采用单箔钎焊AlxCoCrFeNi高熵合金的方法及其制备的钎焊接头

采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法及其制备的钎焊接头
技术领域
1.本技术涉及焊接技术领域，具体涉及一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法及其制备的钎焊接头。


背景技术：

2.高熵合金是由多主元混合引入“化学无序”而成的新型合金材料，具有抗辐照、耐极端低温、抗氧化、耐腐蚀、耐高温、组织稳定性好等特点，作为耐低温、抗辐照材料在核能、航空航天、民用等领域具有极大的应用价值，在核能领域可作为氦冷偏滤器材料。
3.alxcocrfeni高熵合金为面心立方晶体结构，具有较好耐辐照及低温强韧性。据报道，alxcocrfeni耐辐照特性显著优于m316不锈钢、锆合金、镍基合金等传统核能材料，热力学加工处理后的alxcocrfeni纤维在室温、低温抗拉强度及延伸率分别高达1207mpa/7.8,1600mpa/17.5％，可用于耐极端低温零部件中。
4.当前受限设备及工艺的限制，很难实现复杂alxcocrfeni高熵合金结构件的直接制造，因此，实现alxcocrfeni高熵合金的可靠连接具有重要应用价值，由于alxcocrfeni高熵合金具有五种组元，普通的熔化焊，如mig焊、激光焊、电子束焊等高温条件下焊接接头往往发生复杂的物理化学反应，容易生成多种金属间化合物相弱化接头强度，同时，al
x
cocrfeni体系高熵合金导电、耐热性能差，传统熔化焊焊后容易产生热裂纹。传统的钎焊采用ni基如bni-2，bni-5钎料钎缝及母材容易生成硼化物，磷化物的脆硬相降低接头强度，ti基钎料容易与al
x
cocrfeni生成脆硬相，传统ag基、ni、cu基等钎料焊后接头容易发生低温脆断，接头低温服役性能差。


技术实现要素：

5.为此，本技术提供一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法及其制备的钎焊接头，以解决传统熔化焊焊后容易产生热裂纹、传统钎料钎缝容易生成不利脆硬相且低温服役性差的技术问题。
6.本技术提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，包括如下步骤：
7.提供一单箔和两个alxcocrfeni高熵合金，其中，0＜x＜0.3，所述单箔由元素nb和ni组成，nb和ni原子比范围介于100％～95.3％；
8.分别打磨两个所述alxcocrfeni高熵合金的待焊部位，得到两个待焊母材；
9.清洗两个所述待焊母材的所述待焊部位和所述单箔；
10.将一所述待焊母材、所述单箔及另一所述待焊母材依次层叠设置，形成待焊组件，其中所述单箔的相对两侧贴合相对应的所述待焊母材的待焊部位；
11.在所述待焊组件的一侧放置压块，以压紧所述待焊组件；
12.将压紧后的所述待焊组件放入钎焊炉中进行钎焊，加热温度至1280℃-1320℃，保温时间为2min-360min，得到钎焊接头。
13.在一些实施例中，所述分别打磨两个所述alxcocrfeni高熵合金的待焊部位，得到两个待焊母材的步骤，具体包括：
14.依次采用400目、800目、1200目及2000目的砂纸对所述alxcocrfeni高熵合金的待焊部位进行打磨处理。
15.在一些实施例中，所述单箔的厚度范围为10μm-100μm。
16.在一些实施例中，所述清洗两个所述待焊母材的所述待焊部位和所述单箔的步骤，具体包括：
17.将所述待焊母材和所述单箔浸入丙酮溶液中，采用超声波的方式清洗10min-30min并烘干；
18.将烘干后的所述待焊母材和所述单箔浸入乙醇溶液中，采用超声波的方式清洗10min-20min并烘干。
19.在一些实施例中，所述压块对所述待焊组件的施加压力为0.05n-0.5n。
20.在一些实施例中，在所述钎焊炉中进行钎焊时，所述钎焊炉的炉腔抽真空至2
×
10-3
pa-5.0
×
10-3
pa。
21.在一些实施例中，在所述钎焊之前，所述待焊组件的升温速率为5℃/min-20℃/min。
22.在一些实施例中，在所述钎焊之后，焊接后的所述待焊组件的冷却速率为5℃/min-10℃/min。
23.在一些实施例中，所述钎焊时，所述待焊组件加热温度至1280℃，保温时间为10min。
24.本技术还提出了一种钎焊接头，其特征在于，包括一单箔和两个alxcocrfeni高熵合金，所述单箔连接于两个所述alxcocrfeni高熵合金之间，其中，0＜x＜0.3，所述单箔由元素nb和ni组成，nb和ni原子比范围介于100％～95.3％。
25.上述方法制备的钎焊接头中，由于0＜x＜0.3，单箔中的nb和ni原子比范围介于100％～95.3％，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，fcc具有耐辐照、耐低温性能，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，具有较好的耐辐照、耐低温性能，可应用于航天、核能等极端服役环境领域，而x大于等于0.3,则高熵合金为面心立方和体心立方双相结构，高熵合金中al含量较多，在溶解为ni-nb液相后，冷却过程中al易于ni箔中的ni反应，在钎缝中形成脆硬的b2相组织，易产生微裂纹，弱化接头力学性能。
