靶材、靶材的制造方法及平板状靶与流程

所揭示的实施方式涉及一种靶材、靶材的制造方法及平板状靶。

背景技术：

已知有一种溅镀装置，通过令氩离子(argon ion)冲撞平板状靶材的主面(溅镀面)使靶材成分飞行，而于面向与该靶材的主面配置的基板表面形成薄膜。

作为这样的靶材，习知有金属制及陶瓷(ceramics)制者。其中，陶瓷制的靶材，是例如将含有金属氧化物等陶瓷成分的粉末或粒子予以成形、烧制而成的烧制体，通过切削及研磨等机械加工成既定的大小而制得。

在溅镀装置中，靶材的加工精密度对形成于基板表面的薄模(溅镀膜)的品质造成影响。因此，关于陶瓷制的靶材的加工，已开始检讨使薄膜的品质提升的对策(例如，参照专利文献1、2)。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特开2000-135663号公报

专利文献2：日本特开2007-231392号公报。

技术实现要素：

(发明所欲解决的课题)

然而，在前述的习知技术中，依然未能获得同时抑制溅镀中瘤状物(nodule)的产生及附着于溅镀膜的颗粒(particle)的靶材，而有进一步改善的空间。瘤状物指出现于靶材表面的源自靶材的异物而言，而颗粒指附着于溅镀膜表面的粒子状异物而言。

实施方式的一形式为有鉴于前述的问题点所开发，目的在于提供一种靶材、靶材的制造方法及平板状靶，能够同时抑制溅镀中瘤状物的产生及对溅镀膜的颗粒附着。

(解决课题的手段)

实施方式的靶材为平板状陶瓷，其中，供溅镀的溅镀面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上1.5μm以下，且形成于前述溅镀面的裂隙的最大深度为15μm以下。

(发明的功效)

根据实施方式的一形式，能够提供一种靶材、靶材的制造方法及平板状靶，可同时抑制溅镀中的瘤状物产生及对溅镀膜的颗粒附着。

附图说明

图1A是显示实施方式的平板状靶的构成的概要示意图。

图1B为图1A的A-A’剖面图。

图2A为显示实施方式的靶材的构成的概要示意图。

图2B为图2A的B-B’剖面的扩大检视图。

图3A为显示实施方式的靶材的制造方法的概要说明图。

图3B为显示实施方式的靶材的制造方法的概要说明图。

图4为显示实施方式的靶材的制造方法的一例的流程图。

符号说明

1 靶材 2 底板

3 接合材 4 溅镀面

5 裂隙 6 背面

11 陶瓷 12 切线

13 载置台 14 导引滑轮

15 驱动滑轮 16 制造装置。

具体实施方式

以下，参照检附附图，详细说明本案所揭示的靶材、靶材的制造方法及平板状靶的实施方式。此外，本发明并不受以下所示的实施方式所限定。

首先，使用图1A、图1B针对能够适用于实施方式的靶材的平板状靶说明如下。

图1A为显示实施方式的平板状靶的构成的概要示意图，图1B为图1A的A-A’剖面图。此外，为使说明容易明了，在图1A及图1B中，图示包含有Z轴的3维直角座标系，该Z轴设定垂直向上为正方向、垂直向下为负方向。前述的直角座标系，也有显示在使用于后述说明的其他附图中的情形。

如图1A及图1B所示，平板状靶具备靶材1及底板2。此外，靶材1及底板2透过接合材3接合。

靶材1由加工成平板状的陶瓷所构成，以使供溅镀的溅镀面4及与溅镀面4相反的背面6大致呈平行。就该等陶瓷而言，可例示例如ITO(In₂O₃-SnO₂)、IGZO(In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO)及AZO(Al₂O₃-ZnO)等，但未局限于这些。

