晶片研磨盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及晶片研磨加工领域，具体公开了一种晶片研磨盘，其包括一研磨盘盘体，该研磨盘盘体包括一呈圆环形设置的盘本体、设于盘本体一侧表面且向外凸出设置的凸台，以及设于盘本体另一侧表面上的研磨层；所述盘本体中间位置处设有一贯穿设置的轴孔，该轴孔内设有花键；所述研磨层表面上设有数道导流槽，该导流槽包括沿圆环的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。本实用新型的晶片研磨盘，其可以减少晶片磨损，提高光学晶片的合格率。
【专利说明】晶片研磨盘
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶片研磨加工领域，尤其涉及一种用于对超薄光学晶片进行研磨加工的研磨盘。
【背景技术】
[0002]石英晶片是制造频率发生和控制用的电子元器件，石英晶片的厚度同频率成反t匕，石英晶体经过切割后的晶片，要根据晶片的设计要求，一道一道淹没至固定厚度，再经过腐蚀达到固定频率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的关键过程。
[0003]在对晶片进行研磨抛光处理时，通常需要用到研磨机。研磨盘是研磨机中最主要的工作部件，研磨晶片时，将复数晶片上蜡并黏置于研磨盘上，再以该研磨盘设置于相对应的研磨机中进行晶片研磨的减薄作业。各镜片于研磨完毕后即可将研磨盘由机器中取出。
[0004]目前光学晶片在研磨加工的时候，行业内所采用的研磨盘都是由铸铁或碳钢制成的，其重量较重，所以在加工的过程中，容易造成光学晶片的挤压，产生刮痕，降低光学晶片的合格率。若不经过研磨加工这个工序，光学晶片将不能达到超薄的要求，因此，有必要对现有的研磨盘结构进行改良。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于，提出一种晶片研磨盘，其可以减少晶片磨损，提高光学晶片的合格率。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供了一种晶片研磨盘，其包括:一研磨盘盘体，该研磨盘盘体包括一呈圆环形设置的盘本体、设于盘本体一侧表面且向外凸出设置的凸台，以及设于盘本体另一侧表面上的研磨层；所述盘本体中间位置处设有一贯穿设置的轴孔，该轴孔内设有花键；所述研磨层表面上设有数道导流槽，该导流槽包括沿圆环的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
[0007]具体的，所述研磨盘盘体可以采用合成塑料制作而成。
[0008]本实用新型中，所述盘本体的厚度约为21mm-24mm,凸台的厚度约为研磨层的厚度约为7mm-9mm。
[0009]选择性的,所述盘本体的厚度可以为22mm,凸台的厚度可以为8mm,研磨层的厚度可以为8_。
[0010]具体的，所述呈圆环形设置的盘本体的外圆直径约为205mm-260mm,其内圆直径约为 60mm-90mm。
[0011]选择性的，所述盘本体的外圆直径可以为250mm,其内圆直径可以为80mm。
[0012]本实用新型中，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置。
[0013]再者，所述数道径向槽之间呈等距离设置。
[0014]进一步地，所述环形槽和径向槽的深度约为1.5mm-l.9mm。[0015]具体的，所述环形槽和径向槽的深度均可以为1.8mm。
[0016]本实用新型的晶片研磨盘，其采用塑料材料制作而成，不仅成本较为低廉，且降低了材料硬度和重量，在光学晶片加工过程中，不会产生刮痕，尤其适用于超薄光学晶片的研磨加工；同时，其导流槽按照游星轮运行方向，采用环形槽及径向槽的特殊设计，可以极大的减小光学晶片边缘与原来的井字型导流槽碰擦产生的晶片破碎，从而可以减少晶片磨损，提闻光学晶片的合格率。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本实用新型的晶片研磨盘一种具体实施例的结构示意图；
[0019]图2为沿图1中A-A方向的剖面示意图。
【具体实施方式】 [0020]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0021]如图1、2所示，本实用新型提供一种晶片研磨盘，其包括:一研磨盘盘体10，该研磨盘盘体10包括一呈圆环形设置的盘本体12、设于盘本体12 —侧表面且向外凸出设置的凸台14，以及设于盘本体12另一侧表面上的研磨层16 ;所述盘本体12中间位置处设有一贯穿设置的轴孔18，该轴孔18内设有花键182 ;所述研磨层16表面上设有数道导流槽，该导流槽包括沿圆环的圆心向外延伸设置的数道环形槽162，以及沿圆环的半径方向设置的数道径向槽164，该环形槽162和径向槽164之间相连接设置。本实用新型在具体使用时，可以通过圆环形盘本体12中间的轴孔18与一研磨机的转动轴(未图示)相固定，该转动轴上设有键槽，轴孔18内的花键182与该键槽相配合，待加工的光学晶片放置于研磨盘盘体10的研磨层16上进行研磨抛光。
