具有通向周围空气的沟道或路径的有槽压板的制作方法

专利名称：具有通向周围空气的沟道或路径的有槽压板的制作方法
技术领域：
本发明主要涉及半导体制造领域。在一方面，本发明涉及集成电
路制造的化学机械抛光(CMP)中使用的设备。其它的应用包括、但 不限于衬底抛光、MR磁头抛光或硬盘抛光。
背景技术：
在半导体晶片上制造集成电路时，相互层叠地形成各种层。通过 添加和消去工艺形成每个功能层，其中将各种材料加入(沉积)到晶 片表面和将其从晶片表面去除(蚀刻或抛光)。每个层可以选择性移 除材料(通过光刻和蚀刻工艺的组合)以在晶片上产生所希望的图案， 导致非平面表面形貌。可将附加的材料沉积在保持类似形貌的非平面 表面的顶部上。在制备集成电路的任一指定阶段，非平面表面会不利 地影响随后的处理步骤，会导致器件失效并会降低成品率。例如，当 金属线形成在半导体结构上方时，任何非平面表面会妨碍从其不适于 存在的结构处去除金属的能力。
用于平滑表面不规则性和去除覆盖层材料的普通工艺是通过化学 机械平面化或化学机械抛光(CMP)。覆盖层材料是指用于完全填充 晶片上的低的或凹陷表面区域所必须的、在晶片的高表面上的额外的 沉积材料。CMP工艺一般包括以受控压力将半导体晶片压向抛光垫， 晶片和垫中之一或二者相对于彼此旋转。在存在化学活性或磨料或液 体媒介(浆料)的情况下，当将半导体晶片压向抛光垫时通过旋涂抛 光垫，平整化半导体晶片的上表面并将覆盖层去除至所希望的目标。 利用CMP设备时，抛光垫一般包括压敏粘合层，其用于将该垫粘附于 支撑压板结构上。然而，在压板上应用抛光垫期间，气穴或气泡会形 成在粘合层和压板之间，由此会在抛光垫的抛光表面导致升高的区域或凸起。垫中的这种凸起会导致抛光表面上的非均匀性，并且在抛光 工艺期间会导致该垫穿透或刻划/破裂晶片。另外，凸起会导致不均匀 磨耗该垫，其会降低垫的运行时间、增加成本、增加停机时间和增加 制造循环时间。用于去除俘获的空气的现有技术效果不好，例如通过 用辊子或人工剌穿凸起以将气泡从垫下面驱除。用于去除抛光垫下面 的气穴的其它解决方案使用垫和压板之间的沟槽以防止气穴形成，但 这种解决方案不能防止压板和垫之间的工艺环境流体的侵入，其会不 利地影响垫和压板之间的粘合性，并且会削弱端点信号检测。
因此，需要用于消除压板和抛光垫之间的被捕获空气的改进的 CMP设备组件。另外，需要防止工艺环境流体渗透进入抛光垫和压板 之间。还需要改进的设备和器件以克服本领域中的例如以上略述的问 题。在参考下面的附图和具体说明以审阅本发明的其余部分之后，常 规工艺和技术的其它的限制和缺点对于本领域技术人员来说将更加明 了。


当结合以下各图考虑以下的具体说明时，可理解本发明和它的多 种目的、特征和获得的优点，其中 图l示出了抛光垫的顶视图； 图2示出了图1的抛光垫的侧视图3示出了根据本发明第一示例性实施例的有槽压板的侧视图； 图4示出了图3的有槽压板的顶视图5示出了根据本发明第一可选示例性实施例的有槽压板的侧视
图6示出了根据本发明第二可选示例性实施例的有槽压板的侧视
图7示出了具有压力出口和端点检测系统的有槽压板组件的高架
图8示出了图7的有槽压板组件的侧视图。应当理解，为了说明简单和清楚起见，图中所示的元件未必是按 比例规定绘制。例如，为了促进和提高清晰度和理解，相对于其它元 件夸大了一些元件的尺寸。而且，在认为适当的地方，在各图当中重 复附图标记以表示相应的或类似的元件。
具体实施例方式
