一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法与流程

1.本发明涉及微波铁氧体器件制造工艺领域，尤其涉及一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法。


背景技术：

2.随着通信领域的高速发展，环行器/隔离器在5g移动通信得到广泛的应用，主要使用于通信系统的基站射频电路中，起到单向传输和收发双工的作用。随着环行器/隔离器朝着小型化方向发展，对批量的产品制造工艺可靠性提出了更高的要求。
3.集总参数环行器/隔离器装配时,编带成型工序需要对中心导体进行折弯,将铁氧体包裹，并且完成中心导体引脚成型。这一工序对中心导体的原材料厚度及硬度要求高。中心导体编带后，采用回流焊焊接至下壳体，若无法保证中心导体引脚成型一致性，焊点就存在虚焊可能。在客户端进行整板回流焊时，焊锡熔化，集总参数产品中心导体引脚由于应力作用，可能出现回弹造成产品端口断路。
4.为避免产品在客户端回流焊时出现端口断路，目前生产中一般采用二次回流后人工显微镜观察筛除虚焊产品。但是，采用人工筛选仍存在一定的风险，不能从根本上进行100%消除虚焊，无法保证大批量产品的可靠性。


技术实现要素：

5.本发明的目的就在于提供一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，以解决上述问题。为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，所述方法为在将电阻与电容焊接于壳体上后，增加点焊步骤。
6.具体而言，作为优选的技术方案，方案一的步骤为：（a）将电阻与电容焊接于壳体上；所述壳体优选采用模内注塑工艺加工；（b）将一体式中心导体组件引脚放置于所述壳体内，对需要焊接的部位进行点焊。
7.作为优选的技术方案，步骤（b）中，点焊时，点焊机焊头压力为1.0～2.0kg、焊接电压为0.9～2.0v、焊接电流为200～500a、焊接时间为8～12ms。
8.作为进一步优选的技术方案，步骤（b）中，焊头压力1.80kg，焊接电压为1.40v，焊接电流为480a，焊接时间为12ms。
9.点焊机的工艺参数由焊接部的大小，焊接材料，镀层材料及镀层厚度决定；进一步优选的工艺参数能很好的平衡焊接效果（焊接可靠性）与产能。根据实际点焊部位的位置形态选用不同的点焊头尺寸与形状（平面、斜面或圆弧面焊头）本方案通过点焊时的瞬间高温将一体式中心导体组件与壳体、电阻与电容镀层熔化后重新结合，获得可靠的焊点。
10.方案二的步骤为：
（a）将电阻与电容焊接于壳体上，然后在电阻与电容、壳体需要焊接的部位点锡；所述壳体优选采用模内注塑工艺加工；（b）通过回流焊或焊台焊接的方式将一体式中心导体组件焊接至壳体；（c）再通过点焊工艺，在焊点位置通过瞬间高温将一体式中心导体组件与壳体、电阻与电容镀层熔化后重新结合，获得可靠的焊点。
11.本方案在焊点位置通过瞬间高温将一体式中心导体组件与壳体、电阻与电容镀层熔化后重新结合，获得可靠的焊点。这种方案在方案一的基础上，增加了焊锡，使得一体式中心导体组件引脚周围被焊锡包裹，焊点更加牢固。
12.作为优选的技术方案，步骤（c）中，点焊时，点焊机焊头压力为1.0～2.0kg、焊接电压为0.9～2.0v、焊接电流为200～500a、焊接时间为8～12ms。
13.作为进一步优选的技术方案，步骤（c）中，焊头压力1.80kg，焊接电压为1.40v，焊接电流为480a，焊接时间为12ms。
14.本发明增加采用的点焊工艺，不仅适用于集总参数环行器/隔离器塑封外壳结构的中心导体焊接，也适用于pcb板封装类集总参数环行器/隔离器焊接。
15.与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明通过增加点焊焊接工艺，使焊点在钎焊的基础上增加更可靠的连接；由于这种连接是镀银层间的再熔融，可耐温度为900℃以上，可以保证多次回流焊后，焊点仍然可靠。点焊后的产品经过五次模拟回流焊，焊点依旧牢固（通过拉力试验，使用拉力表测试中心导体组件从焊件分离过程的最高拉力≥15n），无开路情况，从而证实本方法100%不会出现虚焊的缺陷；同时焊接工艺的改变，减去人工检查虚焊筛选工序，减少人工位，提升生产效率；另一方面采用点焊工艺，因为在焊接的时候有下压引脚的动作，即使在中心导体引脚成型一致性不好的情况下，也能形成良好焊点，使其降低产品对中心导体材料的依赖程度，改善产品零部件材料的可兼容替换。
附图说明
16.图1是中心导体未成型前的结构示意图；图2是一体式中心导体组件成型后的结构示意图；图3是电容/电阻焊接至壳体后的结构示意图；图4是一体式中心导体组件装后的结构示意图；图5是一体式中心导体组件应用于pcb板封装图；图6是一体式中心导体组件应用于pcb板封装点焊的点示意图。
17.图中：1、壳体；2、电阻与电容；3、一体式中心导体组件；图4和图6中的圆圈即为点焊的焊接点。
