专利名称：一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的方法
技术领域：
本发明属于记忆合金技术领域，特指一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合 金记忆回复率的方法。
背景技术：
CuAlMn低温记忆合金可以应用在超低温环境，如液氮温度下的工作环境(小于 200K)。如果利用CuAlMn低温记忆合金来制作一个控温阀，使其在高温时自动把液氮瓶口 打开，释放出液氮制冷，当温度降低到所需要的低温时又自动把瓶口关闭，这样就可以减少 低温系统中液氮的流量，从而能够有效地减少液氮的消耗量，延长制冷装置的工作时间。用 CuAlMn低温记忆合金制作控温阀中的一个动作元件，这个动作元件会根据工作环境温度而 动作，从而起到控温阀门的作用。这个动作元件一般制作成园状、或弹簧状使用，因为记忆 合金的特点是制作元件过程中不能出现直角，否则会失去记忆效应。将CuAlMn低温记忆合 金制作成园状、或弹簧状使用，就有一个预应变量(O的问题，CuAlMn低温记忆合金预应 变量的大小会影响该合金的记忆回复率。本发明提出了一种通过预应变量控制CuAlMn低 温记忆合金记忆回复率的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的 方法，其特征在于选取预应变量ε分别为2%、4%、6%、8%、10%，将CuAlMn低温记忆合 金按照设定的不同预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，随着预应变量 的增加，预应变量大于2%以后，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高。但是预变形量 超过8%以后，双程记忆回复率有所下降。所以对于CuAlMn低温记忆合金，预应变量应在 4% -8%范围内。
图1预应变量与记忆回复率的关系由图1可以看出预应变量应在4% -8%范围内，CuAlMn低温记忆合金的记忆回复
率最闻。
具体实施例方式实施例1选取预应变量ε分别为2%，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园 状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为2%时，CuAlMn低温记忆合金双程记 忆回复率是78%。实施例2
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选取预应变量ε分别为4%，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园 状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为4%时，CuAlMn低温记忆合金双程记 忆回复率是85%。实施例3选取预应变量ε分别为6%，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园 状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为6%时，CuAlMn低温记忆合金双程记 忆回复率是86%。实施例4选取预应变量ε分别为8%，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成园 状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为8%时，CuAlMn低温记忆合金双程记 忆回复率是86%。实施例5选取预应变量ε分别为10%，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的预应变量做成 园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，预应变量为10%时，CuAlMn低温记忆合金双程 记忆回复率是82%。
权利要求
1. 一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的方法，其特征在于选取 预应变量ε分别为2%、4%、6%、8%、10%，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应 变量做成园状，然后进行记忆回复率测定；其结果是，随着预应变量的增加，预应变量大于 2%以后，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高；但是预变形量超过8%以后，双程记 忆回复率有所下降；所以对于CuAlMn低温记忆合金，预应变量应在4% -8%范围内。
全文摘要
一种通过预应变量控制CuAlMn低温记忆合金记忆回复率的方法，属于记忆合金技术领域，其特征在于选取预应变量ε分别为2％、4％、6％、8％、10％，将CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成园状，然后进行记忆回复率测定。其结果是，随着预应变量的增加，预应变量大于2％以后，CuAlMn低温记忆合金双程记忆回复率提高。但是预变形量超过8％以后，双程记忆回复率有所下降。所以对于CuAlMn低温记忆合金，预应变量应在4％-8％范围内。
文档编号C22F1/08GK102002655SQ201010508970
公开日2011年4月6日 申请日期2010年10月15日 优先权日2010年10月15日
发明者刘光磊, 司乃潮, 司松海, 张志敏 申请人:镇江忆诺唯记忆合金有限公司