片材的制作方法

文档序号:3312117阅读:176来源:国知局
片材的制作方法
【专利摘要】本发明提供片材,其使得气泡很难混入到粘接剂与板状物之间。在该片材上隔着供给到上表面的粘接剂粘贴有板状物,其特征在于,该片材的至少被供给粘接剂的表面具有疏粘接剂性,以使得供给到该片材上的该粘接剂成为峰状。
【专利说明】片材

【技术领域】
[0001] 本发明涉及隔着供给到上表面的粘接剂而粘贴有晶片等板状物的片材。

【背景技术】
[0002] 关于在表面形成有IC、LSI等大量器件且各个器件通过分割预定线(间隔道)而被 划分的半导体晶片,在通过磨削装置对背面进行磨削而加工为规定的厚度之后,通过切削 装置(切割装置)对分割预定线进行切削而分割为各个器件,分割后的器件广泛利用于便携 电话、个人电脑等各种电气设备。
[0003] 对半导体晶片(以下,有时简称为晶片)的背面进行磨削的磨削装置具有保持晶 片的卡盘工作台、以能够旋转的方式装配有磨削轮的磨削单元,该磨削轮具有对保持在该 卡盘工作台上的晶片进行磨削的磨削石,该磨削装置能够高精度地将晶片磨削成期望的厚 度。
[0004] 在对半导体晶片的背面进行磨削时,由于必须利用卡盘工作台对形成有多个器件 的晶片的表面侧进行吸引保持,因此为了保护器件,在半导体晶片的表面粘贴有在聚乙烯、 氯乙烯、聚烯经等基材的一个表面配设丙烯系的粘接层而构成的保护带。
[0005] 在晶片的背面磨削中,利用卡盘工作台的保持面对在表面粘贴有这种保护带的保 护带侧进行吸引保持,对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化为均匀的厚度,但是由于保护 带的粘接层的厚度存在偏差,因此不容易将晶片磨削成均匀的厚度。特别是,晶片的口径越 大,在保护带的粘接层上产生的厚度偏差越大,因此很难将晶片磨削成均匀的厚度。
[0006] 另一方面,使用线锅等从述料(ingot)切出的晶片具有翅曲和起伏。对这种晶 片进行通过磨削而使其平坦化的加工。公开有如下的方法和装置:在该晶片的磨削时,在 一个表面上涂敷树脂,通过使树脂硬化而使该一个表面侧成为平坦面,之后保持该平坦面 侦牝使磨削石与另一个表面接触而进行磨削,由此去除晶片的起伏和翘曲(参照日本特开 2009-148866 号公报)。
[0007] 在该公开公报所记载的树脂被覆装置中,在支承台上配设片材,以使作为粘接剂 发挥作用的紫外线硬化树脂与支承紫外线硬化树脂的支承台不粘合,在片材和晶片的一个 表面上涂敷树脂并使其硬化,使一个表面侧成为平坦面。
[0008] 这种利用按压(press)等将晶片的表面侧推压到代替保护带而涂敷在片材上的液 状树脂上并使液状树脂成为均匀的厚度后使其硬化的方法,作为对晶片的背面磨削时使用 的晶片的表面进行保护的保护单元是有效的,特别是如果晶片的口径增大,则其利用价值 增大。
[0009] 专利文献1 :日本特开2009-148866号公报
[0010] 在专利文献1所公开的树脂被覆方法中,在将晶片按压到对上表面供给粘接剂的 片材上而进行粘贴时,当在粘接剂与晶片之间混入气泡时,混入有气泡的部分局部地无法 通过粘接剂来支承,因此存在在后续加工中造成不良影响的问题。
[0011] 具体而言,例如由于混入气泡,在磨削时无法对晶片进行吸引保持并充分固定,有 时产生在磨削加工中晶片从粘接剂剥离等问题。


【发明内容】

[0012] 本发明是鉴于上述的问题而完成的,其目的在于,提供很难在粘接剂与板状物之 间混入气泡的片材。
[0013] 根据本发明,提供一种片材,该片材隔着供给到上表面的粘接剂粘贴有板状物,其 特征在于,该片材的至少被供给粘接剂的表面具有疏粘接剂性,以使得供给到该片材上的 该粘接剂成为峰状。
[0014] 优选片材由具有使供给到片材上的粘接剂成为峰状的疏粘接剂性的材质构成。优 选粘接剂由通过照射紫外线而硬化的紫外线硬化树脂构成,片材透射紫外线。
[0015] 在本发明的片材中,片材的至少被供给粘接剂的表面具有疏粘接剂性,使得所供 给的粘接剂成为峰状。因此,由于供给到片材上的粘接剂成为峰状,因此在使板状物相对于 粘接剂靠近移动的情况下,板状物以大致点接触的方式与粘接剂接触之后,粘接剂在板状 物上铺开,从而板状物粘贴在片材上。由此,由于防止空气进入到粘接剂与板状物之间,因 此很难在粘接剂与板状物之间混入气泡。

【专利附图】

【附图说明】
[0016] 图1的(A)是本发明的第1实施方式的片材的剖面图,图1的(B)是第2实施方式 的片材的剖面图。
[0017] 图2是示出粘接剂供给步骤的侧视图。
[0018] 图3是半导体晶片的表面侧立体图。
[0019] 图4是示出按压步骤的局部剖面侧视图。
[0020] 图5是示出粘接剂硬化步骤的局部剖面侧视图。
[0021] 标号说明
[0022] 10、12 :片材;11 :半导体晶片;12a :被粘贴面;14 :氣树脂涂层;16 :支承台;18 : 粘接剂;20 :按压装直;22 :保持台;24 :吸引保持部;28 :吸引源;30 :紫外线灯。