此外，就底板2而言，可适当选择使用习知所用者。例如，可适用不锈钢、钛、钛合金、铜等，但未局限于这些。

此外，就接合材3而言，可适当选择使用习知所用者。例如，可例举铟金属等，但未局限于这些。

以下，使用图2A、图2B进一步针对实施方式的靶材1加以说明。图2A为显示实施方式的靶材1的构成的概要示意图，图2B为图2A所示的B-B’剖面的扩大检视图。

如图2A所示，有时在靶材1的溅镀面4形成裂隙(crack)5。在这里，裂隙5指例如在加工时等产生在溅镀面4的微小裂隙，也称为“微裂隙(microcrack)”。

此外，如图2B所示，裂隙5于溅镀面4具有某宽度及长度，并且在与该溅镀面4呈垂直的厚度方向具有深度d。裂隙5的宽度及长度，能够通过SEM(Scanning Electron Microscope，扫描式电子显微镜)等自外部加以观察。另一方面，深度d则难以自外部加以观察。因此，深度d的量测，通过例如以包含裂隙5的方式，优选为以沿着裂隙5的方式，依Z轴方向裁断靶材1使剖面露出，再以SEM进行观察。

在实施方式的靶材1中，形成于溅镀面4的裂隙5的最大的深度(以下也称“最大深度”)d_max为15μm以下，优选为10μm以下。当裂隙5的最大的深度d_max超过15μm时，在溅镀中容易产生瘤状物，且也有对靶材1的机械强度产生影响的情形。在这里，“裂隙5的最大的深度d_max”是就如上述的方式所量测的裂隙5的深度d中为最大的值而言。

此外，靶材1的溅镀面4，表面粗糙度Ra为0.5μm以上1.5μm以下，优选为0.5μm以上1.0μm以下。若溅镀面4的表面粗糙度Ra未满0.5μm时，于溅镀中由靶材1产生的瘤状物未停留于靶材1而成为颗粒附着在溅镀膜，易使溅镀膜品质降低。此外，当溅镀面4的表面粗糙度Ra超过1.5μm时，因溅镀时的初期电弧(arcing)增加使得瘤状物增多，故难以形成均匀的溅镀膜。在这里，表面粗糙度Ra指相当于JIS(Japanese Industrial Standard，日本工业标准)B0601：2013的“算术平均粗糙度Ra”的值。

此外，陶瓷采用ITO的情形，靶材1的抗弯强度优选为16kgf/mm²以上，更优选为17kgf/mm²以上。若抗弯强度未满16kgf/mm²时，会有例如存在于靶材1内部的微小龟裂(内在裂隙)较多的疑虑。若靶材1具有多数内在裂隙时，在溅镀中会产生起因于该内在裂隙的瘤状物。因此，内在裂隙愈多瘤状物的产生率愈增多，会有导致溅镀膜的品质降低的疑虑。在这里，抗弯强度是依据JIS R1601：2008所量测的值。此外，1kgf约为9.8N。

此外，陶瓷采用IGZO的情形，靶材1的抗弯强度优选为6kgf/mm²以上，更优选为7kgf/mm²以上。若抗弯强度未满6kgf/mm²时，例如会有靶材1具有内在裂隙的疑虑。

此外，陶瓷采用AZO的情形，靶材1的抗弯强度优选为15kgf/mm²以上，更优选为16kgf/mm²以上。若抗弯强度未满15kgf/mm²时，例如会有靶材1具有内在裂隙的疑虑。

另外，在前述中，就平板状的靶材1而言，虽针对供溅镀的溅镀面4分别在X轴方向具有短边、在Y轴方向具有长边的长方形，在Z轴方向具有厚度的长方体形状者加以说明，但形状并不局限于此。因应供成膜的基板的形状，例如溅镀面4也可为正方形、圆形或椭圆形者，也可采用三角形、平行四边形、梯型、五角形或六角形等的多角形者作为靶材1。

以下，针对实施方式的靶材1的制造方法的一例加以说明。靶材1经由下述步骤制作：造粒步骤，将含有陶瓷原料粉末及有机添加物的浆料予以造粒，以制作颗粒体；成形步骤，将前述颗粒体予以成形，以制作成形体；烧制步骤，将前述成形体予以烧制，以制作烧制体。另外，烧制体的制作方法，并未局限于上述者，也可为任何方法。

然而，为了加工成既定的厚度并且形成具有既定的表面粗糙度的溅镀面4，已知有采用称为平面研磨机的加工机对烧制体进行加工者。在平面研磨机中，以欲加工面(溅镀面4的对应面)为上面的方式将烧制体放置于承载台上，使用研磨石进行表面加工。