附图说明
26.图1为本技术提出的钎焊接头的剖面结构示意图。
27.图2为本技术提出的钎焊接头的背散射照片图。
28.图3为本技术提出的钎焊接头的剪切断口形貌。
29.图4为本技术提出的采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法流程图。
30.图5为图4中的所述清洗两个所述待焊母材的所述待焊部位和所述单箔的步骤流程图。
具体实施方式
31.下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
32.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
33.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
34.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
35.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
36.请参见图1至图3，本技术实施例提出了一种钎焊接头100，包括一单箔10和两个alxcocrfeni高熵合金20，其中，0＜x＜0.3，所述单箔由元素nb和ni组成，nb和ni原子比范围介于100％～95.3％。
37.单箔10设于两个alxcocrfeni高熵合金20之间，每个alxcocrfeni高熵合金20均具有一待焊部位，单箔10的相对两侧分别通过钎焊的方式连接两个alxcocrfeni高熵合金20的待焊部位。
38.在一些实施例中，单箔10的厚度范围为10μm-100μm，如此，单箔10与alxcocrfeni高熵合金20之间较容易发生共晶反应，且中间层反应完全；当单箔10的厚度范围小于10μm时，则对alxcocrfeni高熵合金表面平整度、粗糙度要求较高，焊后容易出现未焊合；当单箔10的厚度范围大于100μm时，则部分单箔反应不完全，接头容易脆断。
39.上述的钎焊接头中，由于0＜x＜0.3，单箔中的nb和ni原子比范围介于100％～95.3％，单箔与alxcocrfeni高熵合金20接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，fcc具有耐辐照、耐低温性能，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，具有较好的耐辐照、耐低温性能，可应用于航天、核能等极端服役环境领域，而x大于等于0.3,则高熵合金为面心立方和体心立方双相结构，高熵合金中al含量较多，在溶解为ni-nb液相后，冷却过程中al易于ni箔中的ni反应，在钎缝中形成脆硬的b2相组织，易产生微裂纹，弱化接头力学性能。
40.请参见图4，本技术实施例还提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，包括如下步骤：
41.s10，提供一单箔和两个alxcocrfeni高熵合金，其中，0＜x＜0.3，单箔由nb和ni组成，nb和ni原子比范围介于100％～95.3％。
42.如此，单箔仅为面心立方相，可塑性较好，钎焊时与alxcocrfeni高熵合金可较好接触，容易发生共晶反应，而当nb和ni原子比含量低于95.3％，则单箔中易生成nb7ni6脆硬相，因此可塑性较差，且不利于与alxcocrfeni高熵合金发生共晶反应。
43.其中，单箔的厚度范围为10μm-100μm，如此，单箔与alxcocrfeni高熵合金之间较容易发生共晶反应，且中间层反应完全；当单箔的厚度范围小于10μm时，则对alxcocrfeni高熵合金表面平整度、粗糙度要求较高，焊后容易出现未焊合；当单箔的厚度范围大于100μm时，则部分单箔反应不完全，接头容易脆断。
44.s20，分别打磨两个alxcocrfeni高熵合金的待焊部位，得到两个待焊母材；
45.其中，依次采用400目、800目、1200目及2000目的砂纸对alxcocrfeni高熵合金的待焊部位进行打磨处理。可以理解的，砂纸包括但不限于是sic砂纸，也可以为木砂纸、水磨砂纸。
46.s30，清洗两个待焊母材的待焊部位和单箔；
47.在一些实施例中，请参见图5，清洗的步骤具体包括：
48.s31，将待焊母材和单箔浸入丙酮溶液中，采用超声波的方式清洗10min-30min并烘干；
49.其中，在清洗后，待焊母材表面干净清洁、未有油渍及其他污染物。
50.s32，将烘干后的待焊母材和单箔浸入乙醇溶液中，采用超声波的方式清洗10min-20min并烘干。
51.其中，在清洗后，表面未有其他物质存在，丙酮主要用于去除表面可能存在的油渍等，酒精则是去除表面可能存在的杂质污染物等。
52.s40，将一待焊母材、单箔及另一待焊母材依次层叠设置，形成待焊组件，其中单箔的相对两侧贴合相对应的待焊母材的待焊部位；
53.s50，在待焊组件的一侧放置压块，以压紧待焊组件；
