修补设备的制作方法

本发明涉及修补设备，特别是指一种半导体元件的修补设备。

背景技术：

1、光电元件所组成的面板需要使用巨量的发光二极管(led)，这些发光二极管是矩阵密集地排列，因此，电性测试面板的功能后虽然可发现功能异常的发光二极管及其位置，但目前电性测试及修补需要通过不同的设备来进行，因此，输送、取料及修补会浪费较多移动的制程时间。

2、再者，发光二极管的尺寸微小外，且各发光二极管也是紧密排列在一起，因此在维修上是非常困难的。

技术实现思路

1、有鉴于上述缺失，本发明的目的在于提供一种修补设备，将电路基板及料盘放置于同一设备上，并通过可移动的激光修补装置在电路基板及料盘上移动来实现修补电路基板上功能异常或缺漏半导体元件的位置。

2、为了实现上述目的，本发明提供一种修补设备，包括一基座、一第一承载装置、第二承载装置及一激光修补装置。基座包括一第一安装区、一第二安装区、一第一轨道、一第二轨道及一第三轨道。第二安装区自第一安装区向上延伸，第一轨道及第二轨道固定设置在第一安装区。第三轨道设置在第二安装区。第一承载装置连接第一轨道，并用以承载一料盘。料盘包括一半导体元件。第二承载装置连接第二轨道，并用以承载一电路基板。激光修补装置连接第三轨道，而可在第一承载装置及第二承载装置上方移动，激光修补装置用以将半导体元件电性连接至电路基板。

3、其中，该激光修补装置包括一安装座、一激光系统及一取料系统，该安装座连接该第三轨道，该激光系统连接安装座，且用以投射一激光束，该取料系统连接该安装座，且包括一胶带、一输送模块及一推动模块，该胶带能够黏取该半导体元件，该输送模块连接该胶带，且能够输送该胶带，该推动模块能够推挤该输送模块上的该胶带，该激光束穿过该推动模块及该胶带，以将该半导体元件焊接在该电路基板。

4、其中，该胶带包括一平整区，该半导体元件被黏贴在该平整区，该推动模块包括一升降单元及一按压件，该按压件连接该升降单元，且面对该平整区，并能够向下推挤该胶带。

5、其中，该按压件包括一结合块及一接触块，该结合块连接该升降单元，该接触块连接该结合块，且自该结合块的侧边突伸，且包括一头部及一窗口，该头部形成于该接触块的突伸末端，该窗口形成于该头部，以供该激光束穿过。

6、其中，该头部包括一顶斜面、一底面及至少一凸部，该窗口贯穿该顶斜面及该底面，该至少一凸部自该底面向下凸出，且邻近该窗口。

7、其中，该输送模块包括二定位滚轮，该平整区位在该二定位滚轮之间。

8、其中，该第二承载装置能够测试该电路基板。

9、如此，本发明的修补设备将料盘及电路基板同步放在相同设备上，来缩短移动所耗费的时间，进而提高修补的效率。

10、以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

技术特征：

1.一种修补设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的修补设备，其特征在于，该激光修补装置包括一安装座、一激光系统及一取料系统，该安装座连接该第三轨道，该激光系统连接安装座，且用以投射一激光束，该取料系统连接该安装座，且包括一胶带、一输送模块及一推动模块，该胶带能够黏取该半导体元件，该输送模块连接该胶带，且能够输送该胶带，该推动模块能够推挤该输送模块上的该胶带，该激光束穿过该推动模块及该胶带，以将该半导体元件焊接在该电路基板。

3.根据权利要求2所述的修补设备，其特征在于，该胶带包括一平整区，该半导体元件被黏贴在该平整区，该推动模块包括一升降单元及一按压件，该按压件连接该升降单元，且面对该平整区，并能够向下推挤该胶带。

4.根据权利要求3所述的修补设备，其特征在于，该按压件包括一结合块及一接触块，该结合块连接该升降单元，该接触块连接该结合块，且自该结合块的侧边突伸，且包括一头部及一窗口，该头部形成于该接触块的突伸末端，该窗口形成于该头部，以供该激光束穿过。

5.根据权利要求4所述的修补设备，其特征在于，该头部包括一顶斜面、一底面及至少一凸部，该窗口贯穿该顶斜面及该底面，该至少一凸部自该底面向下凸出，且邻近该窗口。

6.根据权利要求3所述的修补设备，其特征在于，该输送模块包括二定位滚轮，该平整区位在该二定位滚轮之间。

7.根据权利要求1所述的修补设备，其特征在于，该第二承载装置能够测试该电路基板。

技术总结
本发明公开一种修补设备，包括一基座、一第一承载装置、第二承载装置及一激光修补装置。基座包括一第一安装区、一第二安装区、一第一轨道、一第二轨道及一第三轨道。第二安装区自第一安装区向上延伸，第一轨道及第二轨道固定设置在第一安装区。第三轨道设置在第二安装区。第一承载装置连接第一轨道，并用以承载一料盘。料盘包括一半导体元件。第二承载装置连接第二轨道，并用以承载一电路基板。激光修补装置连接第三轨道，而可在第一承载装置及第二承载装置上方移动，激光修补装置用以将半导体元件电性连接至电路基板。

技术研发人员：陈赞仁,李孟霖,林祈廷,杨胜闵
受保护的技术使用者：东捷科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15