说明了一种具有沟槽或沟道表面的抛光垫和压板组件，其通过经 由一个或多个通道排出俘获的气穴，用来防止或减少在抛光垫和压板 表面之间形成气泡，所述通道用于向环境或低于室温的环境提供路径 并且使得来自抛光工艺的液体、蒸汽或其它不希望的污染物不侵入。 公开的抛光垫和压板组件可用来增加在任意制备阶段时的制造半导体 晶片中所用的抛光垫的寿命，所述任意制备阶段包括但是并不限于层
间电介质(ILD)、浅沟槽隔离(STI)、钨和铜层抛光工艺。公开的
抛光垫和压板装置还防止抛光垫和压板之间副产物的渗透，由此保持 了垫/压板粘合并保护整个端点信号检测系统不受污染。现在将参考附 图详细地说明本发明的各种示范性实施例。虽然在下面的说明中列出 了各种细节，但是应认识到没有这些具体的细节也可以实践本发明， 并且可对这里说明的本发明可以进行许多的具体实施决定，以完成器 件设计者的具体目的，例如与工艺技术或相关设计限制的依从，其将 从一种实施方式改变为另一种实施方式。虽然这种研制计划复杂且费 时，然而对于具有本公开好处的本领域普通技术人员来说是常规的。 例如，可以参考简图说明被选择的方面，以避免限制本发明或使之晦 涩。由本领域技术人员使用这样的说明和表示来说明和传达它们工作
的实质给本领域其它技术人员。现在将参考图l-8详细地说明本发明的 各个示例性实施例。注意，贯穿该详细说明，各图中的某些元件是为 了简单和清楚示出的且不必按规定比例绘制。例如，各图中的一些元
件的尺寸可相对于其它元件被放大以帮助提高本发明实施例的理解。 图1示出了具有在其中形成有窗口孔径122的抛光垫120的顶视图。抛光垫120可由一种或多种柔性或半刚性的泡沫或多孔材料形成，这取决于所用材料的类型和厚度。窗口孔径122可包括透明或半透明的端点 窗口，其是由与垫120的其余部分相同的材料形成的或由不同的材料形 成的。然而，端点窗口允许激光束或其它光源到达被抛光的半导体晶 片结构的表面。所有的抛光工艺并非必须要求存在窗口孔径122，在任 一情况下该孔径区域都由与该垫的其余部分相同的材料组成。图2示出了图1的抛光垫120的侧视图。垫120可以包括对于特定的 抛光操作合适的垫结构。例如，在一个实施例中，抛光垫是单抛光垫 层，但也可包括一个或多个另外的垫层，如图2所示，其示出了抛光垫 120的顶层123粘附于其中形成有孔径126的底层124。可以使用的CMP 抛光垫的实例是IC1000抛光垫，但也可使用其它垫。压敏粘合剂(未 示出)可用于将顶层123粘附于底层124。提供多个垫层时，每个垫层 (例如124)包括与其它垫窗口孔径(例如122)对准形成的孔径(例 如126)。在所选实施例中，可通过抛光垫层124中的开口或狭缝形成 孔径126。图3示出了根据本发明第一示例性实施例的有槽压板130的侧视 图，其配置为允许在抛光垫120和压板130的组装或操作期间俘获的空 气通过第一路^132逃逸。路径132提供了用于将俘获的空气(气体) 排进与抛光环境隔开的周围环境的路径。操作时，抛光垫(例如120) 经由压敏粘合层(未示出)粘附于压板130。压板粘附于底层的抛光设 备组件(未示出)，并且整个组件围绕着中心轴旋转。另外，压板130 可在腔或孔径134中包括端点检测窗口和/或传感器设备(未示出)，其 用于提供CMP操作的原位监测。如所示的，由通过压板130的向上的面的内部的沟道或沟槽136形 成压板130，所述沟道或沟槽136通过在压板130的外围的非沟槽部分 131与工艺环境密封。为了在压板130中形成沟槽136，可以通过用车床、 激光或其它切割机在压板中切割沟槽来铸造、模制或机械加工压板。