一种内置多条抽气通道的晶圆薄膜沉积反应台的制作方法

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域，具体涉及一种内置多条抽气通道的晶圆薄膜沉积反应台。

背景技术：

在半导体薄膜的制程中，腔体内部晶圆薄膜沉积反应台作为主要元件对薄膜良率等参数影响很大，其中晶圆薄膜沉积反应台的连接固定及各种加工精度作为加热盘的关键问题自然成为了制程良率好坏的主要因素。固定式晶圆薄膜沉积反应台连接部件往往连接比较复杂，对加工精度要求比较严格，控制精度成为问题。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本发明提供了一种内置多条抽气通道的晶圆薄膜沉积反应台，对晶圆薄膜沉积反应台下表面进行精加工，腔体与反应台下表面直接进行连接接触，保证两个机加工零件连接的精度；加开多条腔体抽真空时使用的抽气通道，抽气口与反应台保证同心，抽气通道内嵌有陶瓷材质的隔热空心内衬，防止腔体抽真空时过多的带走加热盘的热量。

本发明是这样实现的，一种内置多条抽气通道的晶圆薄膜沉积反应台，其作为反应腔室的底面，直接与反应腔室螺钉连接，晶圆薄膜沉积反应台中心设置有抽气口，在反应台底面从抽气口向外辐射多条抽气通道。

进一步地，抽气通道内嵌有陶瓷材质隔热空心内衬。

进一步地，晶圆薄膜沉积反应台下表面设顶起晶圆装置空间。

与现有技术相比，本发明的优点在于，在一定程度上解决了晶圆薄膜沉积 反应台与腔体间因连接件过多精度无法保证的问题，通过中心走气，缩小腔室内空间的利用量，在不考虑具有升降功能反应台的前提下，改变反应台本身结构，保证反应台与腔体的平行连接，有效的控制了影响精度的因素，使得结构更加简化，控制更加有效，为薄膜制程中晶圆的均匀性提供一个更标准的反应环境，易于在半导体薄膜沉积应用及制备技术领域推广。

附图说明

下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明安装剖面图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

参考图1，为了消除薄膜沉积反应台与反应腔室连接上的不确定因素，解决反应台与腔体平行度等问题，本发明提供了一种内置多条抽气通道的晶圆薄膜沉积反应台1，其作为反应腔室4的底面，直接与反应腔室4螺钉连接，所述晶圆薄膜沉积反应台1中心设置有抽气口，在反应台底面从抽气口向外辐射多条抽气通道2，安装该反应台时，将密封圈3安装在反应台1的圆形槽内。

为了防止腔体抽真空时过多的带走加热盘的热量，作为技术方案的改进，在抽气通道2内嵌有陶瓷材质隔热空心内衬。

为了方便对晶圆进行沉积反应，作为技术方案的改进，在晶圆薄膜沉积反应台下表面设顶起晶圆装置空间5。