在如前述的平面研磨机中，因研磨石以固定的切入深度将烧制体的平面按压同时进行加工，故使用平面研磨机所获得的靶材1，容易在加工时因受损而于溅镀面4形成最大深度d_max超过15μm的裂隙5。特别是对正在烧制时产生翘曲的烧制体进行加工时，当将该烧制体载置于平面研磨机的承载台上时，因产生自该承载台浮起的部分，故以研磨石按压其上会使烧制体承受较大负载。

该加工中的负载，与溅镀面4的面积成比例增大，但近年来有要求溅镀面4的面积较大的靶材1的倾向，故于使用研磨石的加工中产生的裂隙5也有最大深度d_max变大的趋势。

使形成于溅镀面4的裂隙5的最大深度d_max减少的方法，可考虑通过孔眼较细的研磨纸等逐次少量研磨表面，但该情形下，容易使研磨后的溅镀面4的表面粗糙度Ra未满0.5μm。即，在习知的加工法中，无法个别控制形成于溅镀面4的裂隙5的深度d以及溅镀面4的表面粗糙度Ra，难以同时实现抑制瘤状物的产生以及抑制对溅镀膜的颗粒附着。

实施方式的靶材1的制造方法，包含将陶瓷予以支持的支持步骤以及将该陶瓷予以裁断的裁断步骤。以下，使用图3A、图3B针对支持步骤及裁断步骤的一例加以详细说明。

图3A、图3B为显示实施方式的靶材1的制造方法的概要说明图。另外，图3A是可适用该制造方法的靶材1的制造装置的上视图，而图3B是图3A的前视图。此外，图3A、图3B中为便于说明将部分的形状简化显示。

如图3A、图3B所示，靶材1的制造装置16具备切线(wire)12及载置台13。陶瓷11载置于载置台13，由未图示的搬运机构或者搬运治具以预先设定的速度进行搬运，且以切线12加以裁断。以下，将陶瓷11的搬运速度称为裁断速度v_c。

陶瓷11具有高度α、长度β、宽度γ的长方体形状。该陶瓷11也可直接使用在前述的烧制步骤所获得的烧制体，也可将烧制体的1或2面以上加工后使用。也可例如通过裁断或研磨将与载置台13接触的烧制体表面加工成平坦，以修正烧制体的翘曲。

此外，切线12卷绕支持在驱动滑轮15及多个导引滑轮14。切线12通过驱动滑轮15的旋转以预先设定的切线12送出速度旋转，将以裁断速度v_c进入的陶瓷11予以裁断。以下，将切线12的送出速度称为切线速度v_w。

接着，针对陶瓷11的支持方法加以说明。以裁断速度v_c使切线12通过陶瓷11的部位，由切线12使陶瓷11以剥离的方式裁断。因此，使相邻的陶瓷11间形成对应于切线12宽度L的间隙。

若对该间隙从面方向施力时，则挠曲力集中在切线12还尚未通过的部分(利用切线12裁断中的部分)，使微裂隙进入裁断面。因此，若将此裁断面设为溅镀面4时，会使溅镀中瘤状物的产生量增加。

因此，如图3A、图3B所示，以裁断面相对于水平方向呈垂直的方式通过切线12裁断陶瓷11时，则不会朝相对于裁断方向呈垂直的方向对陶瓷11施加随陶瓷11的自重而生的压力。因此，可抑制微裂隙进入裁断面，将该裁断面设为溅镀面能够使溅镀中瘤状物的产生量降低。

在此，通过切线12裁断陶瓷11的速度v_c以0.5mm/分以上3.0mm/分以下为优选。若裁断速度v_c未满0.5mm/分，使加工所需的时间延长，生产效率显著降低。此外，若裁断速度v_c超过3.0mm/分，则使以研磨粒剥离陶瓷11时的冲击变强，易使微裂隙进入裁断面。

此外，切线12被送出的切线速度v_w以900m/分以上为优选。若切线速度v_w未满900m/分，会使裁断面的表面粗糙度Ra有变大的倾向，也使溅镀中瘤状物的产生有变多的倾向。切线速度v_w的上限根据装置的规格及切线12的强度等决定。