由于非沟槽部分131，所以沟槽或沟道136没有延伸至压板130的顶表面 的边缘，由此防止了来自CMP工艺的液体、蒸汽或其它不希望的污染 物侵入垫120和压板130之间的区域。然而，提供在压板130中的路径 132，以释放在垫120和压板130之间俘获的气穴，和/或释放或缓解由抛 光操作引起的气压的增加。在所说明的实施例中，路径132形成为斜钻 孔，其穿过压板130钻至抛光设备(未示出)的下控制区中的进入孔(未 示出)。路径132通向与抛光环境隔开的环境或低于室温的环境。通过提供通向环境或低于室温环境的路径132，垫120和压板130之间俘获的气穴和/或增加的气压容易被去除或排出。然而，也可以不 需使用真空设备来利用路径132排出气压或气穴，由此减少了整个CMP组件的成本和复杂性。图4示出了图3的有槽压板130的顶视图，其中所示的槽图案136被 形成为与到路径132的开口相交。根据各种设计考虑(例如抛光垫的直 径、厚度和/或柔性)，配置路径132和沟槽136的物理尺寸(例如大小 和间隔)，以防止或消除压板130的上表面和所应用的抛光垫120或粘 着层之间形成气泡或俘获的气穴。在第一示例性实施例中，铝压板130 形成有下述沟槽136，所述沟槽136以半英寸的间距相隔开，具有大约.02 英寸(例如，.02士.003英寸)的宽度，具有大约.02英寸(例如，.02±.003 英寸)的深度，并利用压板130的外边缘处的1英寸的非沟槽区域131密 封。在另一示例性实施例中，陶瓷压板130形成有下述沟槽136，所述 沟槽136以半英寸的间距相隔开，具有大约.03至.04英寸的宽度，具有 大约.02英寸(例如，.02±.003英寸)的深度，并由压板130的外边缘处 的1英寸的非沟槽区域131密封。另外，可以以任意预定的图案(例如，X-Y栅格、辐射图案、星 爆式、同心圆或其任意组合)配置沟槽136，所述图案被设计为覆盖或 相交于最小气泡间隔尺寸。例如，为了防止形成半英寸(或更大)的 气泡，利用从压板130的中心向外至非沟槽部分131的半英寸的径向间隔形成同心圆沟槽136的图案。通过在图案中包括被定位于横跨径向沟槽并与第一路径132相交的X状沟槽，提供经由路径132的径向沟槽136的通气。不管在压板130的表面上利用沟槽或沟道136的何种图案，该图案 都应定位为覆盖或相交于一个以上的通向压板路径132的开口，由此提 供通向环境或低于室温环境的排气口或路径，以减少或消除形成气穴 或气泡的。通过去除或减少垫和压板之间的气穴，使局部的垫磨损和 相关的垫变形减到了最小，减少了非均匀的抛光特性，防止了未成熟 的垫故障并减小了制造循环时间，由此降低了成本和提高了成品率。 另外，通过从压板130的顶表面的外边缘密封压板沟槽136，防止了来 自CMP工艺的液体、蒸汽或其它不希望的污染物进入垫120和压板130 之间的沟槽区域。如将意识到地，可使用各种不同的有槽压板和通气压板结构来获 得本发明的各种优点。例如，图5示出了根据本发明第一可选示例性实 施例的压板150的侧视图，其还配置为能够使得在抛光垫和压板150的 组装或操作期间所俘获的空气经由一个或多个路径155-158逃逸。如图 所示地，压板150在孔径154中包括端点检测窗口和/或传感器设备(未 示出)，其用于提供CMP操作的原位监测。另外，压板150形成有单个 沟道或沟槽，该沟道或沟槽形成空闲的、空的或凹槽153，在凹槽153 中形成和/或粘附多孔可透气材料152的刚性层，但应当意识到，多孔材 料也可形成在多个沟槽内(例如图3-4中所示地)。这样的多孔材料的 实例包括精确重叠多孔陶瓷。