54.其中，该压块包括但不限于是石墨压块。
55.在一些实施例中，压块对待焊组件的施加压力为0.05n-0.5n，如此，当施加压力为此范围内，alxcocrfeni高熵合金母材与单箔充分接触，更易发生共晶反应，焊后界面组织美观，接头性能好；当施加压力小于0.05n时，则alxcocrfeni高熵合金母材与单箔接触不充
分，焊后界面接触面积下，接头强度低；当施加压力大于0.5n时，则压力过大使得生成的填充液相容易被挤出钎缝，接头laves脆硬相较多，降低接头强度。
56.s60，将压紧后的待焊组件放入钎焊炉中进行钎焊，加热温度至1280℃-1320℃，保温时间为2min-360min，得到钎焊接头。
57.其中，加热温度至1280℃-1320℃，如此，单箔可与alxcocrfeni高熵合金母材与单箔完全发生共晶反应，生成液相充分填充钎缝，钎缝与母材结合强度高；当加热温度小于1280℃时，则单箔无法与alxcocrfeni高熵合金母材发生共晶反应生成液相，接头为有裂纹的脆硬相组织，接头强度低；当加热温度大于1320℃时，则界面会有b2脆硬相析出且出现贯穿性裂纹，接头强度低。
58.其中，在本实施例中，钎焊时，待焊组件加热温度至1280℃，保温时间为10min。
59.在一些实施例中，在钎焊炉中进行钎焊时，钎焊炉的炉腔抽真空至少低于5.0
×
10-3
pa，如此生成的共晶液相流动性好，较好的填充钎缝，焊后的钎缝组织均匀，焊接成功率高。当炉腔抽真空大于5.0
×
10-3
pa时，则单箔无法与alxcocrfeni高熵合金母材升温过程中易氧化，不利于单箔与alxcocrfeni高熵合金发生共晶反应，生成的填充液相流动性差。
60.在一些实施例中，在钎焊之前，待焊组件的升温速率为5℃/min-20℃/min，如此，能够较好准确控制炉内温度，焊后钎缝填空效果后，接头强度高；升温速率小于5℃/min时，则焊接时间过长，耗能；当升温速率大于20℃/min时，则炉内温度不均匀，焊接质量较差。
61.在钎焊之后，焊接后的待焊组件的冷却速率大于5℃/min，如此焊后接头母材和钎缝不易析出不利的金属间化合物；当冷却速率小于5℃/min时，则焊后母材和钎缝容易析出不利的第二相金属间化合物。
62.上述方法制备的钎焊接头中，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，fcc具有耐辐照、耐低温性能，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，具有较好的耐辐照、耐低温性能，可应用于航天、核能等极端服役环境领域。
63.进一步地，采用单箔作为接触反应钎焊的中间层,在升温过程中单箔与alxcocrfeni高熵合金很难实现相互扩散与冶金结合，只有在温度达1280℃时二者发生伪二元共晶反应,产生液相,单箔逐渐熔化,当单箔完全熔化后,使母材向熔融液相中溶解扩散,通过控制工艺参数(温度的继续升高或保温时间的延长),控制脆性相聚集长大，因此,冷却后界面中生成面心立方基体(fcc相)与laves相组成的片层状共晶组织,界面形成良好的冶金结合,尽管焊缝中生成了laves脆性相,但都相间、均匀的分布在钎缝中，使接头性能良好。相对于现有技术，本技术连接方法简单，经济适用，获得的alxcocrfeni高熵合金钎焊接头的室温平均剪切强度不低于435mpa，液氮温度(77k)剪切强度达908mpa，有很好的推广价值。
64.本技术技术方案不局限于以下所举例的具体实施方式，还包括各具体实施方式之间的任意组合。
65.实施例1
66.本技术实施例1提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，包括如下步骤：
67.提供一单箔和两个alxcocrfeni高熵合金，其中，x＝0.28，单箔的厚度为30mm，单箔由元素nb和ni组成，nb和ni原子比为100％；
68.依次采用400目、800目、1200目及2000目的砂纸对alxcocrfeni高熵合金的待焊部位进行打磨处理，得到两个待焊母材；
69.将待焊母材和单箔浸入丙酮溶液中，采用超声波的方式清洗20min并烘干；接着将烘干后的待焊母材和单箔浸入乙醇溶液中，采用超声波的方式清洗15min并烘干；
70.将一待焊母材、单箔及另一待焊母材依次层叠设置，形成待焊组件，并在待焊组件的一侧放置压块，压块对待焊组件的施加压力为0.25n，以压紧两个待焊母材的待焊部位和单箔，其中单箔的相对两侧贴合相对应的待焊母材的待焊部位；
71.将压紧后的待焊组件放入真空钎焊炉中进行钎焊，在真空度为3
×
10-3
pa环境下加热至1300℃，升温速率设为10℃/min，保温时间为10min，钎焊后冷却至室温，冷却速率为8℃/min，得到钎焊接头。
72.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度不低于435mpa，液氮温度(77k)剪切强度达908mpa。
73.实施例2
74.本技术实施例2提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例2与实施例1大致相同，不同之处在于：
