上，Z轴移动台14又设置在Y轴移动台13上。

工作时，将塑胶件放置在X轴移动台12上，打开激光系统，并使三维工作台2按照预定轨迹运动，进行塑胶件激光内雕。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。