此外，切线12以使宽度L为0.25mm以上0.32mm以下的金刚石(diamond)等研磨粒电附着的固定研磨粒方式的线锯(wire saw)为优选。若宽度L未满0.25mm，切线12强度不足，易使切线12在加工中断线。此外，宽度L超过0.32mm时，使良率降低。例如，当欲制作预先设定尺寸及数量的靶材1时，必需将陶瓷11的规格放大。

另外，在上述的实施方式中，虽然制造装置16仅设置1条切线12，但也可设置2条以上。关于该情形，多条切线12以彼此呈平行的方式配置。

此外，在上述的实施方式中，虽然制造装置16设置有载置台13，但也可不设置载置台13。关于该情形，陶瓷11以与图3A、图3B同样的姿势，通过未图示的支持治具等加以支持。

此外，在上述的实施方式中，虽然陶瓷11的裁断通过陶瓷11的朝水平方向的移动加以进行，但未局限于此。例如，也可通过使陶瓷11朝垂直上升或下降移动使其裁断。

此外，在上述实施方式中，虽然陶瓷11的裁断通过陶瓷11自身的移动进行，但也可为通过相对于固定的陶瓷11使切线12移动而裁断的构成，或者也可为使陶瓷11及切线12双方都移动的构成。

接着，使用图4针对制造实施方式的靶材1的方法加以详细说明。图4为显示制造实施方式的靶材1的处理顺序的流程图。

如图4所示，首先，支持陶瓷11(步骤S11)。陶瓷11是以在陶瓷11的裁断中，不会朝相对于裁断方向呈垂直的方向被施加压力的方式被加以支持。

接着，将切线12的宽度L及裁断速度v_c设定于既定的范围后裁断陶瓷11(步骤S12)。使陶瓷11的长度及宽度成为既定尺寸的加工，可在通过线锯裁断前或裁断后实施。通过以上各步骤，完成实施方式的一系列的靶材1的制造。

如此，根据实施方式的靶材1的制造方法，能够将溅镀面4的表面粗糙度Ra以及形成于溅镀面4的裂隙5的最大深度，分别控制于既定的范围。因此，能够同时抑制溅镀中瘤状物的产生以及颗粒对溅镀膜的附着。

[实施例]

[实施例1]

将高度α为500mm、长度β为300mm、宽度γ为32mm的平板状ITO(In₂O₃：SnO₂＝9：1(质量比))的陶瓷11设置如图3A、图3B所示。此时，使由切线进行裁切的部分，以在陶瓷11的裁断中不会朝相对于陶瓷11的裁断方向呈垂直的方向施加压力的方式支持陶瓷11。将该陶瓷11通过以5.3mm的间隔并列配置5条的切线12进行裁断，制成6片厚度为5mm的靶材1。切线12为使用经电附着金刚石后的宽度L(研磨粒+切线12的直径)为0.25mm者。切线速度v_w设定为900m/分，裁断速度v_c设定为2.0mm/分。

量测经加工的靶材1的抗弯强度、裁断面(溅镀面4)的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max，再使用铟金属为接合材3使接合在铜制的底板2，制成以裁断面为溅镀面4的平板状靶。使用该平板状靶进行溅镀，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价。此外，针对附着于溅镀膜的颗粒个数进行计数。

另外，溅镀使用DC磁控溅镀。条件如下：背压：7.0×10^-5Pa、氩分压：4.0×10^-1Pa、氧分压：4.0×10^-5Pa、输出：300W(1.6W/cm2)、靶尺寸：外径203.2mm×厚度6mm。此外，拍摄溅镀后的靶材1的表面照片，使用影像分析软件(粒子分析Ver.3日铁住金科技株式会社制作)从拍摄所得的影像求出瘤状物的面积。从获得的瘤状物的面积，求得瘤状物的面积相对于靶材1的表面面积的比率(％)，以评价瘤状物的产生量。瘤状物的评价基准如以下所示。相对于供为溅镀靶的靶材1的面积的瘤状物所占面积的比率极少：0至未达0.3％、少：0.3至未达1.0％、中：1.0至未达2.0％、多：2.0％以上。

