带吸附功能的受热均匀的双工位工作台的制作方法

文档序号:9677926阅读:423来源:国知局
带吸附功能的受热均匀的双工位工作台的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种应用于引线键合领域的加热工作台,特别涉及一种带吸附功能的双工位的面板式加热工作台。
【背景技术】
[0002]全自动引线键合设备是通过加热工作台来实现器件引线键合前的预热功能的,加热工作台采用真空吸附的方式,实现多个器件的固定,防止其在焊接压力的作用下产生移位,从而完成芯片和基板的吸附和定位。现有的全自动引线键合设备上的加热工作台均不可以移动,只能通过设备机头的运动来实现器件阵列的引线键合。所以加热工作台的大小(热台台面所放器件的多少)是由引线键合设备机头XY方向行程来决定的。如若要增加单批次焊接器件的数量以增加焊接效率时,只能增大机头XY方向的行程,这样做一方面会大大增加设备的成本,另一方面也会影响机头键合的精度。现有的全自动引线键合专用设备的加热工作台,主要是采用加热管来进行加热的,尽管加热管在加热台内尽可能地均匀密集布置,但受加热管加工和结构所限,这种加热方法存在加热速度慢,温度均匀性差,难以达到引线键合工艺要求。

【发明内容】

[0003]本发明提供了一种带吸附功能的受热均匀的双工位工作台,解决了引线键合机中的加热台加热速度慢和温度均匀性差的技术问题。
[0004]本发明是通过以下技术方案解决以上技术问题的:
一种带吸附功能的受热均匀的双工位工作台,包括加热台底架,在加热台底架上分别设置有导轨和气缸,在导轨上设置有热台移动座,气缸的输出轴与热台移动座连接在一起,在热台移动座上分别设置有左热台、右热台、右热台控制器和左热台控制器,左热台与右热台的结构是完全相同的,在左热台的左加热台板的下底面上设置有加热膜,在左加热台板中分别设置有夹具负压吸附气路和芯片负压吸附气路。
[0005]加热膜的厚度为1.5毫米。
[0006]本发明由于两个热台的温度控制单元和气路相互独立,两个热台可同时使用也可单独使用。右热台控制器和左热台控制器控温精度高,操作简单方便,有利于温度调控,实现了加热工作台温控精度高的功能。
【附图说明】
[0007]图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明的热台的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本发明进行详细说明: 一种带吸附功能的受热均匀的双工位工作台,包括加热台底架1,在加热台底架1上分别设置有导轨2和气缸8,在导轨2上设置有热台移动座4,气缸8的输出轴与热台移动座4连接在一起,在热台移动座4上分别设置有左热台3、右热台5、右热台控制器6和左热台控制器7,左热台3与右热台5的结构是完全相同的,在左热台3的左加热台板10的下底面上设置有加热膜9,在左加热台板10中分别设置有夹具负压吸附气路11和芯片负压吸附气路12。
[0009]加热膜9的厚度为1.5毫米。
[0010]气路与加热台板所连接处均采用耐高温气路接头和管路,从而延长了各零件的使用寿命。所述的加热台板内部腔体空间大,有效增强了真空栗的流量,有利于真空栗维持较高的真空度,从而对芯片夹具或芯片产生更大的吸附力。
【主权项】
1.一种带吸附功能的受热均匀的双工位工作台,包括加热台底架(1 ),在加热台底架(1)上分别设置有导轨(2)和气缸(8),在导轨(2)上设置有热台移动座(4),气缸(8)的输出轴与热台移动座(4)连接在一起,其特征在于,在热台移动座(4)上分别设置有左热台(3)、右热台(5)、右热台控制器(6)和左热台控制器(7),左热台(3)与右热台(5)的结构是完全相同的,在左热台(3)的左加热台板(10)的下底面上设置有加热膜(9),在左加热台板(10)中分别设置有夹具负压吸附气路(11)和芯片负压吸附气路(12)。2.根据权利要求1所述的一种带吸附功能的受热均匀的双工位工作台,其特征在于,加热膜(9)的厚度为1.5毫米。
【专利摘要】本发明公开了一种带吸附功能的受热均匀的双工位工作台,解决了引线键合机中的加热台加热速度慢和温度均匀性差的问题。包括加热台底架(1),在加热台底架(1)上分别设置有导轨(2)和气缸(8),在导轨(2)上设置有热台移动座(4),气缸(8)的输出轴与热台移动座(4)连接在一起,在热台移动座(4)上分别设置有左热台(3)、右热台(5)、右热台控制器(6)和左热台控制器(7),左热台(3)与右热台(5)的结构是完全相同的,在左热台(3)的左加热台板(10)的下底面上设置有加热膜(9),在左加热台板(10)中分别设置有夹具负压吸附气路(11)和芯片负压吸附气路(12)。实现了加热工作台温控精度高的功能。
【IPC分类】B23K101/40, B23K37/00, B23K37/04
【公开号】CN105436757
【申请号】CN201510942707
【发明人】崔海龙, 郝艳鹏, 马生生, 王彩萍
【申请人】中国电子科技集团公司第二研究所
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年12月16日
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