具体实施方式
18.下面将结合附图对本发明作进一步说明。
19.实施例1：一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其步骤为：（a）将电阻与电容2采用常规的回流焊或者加热台焊接于壳体1上，本实施例的壳体1为塑封外壳，采用现有的常规模内注塑工艺加工，未成型前的中心导体结构示意图如图
1所示；（b）将一体式中心导体组件3（参见图2）引脚放置于所述壳体1内，对需要焊接的部位进行点焊，点焊焊接时，其工艺参数为：焊头压力1.80kg，焊接电压为1.40v，焊接电流为480a，焊接时间为12ms，其中，电阻与电容2焊接至壳体1后的结构示意图如图3所示，一体式中心导体组件装后的结构示意图如图4所示，图4中的圆圈即为点焊的焊接点。
20.实施例2：一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其步骤为：（a）将电阻与电容2采用常规的回流焊或者加热台焊接于壳体1上，然后在电阻与电容2、壳体1需要焊接的部位点锡；所述壳体优选采用模内注塑工艺加工；（b）通过回流焊或加热台焊接的方式将一体式中心导体组件3焊接至壳体1；（c）再通过点焊工艺，点焊焊接时，其工艺参数为：优选定值为焊头压力1.80kg，焊接电压为1.40v，焊接电流为480a，焊接时间为12ms。在焊点位置通过瞬间高温将一体式中心导体组件与壳体、电阻与电容镀层熔化后重新结合，获得可靠的焊点。
21.实施例3：本实施例是一体式中心导体组件应用于pcb板封装，参见图5和图6，其应用方式与实施例2相同，仅将塑封外壳替换为pcb板。
22.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于：所述方法为在将电阻与电容（2）焊接于壳体（1）上后，增加点焊焊接步骤。2.根据权利要求1所述的一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于，其步骤为：（a）将电阻与电容（2）焊接于壳体（1）上；（b）将一体式中心导体组件（3）引脚放置于所述壳体（1）内，对需要焊接的部位进行点焊。3.根据权利要求2所述的一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于，步骤（b）中，点焊时，点焊机焊头压力为1.0～2.0kg、焊接电压为0.9～2.0v、焊接电流为200～500a、焊接时间为8～12ms。4.根据权利要求3所述的一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于，步骤（b）中，点焊时，所述焊头压力1.80kg，焊接电压为1.40v，焊接电流为480a，焊接时间为12ms。5.根据权利要求1所述的一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于，其步骤为：（a）将电阻与电容（2）焊接于壳体（1）上，然后在电阻与电容（2）、壳体（1）需要焊接的部位点锡；（b）通过回流焊或焊台焊接的方式将一体式中心导体组件（3）焊接至壳体（1）；（c）再通过点焊工艺，在焊点位置通过瞬间高温将一体式中心导体组件（3）与壳体（1）、电阻与电容（2）镀层熔化后重新结合，获得可靠的焊点。6.根据权利要求1所述的一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于，步骤（c）中，点焊时，点焊机焊头压力为1.0～2.0kg、焊接电压为0.9～2.0v、焊接电流为200～500a、焊接时间为8～12ms。7.根据权利要求6所述的一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，其特征在于，焊头压力1.80kg，焊接电压为1.40v，焊接电流为480a，焊接时间为12ms。

技术总结
本发明公开了一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，属于微波器件制造工艺领域，所述方法为在将电阻与电容（2）焊接于壳体（1）上后，增加点焊焊接步骤；本发明通过增加点焊焊接工艺，使焊点在钎焊的基础上增加更可靠的连接；由于这种连接是镀银层间的再熔融，可耐温度为900℃以上，可以保证多次回流焊后，焊点仍然可靠；同时焊接工艺的改变，减去人工检查虚焊筛选工序，减少人工位，提升生产效率；另一方面降低产品对中心导体材料的依赖程度，改善产品零部件材料的可兼容替换。改善产品零部件材料的可兼容替换。改善产品零部件材料的可兼容替换。


技术研发人员：奉林晚 尹久红
受保护的技术使用者：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
技术研发日：2022.09.15
技术公布日：2022/12/19