[实施例2]

除将陶瓷11的裁断速度v_c设3.0mm/分之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[实施例3]

除将陶瓷11的裁断速度v_c设0.5mm/分之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[实施例4]

除将γ设为32.5mm、切线12的宽度L设为0.32mm、切线12间的间隔设为5.4mm之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[实施例5]

除采用IGZO(In₂O₃：Ga₂O₃：ZnO＝1：1：2(莫尔比))作为陶瓷11之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[实施例6]

除采用AZO(ZnO：Al₂O₃＝98：2(质量比))作为陶瓷11之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例1]

除γ为6.5mm之外，将与使用在实施例1者相同的陶瓷11设置于平面研磨机，进行研磨加工使γ成为5.0mm以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。研磨中，采用以瓷器质作为结合剂的研磨粒粒度为#170的研磨石，且一次的切入深度设为10μm。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例2]

除γ为6.5mm之外，将与实施例5相同的陶瓷11设置于平面研磨机，进行研磨加工使γ成为5.0mm，以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。研磨中，采用以瓷器质作为结合剂的研磨粒粒度为#170的研磨石，且一次的切入深度设为10μm。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例3]

除γ为6.5mm之外，将与实施例6相同的陶瓷11设置于平面研磨机，进行研磨加工使γ成为5.0mm，以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。研磨中，采用以瓷器质作为结合剂的研磨粒粒度为#170的研磨石，且一次的切入深度设为10μm。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例4]

除将陶瓷11的裁断速度v_c设5.0mm/分之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例5]

除了以朝陶瓷11的厚度方向按压并加以保持以使朝相对于陶瓷11的裁断方向呈垂直方向对裁断中的陶瓷11施加压力之外，以和实施例1同样的方式制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例6]

将与使用在比较例1者相同的陶瓷11设置于平面研磨机，进行研磨加工使γ成为5.1mm为止。研磨中，采用以瓷器质作为结合剂的研磨粒粒度为#170的研磨石，且一次的切入深度设为10μm。接着，采用以树脂质作为结合剂的研磨粒粒度为#1000的研磨石，一次的切入深度设为2μm，进行研磨使γ成为5.0mm以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例7]

以和比较例6同样的方式对与使用在比较例2者相同的陶瓷11进行研磨以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例8]

以和比较例6同样的方式对与使用在比较例3者相同的陶瓷11进行研磨以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例9]

除采用以瓷器质作为结合剂的研磨粒粒度为#80的研磨石之外，以和比较例1同样的方式进行研磨以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例10]

以和比较例9同样的方式对与使用在比较例2者相同的陶瓷11进行研磨以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

[比较例11]

以和比较例9同样的方式对与使用在比较例3者相同的陶瓷11进行研磨以制作靶材1，量测抗弯强度、裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用该靶材1以和实施例1同样的方式制作平板状靶，进而使用该平板状靶以与实施例1同样的方式进行溅镀。接着，针对附着于靶材1的瘤状物的程度加以评价，并且计数附着于溅镀膜的颗粒个数。

表1至表3显示根据实施例1至比较例11所获得的结果。另外，分别在表1中使用ITO、在表2中使用IGZO、在表3中使用AZO作为陶瓷11。

此外，各表中，靶材1的抗弯强度为测量由切线12所裁断的6片靶材1中除两端外的4片靶材1的平均值。此外，裁断面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max，是通过裁断所形成的10面裁断面的平均值。此外，平板状靶，采用6片靶材1中的两端者制作2个，瘤状物及颗粒的个数为由该2个平板状靶的结果的平均值。另外，针对进行由研磨石的研磨加工取代由切线12的裁断的比较例，也制作4个靶材1及2个平板状靶，量测结果使用平均值。

[表1]

[表2]

[表3]

进一步的效果及变形例，可由本发明领域技术人员容易导出。故此，本发明的更广泛形式，并不限定为如上所示及记载的特定的详细及代表性实施方式。故此，不脱离根据检附的权利要求书及其均等物所定义的概括的发明概念精神或范围，能够进行各种的变更。