[0022]本实用新型中，所述研磨盘盘体10中的盘本体12与凸台14可以采用铸铁材料，研磨层16可以采用合成塑料制作而成。作为本实用新型的一种选择性实施例，所述整个研磨盘盘体10均可以采用合成塑料制作而成。该合成塑料是以树脂(或在加工过程中用单体直接聚合)为主要成分，以增塑剂、填充剂、润滑剂、着色剂等添加剂为辅助成分，在加工过程中能流动成型的材料，其相比现有技术中采用铸铁或碳钢制成的研磨盘，极大的降低了材料的硬度和重量，可以减小在晶片研磨时作用于晶片表面的压力与摩擦力，使得晶片在研磨时不容易出现划痕及因受力过大成碎片的情况。
[0023]在本实用新型中，所述盘本体12的厚度约为21mm-24mm，凸台14的厚度约为
研磨层16的厚度约为7mm-9mm。作为本实用新型的一种选择性的,所述盘本体12
的厚度可以为22mm,凸台14的厚度可以为8mm,研磨层16的厚度可以为8mm。具体的,所述呈圆环形设置的盘本体12的外圆直径约为205mm-260mm,其内圆直径约为60mm-90mm。选择性的，所述盘本体12的外圆直径可以为250mm,其内圆直径可以为80mm。本实用新型通过上述盘本体12、凸台14以及研磨层16厚度的合理设置，可以在保证研磨品质的前提下，进一步节约材料，降低成本。再者，由于研磨盘在使用一段时间后均会产生磨损，影响研磨质量，若整体更换研磨盘，则代价较高，造成成本上的提高。基于上述考虑，本实用新型采用独立的研磨层16的设计方式，当产生磨损时，只需要单独更换研磨层16即可，这样可以在很大程度上降低生产成本，避免材料浪费。作为本实用新型的一种优选实施例，还可以通过在研磨层16上涂设一层高分子环氧树脂层作为保护层的方式，进一步延长研磨盘的使用寿命。
[0024]由于研磨盘需要与研磨液配合使用，因此现有技术中通常在研磨盘上表面设置有数道井字型设置的凹槽以作导流作用，这种井字型结构设置的凹槽数量非常多，从而增加了晶片边缘与井字型凹槽之间碰擦产生的晶片破碎。而本实用新型中则采用新型的环形槽162与径向槽164的结构设置，其导流槽改成按游星轮运行方向设置，可以极大的减小光学晶片边缘与原来的井字型导流槽碰擦产生的晶片破碎，从而减少了晶片磨损，提高光学晶片的合格率。本实用新型中，所述数道环形槽162呈同心圆设置，每道环形槽162之间均等距离设置。所述数道径向槽164之间呈等距离设置。在本实用新型具体实施例中，所述环形槽162和径向槽164的深度约为1.5mm-1.9mm。优选的，所述环形槽162和径向槽164的深度均可以为1.8_。作为本实用新型的一种选择性实施例，所述环形槽162和径向槽164可以采用直角结构的方形槽方式设置。作为本实用新型的另一种选择性实施例，该环形槽162和径向槽164还可以采用内部圆滑设置的U型槽的方式设置，这样可以在一定程度上减小晶片边缘与导流槽之间的碰擦。
[0025]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种晶片研磨盘，其特征在于，包括一研磨盘盘体，该研磨盘盘体包括一呈圆环形设置的盘本体、设于盘本体一侧表面且向外凸出设置的凸台，以及设于盘本体另一侧表面上的研磨层；所述盘本体中间位置处设有一贯穿设置的轴孔，该轴孔内设有花键；所述研磨层表面上设有数道导流槽，该导流槽包括沿圆环的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
2.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体采用合成塑料制作--? 。
3.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述盘本体的厚度为21mm-24mm,凸台的厚度为研磨层的厚度为7mm-9mm。
4.如权利要求3所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述盘本体的厚度为22mm，凸台的厚度为8mm,研磨层的厚度为8mm。
5.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述呈圆环形设置的盘本体的外圆直径为205mm-260mm,其内圆直径为60mm-90mm。
6.如权利要求5所述的晶片研磨盘,其特征在于,所述盘本体的外圆直径为250mm,其内圆直径为80mm。
7.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置。
8.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述数道径向槽之间呈等距离设置。
9.如权利要求1所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述环形槽和径向槽的深度为1.5mm-1.9mm。
10.如权利要求9所述的晶片研磨盘，其特征在于，所述环形槽和径向槽的深度均为1.8mmη
【文档编号】B24B37/16GK203665306SQ201320688857
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2013年10月31日
【发明者】侯明永 申请人:重庆晶宇光电科技有限公司