多孔层152定位在压板150的向上面的内 部上，以使得，当抛光垫粘附或粘接于压板150时，俘获的空气可以穿 过多孔层152进入路径155-158。另外，多孔层152通过压板150外围的非 沟槽部分151与工艺环境密封，以便来自CMP工艺的液体、蒸汽或其它 不希望的污染物不能到达垫和压板150之间的区域。在图6中说明了本发明的另一可选示例性实施例，其示出了包括一个或多个路径167的有槽压板160的侧视图，该路径167将压板表面沟槽 或沟道162连接至压板160中的外围侧开口168，以释放垫和压板160之 间俘获的气穴，和/或排出或缓解抛光操作引起的气压的增加。如图所 示，压板160包括孔径164中的端点检测窗口和/或传感器设备(未示出)， 其用于提供CMP操作的原位监测。另外，压板160形成有位于压板160 的向上面的内部上的沟道或沟槽166，该沟道或沟槽166由在压板160的 外围非沟槽部分161与工艺环境中的流体和/或湿气密封开。在垫和压板 160之间俘获的气穴以及由抛光操作引起的沟槽气压的增加，通过一个 或多个由可透气疏水性材料形成的路径167释放，所述可透气疏水性性 材料可释放空气而不让来自CMP工艺的液体、蒸汽或其它不希望的污 染物进入垫和压板160之间区域。这种材料，例如，可以从Porex公司购 买。另外或可选地，路径167可包括微检阀(microcheck vavle)，其一 般是密闭的以防止来自CMP工艺环境的液体、蒸汽或其它不希望的污 染物进入沟槽区域166，但配置成当内压超过预定的压力阀值时打开， 由此从沟槽166排出空气。现在转到图7，高架图示出了有槽压板组件175，其包括作为抛 光设备一部分的子压板180;和压板170，其具有包含在密封区171内的 预定图案的沟槽或沟道176。如这里说明地，选择沟槽或沟道176的具 体结构和尺寸，以对垫和压板170之间的俘获气穴或气压提供足够的排 气。所说明的有槽压板组件175还包括压力出口系统190，且任选地包 括端点检测系统192。应当理解，各种端点检测系统可连同本发明的各 个实施例使用。例如，光学端点系统可使用激光束或其它光源来接近 通过压板中的孔径174抛光的半导体晶片结构的表面。可选地，可以使 用摩擦端点系统来测量压板/心轴上的电机电流，以确定抛光何时从一层过渡到另一层，或可使用涡流端点系统实时测量金属厚度。在其它 实施例中，白光检测器端点检测系统可以在孔径174中或在压板边缘处 使用传感器，在任一情况下对于测量，晶片离开所述垫。另一实施例使用嗅探(sniffer)端点检测系统来检测抛光状态，其通过将探针放置 在压板上以检测在抛光工艺期间在浆料中存在层(例如，在STI抛光期 间检测氮化物)。在其它实施例中，可使用基于温度的端点检测系统， 以在膜叠置过渡期间测量垫中的温度漂移。可选地，可使用新星型 (Nova-type)测量系统在抛光之后测量晶片，以预测对于下一个晶片 需要多少抛光和/或确定对于当前是否需要另外的抛光。在图7所示的示 例性实施例中，压板170包括光学端点检测窗口和/或传感器设备(未示 出)，其设计为适合孔径174并且通过粘附于压板170的垫(未示出) 中的开口提供CMP操作的原位监测。压板170还包括出口路径172，用于将沟槽176向外连接至周围空气 或压力出口系统170。在图8中说明了这种连接的实例，其示出了图7的 有槽压板组件175的侧视图。如所说明地，压板170中的出口路径是第 一斜钻孔，其用于将压板170中的沟槽176连接至子压板180中的第二斜 钻进入孔，反之，该第二斜钻进入孔用于连接至周围空气或压力出口 系统。