专利名称：扩散器框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种扩散器框架，尤其是一种用于一沉积腔内的扩散器且可方便安装及清洁的扩散器框架。
背景技术：
在平面显示器的制程中由于需要在玻璃基板上制作晶体管组件，因此在制程中需要镀上不同的材质，诸如SiO2、SiNx、a-Si与n+a-Si等薄膜。目前多采用等离子体辅助化学气象沉积系统(PECVD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)来成长。PECVD乃是于一真空系统中，在通入制程气体后以一等离子体机台激发等离子体、解离制程气体活化其反应，并且因解离后的制程气体离子可利用电场等使其具有方向性来加速制程速度。
用于此种沉积制程的沉积腔10的构造如图4所示，该沉积腔10与外界隔绝以形成反应空间。该沉积腔10包括一上盖12及一腔体14。一O型环16系设置于该上盖12及腔体14之间，以使沉积腔10与外界间呈现密闭的状态。
该上盖12是通过一腔体盖22与外界隔绝。该腔体盖22内横向设置有背衬板(Backing Plate)34及一扩散器(Diffuser)30。
制程气体经由一气体管线71将一设置在沉积腔10外的制程气体源，再经由一气体入口70，并穿越过背衬板34的中间，而被喷射入该背衬板34下的空间内。该被喷射的制程气体会先经由一位于该背衬板34下方的隔板(图中未示)扩散后，而在隔板及背衬板34的下方，经由在扩散器30上，外形为一平板且其上形成许多小孔32的喷头而被喷向一基板(S)的上表面，该基板(S)系被配置在一台座(susceptor)60上。
一射频(radio frequency)电源80系连接至该背衬板34及扩散器30，并提供激发被喷射的制程气体而活化流经该扩散器30的制程气体，因而在基板(S)上沉积成薄膜。亦即，该背衬板34及扩散器30系作为一上方电极。
腔体14的侧边系与上盖12的腔体盖22结合，如上述，O型环16系设置于该上盖12及腔体14之间。台座60是设在该腔体14内。台座60距离扩散器30一段距离，且面向扩散器30，而基板(S)是放置在该台座60的上表面。该台座60内设有一加热器62，用于对放置在该台座60上的基板(S)加热至一适当的温度，以在沉积制程中进行薄膜沉积。同时，台座60被接地，因而作为一下方电极。为了防止制程材料被沉积在基板(S)的周缘，一遮盖框(Shadow Frame)64被配置在该台座60上，并遮盖基板(S)的周缘。
该腔体14底侧、台座60下方形成一出口52，以在完成沉积制程后，将制程气体制抽离至外界。
如图所示，作为上电极，且将制程气体喷射至基板(S)上表面的扩散器30及背衬板34是经由设置在边缘的螺栓42而相互结合，且彼此电性连接。多个绝缘件44、46、48系设置在扩散器30及背衬板34相互结合的周缘部分以及腔体盖22之间，以将腔体盖22与扩散器30及背衬板34彼此电性绝缘，并保持沉积腔10内的真空状态。
上述绝缘件44、46、48中，绝缘件46是一陶瓷材料制成的框件，通过卡固的方式被固定至腔体盖22周缘。由于腔体盖22一般是由铝金属制成，因而可能受到被台座60产生的热能以及位于台座60上的基板(S)的热能的影响而膨胀。尤其对制造大型基板的沉积腔而言，因而在受到温度影响时的加大体积变化，可能增加绝缘件46自腔体盖22松开的可能性。
发明内容
为了在防止因腔体盖受到温度影响时令绝缘件自腔体盖松开，本实用新型提供一种扩散器框架，尤其是一种适用于制造大型基板的沉积腔内的扩散器，且可方便安装及清洁的扩散器框架，可进一步将绝缘件卡固在腔体盖及扩散器间。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是，一种扩散器框架，用于一沉积腔内的扩散器，该沉积腔在基材上进行沉积制程，该扩散器将制程气体扩散至该沉积腔内并在其周缘形成数个栓孔，其特征是具有一呈矩形封闭外形的框架本体，具有至少1550公厘长、至少1350公厘宽的框架开口，该框架本体上在对应扩散器的栓孔处形成数个孔洞，且该框架系由表面经阳极电镀处理(anodized)的铝金属制成。
根据本实用新型，该框架本体沿长度及宽度的方向具有至少20公厘的框壁厚度。
根据本实用新型，该扩散器框架系通过螺栓被固定至该扩散器的周缘。
本实用新型的有益效果是，由于系将一扩散器框架固定至扩散器的周缘，自扩散器的周缘向腔体盖延伸，故可进一步将绝缘件卡固在腔体盖及扩散器间。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是运用本实用新型的沉积腔的剖面示意图。
图2是
图1中的上盖的分解立体图。
图3是
图1中的部分A的放大视图。
图4是一习知沉积腔的剖面示意图。
具体实施方式
图1是运用本实用新型的沉积腔100的剖面示意图。如
图1所示，该沉积腔100与外界隔绝以形成反应空间。该沉积腔100包括一上盖112及一腔体114。一O型环116系设置于该上盖112及腔体114之间，以使沉积腔100与外界间呈现密闭的状态。
该上盖112是通过一腔体盖122与外界隔绝。该腔体盖122内横向设置有背衬板134及一扩散器130。
