激光加工装置、激光剥离方法及半导体装置的制造方法与流程

本公开的实施方式涉及激光加工装置、激光剥离方法及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、作为半导体存储装置，已知有nand型闪速存储器。该nand型闪速存储器具备存储单元阵列及其控制电路。作为半导体存储装置的制造方法，已知有将存储单元阵列芯片和控制电路芯片分别形成在不同个体的基板上，然后进行贴合的方法。在该情况下，形成有存储单元阵列芯片的基板可以通过激光剥离进行再利用。

技术实现思路

1、本公开所涉及的实施方式提供一种提高了半导体存储装置的制造效率、并且提高了基板的再利用效率的激光加工装置、激光剥离方法及半导体装置的制造方法。

2、本实施方式所涉及的激光加工装置具有：载物台，其保持基板并旋转；以及激光照射装置，其能够在旋转的半径方向上移动，并具有控制部，当在载物台的旋转方向上相邻的激光光点的间隔为l1、在旋转的半径方向上相邻的激光光点的间隔为l2时，该控制部以使l1/l2满足1.2以上且10以下的方式控制红外脉冲激光的输出。

3、根据上述构成，能够提供提高了半导体存储装置的制造效率、并且提高了基板的再利用效率的激光加工装置、激光剥离方法及半导体装置的制造方法。

技术特征：

1.一种激光加工装置，具有：

2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，

3.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，

4.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，

5.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，

6.一种激光剥离方法，包括：

7.根据权利要求6所述的激光剥离方法，其中，

8.根据权利要求6所述的激光剥离方法，其中，

9.根据权利要求6所述的激光剥离方法，其中，

10.根据权利要求6所述的激光剥离方法，其中，

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
一实施方式所涉及的激光加工装置具有：载物台，其保持基板并旋转；以及激光照射装置，其能够在旋转的半径方向上移动，并具有控制部，当在载物台的旋转方向上相邻的激光光点的间隔为L1、在旋转的半径方向上相邻的激光光点的间隔为L2时，该控制部以使L1/L2满足1.2以上且10以下的方式控制红外脉冲激光的输出。

技术研发人员：大久保拓郎,林秀和
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21