应当理解，可使用另外的出口路径，并且可形成任意所希望的 角度和/或宽度，但出口路径172的结构应选择为与用于接近周围空气或 压力出口系统190的子压板180中的孔相交。例如，出口路径172可形成 为具有大约.12英寸的直径的、且其中心轴从压板170的顶或底水平面倾 斜大约四十度的孔。可选地，出口路径172可形成为具有大约.188英寸 的直径的、且其中心轴从压板170的顶或底水平面倾斜大约27度的孔。在操作中，抛光垫(未示出)粘着地粘附于压板170，以形成通过 抛光器(例如200Mirra抛光器)围绕着其中心轴旋转或转动的抛光垫组 件。由于沟槽176和压板通道172，可以排出垫和压板之间的气穴，以 使得在粘合剂和压板之间不能形成气泡。然后在抛光时将被抛光的结 构(例如，部分完成的集成电路或晶片结构，其上已形成有层间电介 质或金属层)设置为接触所述旋转抛光垫组件。例如，将该结构粘附 于抛光臂，该抛光臂使所述结构来回旋转和移动，同时在存在抛光浆 料时将该结构挤压向旋转的抛光垫。这会有效地实现对于正被抛光的结构上的沉积的层或上部层的平坦化。在一种形式中，提供可旋转压板装置用于进行化学机械抛光。压 板可以是盘状的，且包括外围侧边缘、下表面和上表面，其上表面的 上面粘着地粘附了抛光垫。另外，该压板具有形成在上表面上的沟槽 图案，并且还具有在压板中形成的一个或多个的通道。该沟槽图案可 形成所希望的图案，只要该沟槽图案与通向通道的开口相交。例如， 该沟槽图案可以是X-Y栅格、辐射图案、星爆式图案、同心圆或其任何 组合，沟槽具有任意希望的尺寸(例如，至少大约.02英寸的宽度或深 度)。可选地，该沟槽图案可以是形成有多孔材料层的单密封沟道， 所述多孔材料层允许在抛光垫粘附到压板上期间俘获的空气通过通道 排出。另外，配置沟槽图案使得其没有延伸至压板的外围边缘，例如 通过在上表面中包括外围非沟槽部分，当抛光垫粘附于压板上时，其 通过密封沟槽图案避免来自化学机械工艺环境的抛光材料(例如磨料、 流体和/或湿气)的渗透。该通道可形成有任一所希望的结构(例如，下表面和上表面之间的斜钻孔，直径至少大约.12英寸)，只要它连接上表面沟槽图案中的开口与压板中的第二开口。在可选实施例中，该 通道包括可透气的疏水性材料，其释放空气而不让来自化学机械工艺 环境的液体、蒸汽或其它不希望的污染物渗透在压板和抛光垫之间。 在这些实施例中，该通道可形成在压板中，以使上表面沟槽图案与压 板的外围侧边缘上的开口连接。通过该通道，压板和抛光垫之间俘获 的空气能排到周围环境，而不让抛光工艺的流体、蒸汽或污染物渗透 在压板和抛光垫之间。在另一形式中，说明了一种用于进行化学机械抛光的方法。作为 初始的步骤，提供了一种压板，其具有形成在压板上表面中的沟槽图 案，该沟槽图安不延伸至压板的外围边缘。可通过将沟槽模制、铸造 或机械加工到压板中、然后任选地将可透气的多孔材料应用在沟槽图 案内部来形成沟槽图案。另外，压板包括形成在压板中的、以使沟槽 图案与外部环境连接的通道。根据压板结构，通道可在压板中形成为开口或孔，或可用可透气的疏水性材料形成，其释放空气而不让来自 化学机械抛光的污染物进入抛光垫和压板之间。通过将抛光垫涂敷或 粘着地粘附于压板的上表面来构造抛光垫组件。当将抛光垫施加到压 板时和在抛光操作期间，压板和垫之间俘获的空气能通过沟槽图案和 通道排出到外部环境。另外，通过将抛光垫的外围边缘密封至压板上 表面的外围边缘，防止来自化学机械抛光的污染物渗透在压板和抛光 垫之间。最后，使用抛光垫组件进行晶片结构的化学机械抛光，其是 通过在抛光时放置抛光垫组件接触晶片结构进行的。