75.实施例2中，单箔由元素nb和ni组成，nb和ni原子比为99.5％。
76.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为404mpa，液氮温度(77k)剪切强度为902mpa。
77.实施例3
78.本技术实施例3提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例3与实施例1大致相同，不同之处在于：
79.实施例3中，单箔由元素nb和ni组成，nb和ni原子比为95.3％。
80.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为403mpa，液氮温度(77k)剪切强度为903mpa。
81.实施例4
82.本技术实施例4提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例4与实施例1大致相同，不同之处在于：
83.在实施例4中的alxcocrfeni高熵合金母材中，x＝0.1。可以理解，在其他的实施例
中，x还可为0.01、0.02、0.15、0.18、0.2、0.21、0.25、0.29，但不限于此，具体可根据实际需要设置，只要是在0＜x＜0.3的范围内，则均在本技术的保护范围之内。
84.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为405mpa，液氮温度(77k)剪切强度为900mpa。
85.实施例5
86.本技术实施例5提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例5与实施例1大致相同，不同之处在于：
87.实施例5中，将待焊母材和单箔浸入丙酮溶液中，采用超声波的方式清洗10min并烘干；接着将烘干后的待焊母材和单箔浸入乙醇溶液中，采用超声波的方式清洗10min并烘干。
88.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为419mpa，液氮温度(77k)剪切强度898mpa。
89.实施例6
90.本技术实施例6提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例6与实施例2大致相同，不同之处在于：
91.实施例6中，压块对待焊组件的施加压力为0.5n。
92.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为456mpa，液氮温度(77k)剪切强度为1020mpa。
93.实施例7
94.本技术实施例7提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例7与实施例2大致相同，不同之处在于：
95.实施例7中，钎焊时的加热温度为1280℃，升温速率设为10℃/min，保温时间为2min，钎焊后冷却至室温的冷却速率为5℃/min，得到钎焊接头。
96.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为385mpa，液氮温度(77k)剪切强度为882mpa。
97.实施例8
98.本技术实施例8提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实
施例8与实施例2大致相同，不同之处在于：
99.实施例8中，钎焊时的加热温度为1280℃，升温速率设为20℃/min，保温时间为30min，钎焊后冷却至室温的冷却速率为10℃/min，得到钎焊接头。
100.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为456mpa，液氮温度(77k)剪切强度为979mpa。
101.实施例9
102.本技术实施例9提出了一种采用单箔钎焊alxcocrfeni高熵合金的方法，本技术实施例9与实施例8大致相同，不同之处在于：
103.实施例9中，钎焊时的加热温度为1300℃，升温速率设为5℃/min，保温时间为20min，钎焊后冷却至室温的冷却速率为20℃/min，得到钎焊接头。
104.试验结果表明，单箔与alxcocrfeni高熵合金接触后反应共晶反应生成为面心立方(fcc)的基体和laves相片层状共晶组织，焊后接头受力时可以fcc相和laves相交替滑移提升接头力学性能，且获得的钎焊接头界面组织均匀且无裂纹，没有其他脆硬相产生，钎焊接头连接强度高，钎焊接头的室温平均剪切强度为465mpa，液氮温度(77k)剪切强度为998mpa。
105.综上所述，采用上述方法制备的钎焊接头的室温平均剪切强度在385-435mpa，液氮温度(77k)剪切强度可达979mpa，有很好的推广应用价值。
106.对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本技术内。
107.最后应说明的是，以上实施例仅用于说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本技术技术方案的精神和范围。