一种硅片镀膜用石墨框卡钩的制作方法

文档序号:3276887阅读:106来源:国知局
专利名称:一种硅片镀膜用石墨框卡钩的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种硅片镀膜用石墨框卡钩。
背景技术
目前Roth&Rau PECVD下镀膜设备在太阳能电池生产行业内使用较为广泛。制作太阳能电池片的方形硅片在镀膜前,要放置在石墨框方格孔内,并通过固定在方格孔两边格条上的卡钩予以支撑。由于现有的卡钩采用半圆形单点支撑结构或者几字型单点支撑结构支撑硅片,使得硅片在该支点处不能形成镀膜,围绕该支点形成的镀膜较薄,使硅片镀膜不均匀,影响了硅片的镀膜效果,降低了该硅片制成的太阳能电池的转换效率。且单点接触造成PECVD下镀膜设备的碎片率及隐裂片率较高。

实用新型内容本实用新型的目的就是解决现有技术中存在的上述问题,提供一种硅片镀膜用石墨框卡钩,该卡钩支撑硅片的位置不在硅片底面的盘面上,且支撑可靠性高,硅片不易滑落。为实现上述目的,本实用新型的技术解决方案是:一种硅片镀膜用石墨框卡钩,其包括横支撑;在横支撑上端有卡接在石墨框格条上的连接卡,下端有向外倾斜的两支撑架,两支撑架上端面为粗糙面。上述所述的两支撑架与垂直方向的倾斜夹角为20 70°。上述所述的两支撑架长度为0.8 5mm。上述所述两支撑架上端面的粗糙面为一个个弧形突起形成的粗糙面,弧形突起的直径为 0.05-0.3mm,弧度为 30-180。。本实用新型将石墨框卡钩的硅片支撑架设计成倾斜式,这样硅片只是两端支撑在硅片支撑架上,其底面的盘面上不再接触硅片支撑架,所以不影响硅片的镀膜,硅片的镀膜面积大、均匀性好,增加了 Roth&Rau PECVD下镀膜设备生产的太阳能电池的减反射和钝化面积,从而提高太阳能电池的转换效率,也使太阳能电池片的外观更美观。由于两支撑架上的粗糙面设计,使本实用新型支撑硅片更可靠,硅片不易滑落;且支撑架与硅片不再是单点接触,而是整个外边接触,降低了 PECVD下镀膜设备的碎片率及隐裂片率。

图1为本实用新型的结构示意图;图2为图1的I部放大图;图3为本实用新型在石墨框上的安装实例。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步描述。[0013]如图1和图2所示,本实施例包括横支撑I。在横支撑I上端有卡接在石墨框格条上的连接卡4,下端有向外倾斜的两支撑架2。两支撑架2长度为0.8 5mm,与垂直方向的倾斜夹角α为20 70°。两支撑架2上端面为一个个弧形突起3形成的粗糙面,弧形突起3的直径R为0.05-0.3mm,弧度β为30-180°。如图3所示,使用时,将本实用新型5的连接卡卡接在石墨框格条上,其两支撑架2分别位于相邻的两个石墨框方格孔6、7内。在每个石墨框方格孔的两条对边格条上分别固定有两个本实用新型5,每两个本实用新型的支撑架2相对,一起支撑住放置在该石墨框方格孔内的硅片8。
权利要求1.一种硅片镀膜用石墨框卡钩,其特征在于:其包括横支撑;在横支撑上端有卡接在石墨框格条上的连接卡,下端有向外倾斜的两支撑架,两支撑架上端面为粗糙面。
2.根据权利要求1所述的硅片镀膜用石墨框卡钩,其特征在于:所述的两支撑架与垂直方向的倾斜夹角为20 70°。
3.根据权利要求1或者2所述的硅片镀膜用石墨框卡钩,其特征在于:所述的两支撑架长度为0.8 5mm。
4.根据权利要求3所述的硅片镀膜用石墨框卡钩,其特征在于:所述两支撑架上端面的粗糙面为一个个弧形突起形成的粗糙面,弧形突起的直径为0.05-0.3mm,弧度为30-180。。
5.根据权利要求1或者2所述的硅片镀膜用石墨框卡钩,其特征在于:所述两支撑架上端面的粗糙面为一个个弧形突起形成的粗糙面,弧形突起的直径为0.05-0.3mm,弧度为30-180° 。
专利摘要本实用新型公开了一种硅片镀膜用石墨框卡钩,其包括横支撑;在横支撑上端有卡接在石墨框格条上的连接卡,下端有向外倾斜的两支撑架,两支撑架上端面为粗糙面。使用时,硅片只是两端支撑在本实用新型的硅片支撑架上,其底面的盘面上不再接触硅片支撑架,所以不影响硅片的镀膜,硅片的镀膜面积大、均匀性好,增加了Roth&RauPECVD下镀膜设备生产的太阳能电池的减反射和钝化面积,从而提高太阳能电池的转换效率。本实用新型支撑硅片更可靠,硅片不易滑落;且降低了PECVD下镀膜设备的碎片率及隐裂片率。
文档编号C23C16/458GK203007413SQ20122064432
公开日2013年6月19日 申请日期2012年11月30日 优先权日2012年11月30日
发明者刘粉霞 申请人:光为绿色新能源股份有限公司
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