在另一形式，说明了一种用于组装可以用在化学机械抛光工艺中 的抛光垫组件的方法。在该方法中，提供压板，其具有在上表面形成 的一个或多个互连沟道，所述互连沟道通过压板的上表面上的外围密 封区封闭。压板中的互连沟道可形成任意所希望的沟槽图案，例如与X 形沟槽结合的同心圆图案。该压板还包括通道，其在互连沟道和外部 环境之间形成空气路径。抛光垫则粘着地粘附于压板的上表面，在将 抛光垫粘着地粘附于压板的同时，该压板的上表面需要对准互连沟道 以与通道相交。在粘附期间，压板和抛光垫之间俘获的空气通过沟道 和通道排出，而不允许来自化学机械抛光工艺的污染物渗透在压板和 抛光垫之间。尽管这里公开的说明示范性实施例涉及用于进行化学机械抛光的 设备的各个实例，但本发明不必限制于该示范性实施例。由此，当对 于领会此处教导的益处的本领域技术人员而言，以不同但是显而易见 地等同的方式修改和实践本发明时，以上公开的特定实施例仅是说明 性的且不应限制于本发明。例如，可使用用于出口路径和沟槽图案的 可选结构和尺寸。因此，前述说明不是意在将本发明限制于提出的特 定形式，相反地，意在覆盖可包括在如由所附的权利要求所定义的本 发明的精神和范围内的这些选择、修改和等效，以使得本领域技术人 员应理解，他们可以进行各种改变、替代和替换，而不脱离其最宽泛 的形式内的本发明的精神和范围。以上关于具体实施例说明了益处、其它优点和解决问题的方案。 然而，所述益处、优点或解决问题的方案，以及可以促使任意益处、 优点或解决问题的技术方案出现或变得更显著的任意要素，均不被认 为是对于全部权利要求中的任意权利要求的关键的、必要的或实质的 特征或要素。如这里使用的术语"包括"或其任何变形，意在覆盖非 排它性的包含，以使得包括有一系列要素的工艺、方法、物品或设备 不仅包括那些要素，但可包括对于这些工艺、方法、物品或设备未明 确列出的或固有的其它要素。
权利要求
1.一种用于进行化学机械抛光的设备，包括具有第一表面和第二表面的可旋转压板，用于粘着地粘附抛光垫；在所述压板的上表面形成的预定的沟槽图案，其中，所述沟槽图案不延伸至所述压板的所述上表面的外围边缘；以及在所述压板中形成的至少一个通道，以将所述沟槽图案中的第一上表面开口连接于所述压板中的第二开口，以便所述压板和所述抛光垫之间俘获的空气能经由所述通道排出，而不允许来自抛光工艺的流体或污染物渗透在所述压板和所述抛光垫之间。
2. 根据权利要求l的设备，其中，所述可旋转压板的所述上表面 包括外围非沟槽部分，其防止化学机械工艺环境的流体和/或湿气渗透 在所述抛光垫和所述压板之间。
3. 根据权利要求l的设备，其中，所述通道连接至周围环境，其 不允许来自化学机械工艺环境的液体、蒸汽或其它不希望的污染物侵 入。
4. 根据权利要求l的设备，其中，所述预定的沟槽图案包括与X形 沟槽结合的同心圆的图案，所述图案被定位为与所述第一上表面开口 相交。
5. 根据权利要求l的设备，其中，所述预定的沟槽图案包括一个 或多个沟槽，每个沟槽具有至少大约.02英寸的宽度或深度。
6. 根据权利要求l的设备，其中，所述通道形成为在下表面和所 述上表面之间的、具有至少大约.12英寸直径的斜钻孔。
7. 根据权利要求l的设备，其中，所述预定的沟槽图案包括单个密封沟道，在所述单个密封沟道中形成多孔材料层，所述多孔材料层 允许在所述抛光垫粘附到所述压板上期间所俘获的空气通过所述通道 排出。
8. 根据权利要求l的设备，其中，所述通道包括可透气的材料，所述材料释放空气而不让来自化学机械工艺环境的液体、蒸汽或其它 不希望的污染物渗透在所述压板和所述抛光垫之间。
