一种高循环次数的形状记忆合金及其制备方法和应用

文档序号:10680282阅读:584来源:国知局
一种高循环次数的形状记忆合金及其制备方法和应用
【专利摘要】本发明公开了一种高循环次数的形状记忆合金,该合金由钛、镍、铜元素构成。按原子百分比包括如下组分:钛原子百分比含量为50?60%、镍的原子百分比含量为30?38%;铜的原子百分比含量为10?14%。然后采用磁控溅射的方法制备薄膜合金,再经过热处理而成。该合金内包含纳米Ti2Cu与Ti2Ni相,循环寿命高。
【专利说明】
-种高循环次数的形状巧忆合金及其制备方法和应用
技术领域
[0001] 本发明设及形状记忆合金材料领域,具体设及一种高循环次数的形状记忆合金及 其制备方法和应用。
【背景技术】
[0002] 形状记忆合金由于其特殊的性能已获得广泛应用。中国发明专利CN104060126A提 出了一种儀铁系形状记忆合金,所述的儀铁系形状记忆合金由儀、铁、铜、铭、儘W及儒六种 金属成分组合而成,所述的儀铁系形状记忆合金中各成分所占重量百分比分别为:所述的 儀占60.3%-64.9%,所述的铁占21.4%-22.5%,所述的铜占7.4%-8.3%,所述的铭占 2.8%-3.7%,所述的儘占1.9%-2.7%,所述的儒占1.6%-2.5%。由儀、铁、铜、铭、儘^及 儒等六种金属元素组成,具有记忆恢复原形、无磁性、耐磨耐蚀、耐高溫、无毒性的特点。
[0003] 中国发明专利CN102864360A提出了一种性形状记忆合金,所述合金的各组成原百 分量为儀45-55at,0-1 Oat,铁25-35at,5-15at。本发明的合金具有性形状记忆效应。
[0004] 中国发明专利CN102864341A提出了一种超弹性合金材料,所述合金材料的各组成 按原子百分含量为儀45-55at%,铁O-lOat%,铁25-35at%,钻5-15at%。该技术方案的合 金材料不仅具有窄滞后超弹性能又能够保持形状记忆效应的合金材料。其制备方法包括W 下步骤:1)、选取纯度>99.9%的儀,纯度>99.99%钻,纯度>99.9%的铁,纯度>99.9% 的铁,将上述材料按照原子百分含量配料,然后放入烙炼炉中并抽真空至2.0X10-4化,再 充入氣气,反复烙炼后用模具冷却吸铸得到合金毛巧;2)、将1)中得到的合金毛巧密封,抽 真空至5.0 X 10-5化,在1000°C下保溫72小时,然后冷却至室溫得到超弹性合金材料。

【发明内容】

[0005] 发明目的:为了提高形状记忆合金的循环寿命,本发明所要解决的技术问题是提 供了一种高循环次数的形状记忆合金。
[0006] 本发明还要解决的技术问题是提供了一种高循环次数的形状记忆合金的制备方 法。
[0007] 本发明还要解决的技术问题是提供了一种高循环次数的形状记忆合金的应用。 [000引常规的合金材料变形几千次就会断裂,而本发明采用磁控瓣射的方法,制备含有 独特成分与显微结构的合金薄膜材料,能够将该合金的循环次数提高到几千万次W上。该 合金薄膜的厚度为2-50微米,其显微结构中包含Ti2化与Ti2化相,它们为纳米晶,尺寸小于 500纳米。
[0009] 为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种高循环次数的形状记忆合金,该 合金由铁、儀、铜元素构成。
[0010] 作为优选,按原子百分比包括如下组分:铁原子百分比含量为50-60%、儀的原子 百分比含量为30-38% ;铜的原子百分比含量为10-14%。
[0011] 作为优选,上述高循环次数的形状记忆合金的厚度为2-50微米。
[0012] 作为优选,上述高循环次数的形状记忆合金的显微结构中包含Ti2化与Ti2Ni相。
[0013] 作为优选,上述高循环次数的形状记忆合金中的TisCu与TisNi相的尺寸小于500纳 米。
[0014] 上述的高循环次数的形状记忆合金的制备方法,包括W下步骤:
[0015] 1)按照上述的合金材料制备祀材;