制程气体经由一气体管线171将一设置在沉积腔100外的制程气体源，再经由一气体入口170，并穿越过背衬板134的中间，而被喷射入该背衬板134下的空间内。该被喷射的制程气体会先经由一位于该背衬板134下方的隔板(图中未示)扩散后，而在隔板及背衬板134的下方，经由在扩散器130上，外形为一平板且其上形成许多小孔132的喷头而被喷向一基板(S)的上表面，该基板(S)系被配置在一台座160上。
一射频(radio frequency)电源180系连接至该背衬板134及扩散器130，并提供激发被喷射的制程气体而活化流经该扩散器130的制程气体，因而在基板(S)上沉积成薄膜。亦即，该背衬板134及扩散器130系作为一上方电极。
如
图1所示，腔体114的侧边系与上盖112的腔体盖122结合，如上述，O型环116(图3)系设置于该上盖112及腔体114之间。台座160是设在该腔体114内。台座160距离扩散器130一段距离，且面向扩散器130，而基板(S)是放置在该台座160的上表面。该台座160内设有一加热器162，用于对放置在该台座160上的基板(S)加热至一适当的温度，以在沉积制程中进行薄膜沉积。同时，台座160被接地，因而作为一下方电极。为了防止制程材料被沉积在基板(S)的周缘，一遮盖框(ShadowFrame)164被配置在该台座160上，并遮盖基板(S)的周缘。
该腔体盖122上形成一上方抽离出口152，以在完成沉积制程后，将制程气体制抽离至外界。
图2是
图1中的上盖112的分解立体图。图3是
图1中的部分A的放大视图。如图3所示，作为上电极，且将制程气体喷射至基板(S)上表面的扩散器130及背衬板134相互结合，且彼此电性连接。多个绝缘件144、146、148系设置在扩散器130及背衬板134相互结合的周缘部分以及腔体盖122之间，以将腔体盖122与扩散器130及背衬板134彼此电性绝缘，并保持沉积腔100内的真空状态。
上述绝缘件144、146、148中，绝缘件144、148皆是由含氟聚合物所制成的框件，而绝缘件146是一由陶瓷材料制成的框件，通过卡固的方式被固定至腔体盖122周缘。
参考图2及图3，为了在防止因腔体盖122受到温度影响时令绝缘件146自腔体盖122松开，本实用新型提供一种扩散器框架200，被固定至该扩散器130，该扩散器130周缘形成数个栓孔131。
根据本实用新型，该扩散器框架200具有一呈矩形封闭外形的框架本体202，其为至少1550公厘长(L)及至少1350公厘宽(W)的框架开口，该框架本体202较佳沿长度及宽度的方向各具有至少20公厘的框壁厚度(T)(参图3)。该框架本体202上在对应扩散器130的栓孔131处形成数个孔洞210，藉此，可将该扩散器框架200系通过数个螺栓205被固定至该扩散器130的周缘的孔洞131，使框架本体202向扩散器130的周缘向腔体盖122延伸，因而将多个绝缘件144、146、148牢固地设置在扩散器130及背衬板134相互结合的周缘部分以及腔体盖122之间，如图2所图示者。
为了强化防锈蚀、绝缘、防静电及易于清洁的特性，本实用新型中的扩散器框架200系由表面经阳极电镀处理(anodized)的铝金属制成。亦即，将框架本体202经清洁及蚀镂(etching)后置入一电解液中，将电流流经该电解液，以在框架本体表面形成一氧化层，此乃熟习阳极电镀处理的技艺人士所习知者。
惟由于经阳极电镀处理(anodized)的铝金属表面在经常期使用后容易脱落或破坏，因而需要定期更换扩散器框架200，本实用新型中，即可通过螺栓205方便拆除及更换新的扩散器框架200。
由上述实用新型实施例可知，本实用新型的有益效果是，由于系将一扩散器框架固定至扩散器的周缘，自扩散器的周缘向腔体盖延伸，故即使处理大型基板的沉积腔中，该扩散器框架可进一步将绝缘件卡固在腔体盖及扩散器间，亦方便定期更换。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定实用新型，任何熟习此技艺者，在不脱离实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此实用新型的保护范围当依照权利要求书所界定者为准。
权利要求1.一种扩散器框架，用于一沉积腔内的扩散器，该沉积腔在基材上进行沉积制程，该扩散器将制程气体扩散至该沉积腔内并在其周缘形成数个栓孔，其特征是具有一呈矩形封闭外形的框架本体，具有至少1550公厘长及至少1350公厘宽的框架开口，该框架本体上在对应扩散器的栓孔处形成数个孔洞，且该框架本体系由表面经阳极电镀处理的铝金属制成。
2.根据权利要求1所述的扩散器框架，其特征是该框架本体沿长度及宽度的方向具有至少20公厘的框壁厚度。
3.根据权利要求1所述的扩散器框架，其特征是该框架本体系通过螺栓被固定至该扩散器的周缘。
专利摘要一种扩散器框架，用于一沉积腔内的扩散器，该沉积腔在基材上进行沉积制程，该扩散器将制程气体扩散至该沉积腔内并在其周缘形成数个栓孔，其特征是具有一呈矩形封闭外形的框架本体，具有至少1550公厘长及至少1350公厘宽的框架开口，该框架本体上在对应扩散器的栓孔处形成数个孔洞，且该框架表面经阳极电镀处理。
文档编号C23C14/22GK2788350SQ20052000279
公开日2006年6月14日 申请日期2005年3月18日 优先权日2005年3月18日
发明者R·蒂内, E·凯勒, 栗田伸一, J·M·怀特 申请人:应用材料股份有限公司