【具体实施方式】
[0023] 下面,参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。参照图1的(A),示出本发明 的第1实施方式的片材10的剖面图。片材10由具有疏粘接剂性的材质形成,例如是聚苯 乙烯片材。这里,"疏粘接剂性"是指润湿性低到弹开粘接剂程度的性质。优选的是,片材 10对于紫外线是透明的。
[0024] 参照图1的(B),示出本发明的第2实施方式的片材12的剖面图。片材12例如由 与保护带的基材相同的聚乙烯、氯乙烯、聚烯烃等树脂形成。
[0025] 对片材12的表面(被粘贴面)12a实施特氟龙(注册商标)涂层等氟树脂涂层14。 通过该氟树脂涂层14,能够对片材12的被粘贴面12a赋予疏粘接剂性。
[0026] 作为代替实施方式,也可以对片材12的被粘贴面12a进行电晕放电处理。通过电 晕放电处理,也能够对片材12的被粘贴面12a赋予疏粘接剂性。优选的是,片材12也对于 紫外线是透明的。
[0027] 这里,不需要对片材12的被粘贴面12a的整个面实施氟树脂涂层14或电晕放电 处理,也可以对片材12的至少被供给粘接剂的表面实施用于赋予疏粘接剂性的氟树脂涂 层或电晕放电处理。
[0028] 参照图2,示出表示粘接剂供给步骤的侧视图。首先,在由玻璃等形成的支承台16 的支承面16a上载置具有疏粘接剂性的片材10,当在片材10上滴下液状的粘接剂18时,由 于片材10具有润湿性低到弹开粘接剂程度的性质(疏粘接剂性),因此粘接剂18隆起成峰 状或半球状。这里,优选粘接剂18由紫外线硬化树脂构成,更加优选由紫外线硬化环氧树 脂构成。
[0029] 参照图3,示出作为粘贴有本发明的片材10的板状物的一种的半导体晶片(以下, 有时简称为晶片)11的表面侧立体图。在半导体晶片11的表面11a,呈格子状形成有多个 分割预定线(间隔道)13,并且在由分割预定线13划分的各区域中形成有IC、LSI等器件15。 半导体晶片11例如由硅晶片构成,其厚度大约为700μπι左右。lib是晶片11的背面。
[0030] 接着,参照图4和图5,对在晶片11的表面11a上粘贴由硬化的粘接剂层18a和 片材10构成的保护片材32的方法进行说明。参照图4的(A)时,按压装置20具有保持台 22,该保持台22具有由多孔陶瓷等形成的吸引保持部24,吸引保持部24通过电磁切换阀 26而选择性地与吸引源28连接。
[0031] 如图4的(A)所示,利用按压装置20的保持台22对晶片11的背面lib侧进行吸 引保持,使保持台22向箭头A方向下降,从而如图4的(B)所示,使晶片11的表面11a与 半球状的粘接剂18点接触。
[0032] 从该状态起,当使保持台22进一步缓慢地下降而将粘接剂18推压到片材10上 时,粘接剂18在箭头B方向上均匀地延伸,片材10隔着均匀地延伸的粘接剂18而粘贴在 晶片11的表面11a上。
[0033] 在该状态下,如图5所示,点亮配置在由玻璃等透明材料形成的支承台16的下方 的紫外线灯30,穿过支承台16和具有透射紫外线的性质的片材10,对均匀地延伸的粘接剂 18照射紫外线而使粘接剂18硬化,成为具有粘接性的粘接剂层18a。当使按压装置20的 保持台22上升时,能够在晶片11的表面11a粘贴由片材10和粘接剂层18a构成的保护片 材32。
[0034] 在使用了本发明的片材10、12的保护片材粘贴步骤中,由于供给到片材10上的粘 接剂成为峰状或半球状,因此在使晶片11相对于粘接剂18靠近移动的情况下,晶片11以 大致点接触的方式与粘接剂18接触,之后粘接剂18在晶片11上均匀地铺开,晶片11粘贴 在片材10上。
[0035] S卩,在晶片11的表面11a上粘贴由片材10和硬化的粘接剂层18a构成的保护片 材32。因此,由于防止空气进入到粘接剂18与晶片11之间,因此抑制在粘接剂18与晶片 11之间混入气泡。
[0036] 在上述实施方式中,对将本发明的片材10、12隔着粘接剂18而粘贴在晶片11的 表面11a上的例子进行了说明,但是被加工物不限于晶片,还包含一般的板状的被加工物 (板状物)。
【权利要求】
1. 一种片材,在该片材上隔着供给到上表面的粘接剂粘贴有板状物,该片材的特征在 于, 该片材的至少被供给粘接剂的表面具有疏粘接剂性,使得供给到该片材上的该粘接剂 成为峰状。
2. 根据权利要求1所述的片材,其特征在于, 所述片材由具有使供给到该片材上的该粘接剂成为峰状的疏粘接剂性的材质构成。
3. 根据权利要求1或2所述的片材,其特征在于, 所述粘接剂由通过照射紫外线而硬化的紫外线硬化树脂构成, 所述片材透射紫外线。
【文档编号】B24B41/06GK104108063SQ201410138818
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年4月8日 优先权日:2013年4月18日
【发明者】小野贵司, 小野寺宽 申请人:株式会社迪思科
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