9. 根据权利要求8的设备，其中，在所述压板中形成的所述通道 将所述沟槽图案中的所述第一上表面开口连接于所述压板的外围侧边 缘上的第二开口。
10. —种用于进行化学机械抛光的方法，包括通过将抛光垫应用到具有沟槽图案的压板的上表面来组装抛光垫 组件，所述沟槽图案不延伸至所述压板的所述上表面的任何外围边缘并且被开孔至外部环境；以及通过在抛光时将所述抛光垫组件接触晶片结构，进行所述晶片结 构的化学机械抛光。
11. 根据权利要求10的方法，其中，组装抛光垫组件包括将所 述抛光垫的外围边缘密封至所述压板的所述上表面的所述外围边缘， 以防止来自所述化学机械抛光的污染物渗透在所述压板和所述抛光垫 之间。
12. 根据权利要求10的方法，进一步包括在所述压板中形成至 少一个通道，以使所述沟槽图案与所述外部环境连接，以使得所述压 板和所述抛光垫之间俘获的空气能够经由所述通道排出，而不允许来 自所述化学机械抛光的污染物渗透在所述压板和所述抛光垫之间。
13. 根据权利要求12的方法，其中，所述通道由可透气的疏水性材料形成，所述材料释放空气而不让来自所述化学机械抛光的污染物 进入所述抛光垫和所述压板之间。
14. 根据权利要求10的方法，进一步包括通过将所述沟槽机械 加工到所述压板中来在所述压板中形成所述沟槽图案。
15. 根据权利要求10的方法，进一步包括通过模制、铸造或机 械加工所述压板以在所述压板中形成所述沟槽图案。
16. 根据权利要求10的方法，其中组装抛光垫组件包括 将所述抛光垫粘着地粘附于所述压板的所述上表面；以及 经由在所述压板中形成的所述沟槽图案和通道排出在所述压板和所述抛光垫之间俘获的任何空气，而不允许来自所述化学机械抛光的 污染物渗透在所述压板和所述抛光垫之间。
17. 根据权利要求10的方法，进一步包括将可透气的多孔材料 应用于所述沟槽图案内部。
18. —种用于组装在进行化学机械抛光工艺中使用的抛光垫组件的方法，包括将抛光垫粘着地粘附于到压板的第一表面，其中所述压板包括 在所述压板的所述第一表面中形成的一个或多个互连沟道， 所述互连沟道被所述压板的所述第一表面上的外围密封区域封闭，以 及至少一个通道，用于在所述互连沟道和外部环境之间形成空 气路径；以及经由在所述压板中形成的所述互连沟道和所述通道将在所述压板 和所述抛光垫之间俘获的空气排出至外部环境，而不允许来自所述化 学机械抛光工艺的污染物渗透在所述压板和所述抛光垫之间。
19. 根据权利要求18的方法，进一步包括在将所述抛光垫粘着 地粘附于所述压板的同时，对准所述互连沟道以与所述通道相交。
20. 根据权利要求18的方法，进一步包括将所述压板中的所述互连沟道形成为与x形沟槽结合的同心圆的沟槽图案。
全文摘要
一种用于在半导体器件的化学机械抛光中使用的抛光垫(120)和压板(130)组件，包括具有沟槽或沟道表面(136)的压板(130)，所述沟槽或沟道表面(136)通过压板(130)外围的非沟槽部分(131)与工艺环境相密封隔开。另外，压板(130)包括一个或多个用于提供通向环境或低于室温的环境的路径的通道(132)。密封区域(131)和通道(132)的组合防止液体、蒸汽或其它不希望的污染物渗透在垫和压板之间，以及还排出在垫和压板之间俘获的气穴。
文档编号B24B7/00GK101257996SQ200680032674
公开日2008年9月3日 申请日期2006年8月29日 优先权日2005年9月6日
发明者亚历克斯·P·帕马塔特, 史蒂芬·F·亚伯拉罕, 布赖恩·E·博特马 申请人:飞思卡尔半导体公司