[0016] 2)采用磁控瓣射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至10-中aW上,充入氣气,然 后再抽真空至l(T3Pa,调整工作电压为500V,瓣射占空比60-70%,开始进行瓣射沉积,控制 厚度为2-50微米得到薄膜状的形状记忆合金;
[0017] 3)对步骤2)得到的形状记忆合金进行退火热处理。
[0018] 7、根据权利要求6所述的高循环次数的形状记忆合金的制备方法,其特征在于,所 述退火热处理溫度为650-720摄氏度得到高循环次数的形状记忆合金。
[0019] 上述的含妮形状记忆合金工业控制、医疗器械等方面的应用。
[0020] 有益效果:本发明具有W下优点:采用本发明的方法可W制备高循环次数的形状 记忆合金,循环次数高达几千万次W上,远高于当前合金的几千次。运是因为目前大多数形 状记忆合金在两种晶格状态下转变时,两相之间的转换不完全,在金属高溫相(奥氏体)中 会出现越来越多的低溫相(马氏体)晶体结构,几千次就会出现裂纹,最终会导致合金断裂。 在本发明中,会形成的纳米相TisCu相与TisNi相,其尺寸在500纳米W下。当TisCu相在B2与 B19两种结构中转换时,它们之间的转换是完全的,不存在残留,因此能够大大提高循环寿 命。此外,本合金中还会产生稀±相强化,能够提高合金的强度性能。
【具体实施方式】
[0021 ]下面结合【具体实施方式】对本发明作更进一步的举例说明。
[0022]实施例1:高循环次数的形状记忆合金的制备 [002;3] 1、按照铁:儀:铜的原子比为50:38:12的比例制备祀材;
[0024] 2、采用磁控瓣射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至10-中aW上,充入氣气,然 后再抽真空至l(T3Pa,调整工作电压为500V,瓣射占空比60%,开始进行瓣射沉积,控制厚度 为12微米;
[0025] 3、对W上合金进行退火热处理,溫度为650摄氏度得到高循环次数的形状记忆合 金〇
[0026] 对高循环次数的形状记忆合金进行循环寿命测试,样品进行2千万次测试后,仍未 断裂。
[0027] 实施例2:高循环次数的形状记忆合金的制备
[002引1.按照铁:儀:铜的原子比为60:30:10的比例制备祀材;
[0029] 2.采用磁控瓣射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至10-中aW上,充入氣气,然 后再抽真空至l(T3Pa,调整工作电压为500V,瓣射占空比60%,开始进行瓣射沉积,控制厚度 为32微米;
[0030] 3.对W上合金进行退火热处理,溫度为680摄氏度得到高循环次数的形状记忆合 金〇
[0031] 对高循环次数的形状记忆合金进行循环寿命测试,样品进行2千万次测试后,仍未 断裂。
[0032]实施例3:高循环次数的形状记忆合金的制备
[00削 1.按照铁:儀:铜的原子比为52:38:10的比例制备祀材;
[0034] 2.采用磁控瓣射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至l(T3PaW上,充入氣气,然 后再抽真空至l(T3Pa,调整工作电压为500V,瓣射占空比70%,开始进行瓣射沉积,控制厚度 为47微米;
[0035] 3.对W上合金进行退火热处理,溫度为720摄氏度得到高循环次数的形状记忆合 金〇
[0036] 对高循环次数的形状记忆合金进行循环寿命测试,样品进行2千万次测试后,仍未 断裂。
[0037] 实施例4高循环次数的形状记忆合金的制备
[0038] 1.按照铁:儀:铜的原子比为55:31:14的比例制备祀材;
[0039] 2.采用磁控瓣射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至l(T3PaW上,充入氣气,然 后再抽真空至l(T3Pa,调整工作电压为500V,瓣射占空比65%,开始进行瓣射沉积,控制厚度 为2微米;
[0040] 3.对W上合金进行退火热处理,溫度为685摄氏度得到高循环次数的形状记忆合 金〇
[0041] 对高循环次数的形状记忆合金进行循环寿命测试,样品进行2千万次测试后,仍未 断裂。
[0042] 实施例5高循环次数的形状记忆合金的制备
[00创 1.按照铁:儀:铜的原子比为54:34:12的比例制备祀材;
[0044] 2.采用磁控瓣射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至l(T3PaW上,充入氣气,然 后再抽真空至l(T3Pa,调整工作电压为500V,瓣射占空比67%,开始进行瓣射沉积,控制厚度 为50微米;
[0045] 3.对W上合金进行退火热处理,溫度为690摄氏度得到高循环次数的形状记忆合 金〇
[0046] 对高循环次数的形状记忆合金进行循环寿命测试,样品进行2千万次测试后,仍未 断裂。
[0047] 对比例1
[004引 1.按照lat %儘、0.4at %钦、51at %铁、44at %儀、3.6at %铁的比例配置原料;
[0049] 2.将原料混合均匀,放入非自耗真空电弧炉内,抽真空到5*10-4化,充入高纯氣 气,然后烙炼5次;
[0050] 3.在真空热处理炉中进行热处理:在500度进行时效2小时,然后在450度时效5小 时。
[0化1 ] 4.冷却,由此得到形状记忆合金。
[0052] 检测结果:进行循环寿命测试,样品进行8636次测试断裂。
[0053] 本发明实施例1~5制备得到的含妮形状记忆合金合金和对比例1的普通合金进行 1000次形变后的记忆回复率
[0化4]
[0055] W上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人 员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可W做出若干改进和润饰,运些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种高循环次数的形状记忆合金,其特征在于,该合金由钛、镍、铜元素构成。2. 根据权利要求1所述的一种高循环次数的形状记忆合金,其特征在于,按原子百分比 包括如下组分:钛原子百分比含量为50-60%、镍的原子百分比含量为30-38%;铜的原子百分 比含量为10-14%。3. 根据权利要求1所述的一种高循环次数的形状记忆合金,其特征在于,所述高循环次 数的形状记忆合金的厚度为2-50微米。4. 根据权利要求1所述的一种高循环次数的形状记忆合金,其特征在于,所述高循环次 数的形状记忆合金的显微结构中包含Ti2Cu与Ti 2Ni相。5. 根据权利要求4所述的一种高循环次数的形状记忆合金,其特征在于,所述高循环次 数的形状记忆合金中的Ti2Cu与Ti 2Ni相的尺寸小于500纳米。6. 权利要求1~5任一项所述的高循环次数的形状记忆合金的制备方法,其特征在于,包 括以下步骤: 1) 按照上述的合金材料制备靶材; 2) 采用磁控溅射制备薄膜状的形状记忆合金,抽真空至l(T3Pa以上,充入氩气,然后再 抽真空至10- 3Pa,调整工作电压为500V,派射占空比60-70%,开始进行溅射沉积,控制厚度为 2-50微米得到薄膜状的形状记忆合金; 3) 对步骤2)得到的薄膜状的形状记忆合金进行退火热处理得到高循环次数的形状记 忆合金。7. 根据权利要求6所述的高循环次数的形状记忆合金的制备方法,其特征在于,所述退 火热处理温度为650-720摄氏度。8. 权利要求1~5任一项所述的高循环次数的形状记忆合金在工业控制、医疗器械方面 的应用。
【文档编号】C23C14/58GK106048304SQ201610538496
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月8日
【发明人】杨卫国, 朱浩
【申请人】江苏科技大学
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