本发明涉及沉积源、包括该沉积源的沉积装置以及利用沉积装置的显示装置制造方法。
背景技术：
在发光显示装置之中，有机发光显示装置作为自发光型显示器件，其不仅具有视角宽、对比度优秀的优点，而且还具有响应速度快的优点，因此作为下一代显示装置而备受瞩目。
有机发光显示装置包括在阳极电极与阴极电极之间由有机发光物质构成的发光层。随着阳极电压和阴极电压分别施加到这些电极，从阳极电极注入的空穴(hole)经由空穴注入层和空穴传输层移动至发光层，而电子从阴极电极经由电子注入层和电子传输层移动至发光层，从而使得电子与空穴在发光层中复合。通过这种复合生成激子(exiton)，并且随着该激子从激发态变化至基态而从发光层放射出光，从而显示图像。
有机发光显示装置包括像素限定膜，其中该像素限定膜具有开口部以暴露以像素为单位形成的阳极电极，并且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极电极形成在通过该像素限定膜的开口部暴露的阳极电极上。其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可通过各种方法形成，其中一种方式为沉积方法。
技术实现要素：
另外，用于执行沉积方法的沉积装置具有至少一个沉积源，其中，该至少一个沉积源包括存储沉积物质的坩埚、加热坩埚的加热器、以及收纳坩埚和加热器的壳体。
通常，利用这样的一个沉积源执行将沉积物质沉积到大型衬底上的工艺。然而，在大型衬底的型号发生变化时，需要改变沉积源。在这种情况下，可能因改变沉积源而导致操作繁琐，并且可能因改变沉积源而需要追加额外的工艺。
对此，本发明所要解决的技术问题在于提供能够在大型衬底的型号发生变化时在无需改变沉积源的情况下对大型衬底进行沉积的沉积源。
此外，本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种沉积装置，其包括能够在大型衬底的型号发生变化时在无需改变沉积源的情况下对大型衬底进行沉积的沉积源。
此外，本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种显示装置制造方法，所述方法采用的沉积装置包括能够在大型衬底的型号发生变化时在无需改变沉积源的情况下对大型衬底进行沉积的沉积源。
本发明的技术问题并不限于上述提及的技术问题，本领域技术人员通过下面的记载能够明确地理解未提及的技术问题或其他技术问题。
为了达成所述技术问题，根据本发明一实施方式的沉积源包括坩埚、多个加热器、多个喷嘴部以及壳体，其中，所述多个坩埚收容沉积物质，所述多个加热器包裹所述多个坩埚中的各坩埚并且所述多个加热器被独立地驱动以选择性地加热所述多个坩埚中的至少一个坩埚，所述多个喷嘴部覆盖所述多个坩埚中的各坩埚并且包括至少一个喷嘴，并且所述壳体收容所述多个坩埚、所述多个喷嘴部以及所述多个加热器。
此外，所述沉积源还可包括形成于所述壳体内部以分离出收容所述多个坩埚中的各坩埚的空间的多个间隔壁。
收容于所述多个坩埚中的各坩埚中的沉积物质可相同。
为了达成所述另一技术问题，根据本发明一实施方式的沉积装置包括沉积腔室、第一沉积源、第一图案掩模组件、第二沉积源以及第二图案掩模组件，其中，所述第一沉积源布置于所述沉积腔室的内部并且包括沿着与第一方向交叉的第二方向排列的多个沉积部，并且所述第一沉积源被驱动成使得所述多个沉积部中的至少一个沉积部选择性地排放沉积物质，所述第一图案掩模组件在所述第一沉积源上方布置成与所述第一沉积源的多个沉积部中的至少一个沉积部相对应，所述第二沉积源在所述沉积腔室的内部布置成沿着所述第一方向与所述第一沉积源相隔开，所述第二沉积源包括沿着所述第二方向排列的多个沉积部，并且所述第二沉积源被驱动成使得所述多个沉积部中的至少一个沉积部选择性地排放沉积物质，所述第二图案掩模组件在所述第二沉积源上方布置成与所述第二沉积源的多个沉积部中的、在所述第二方向上位于与所述第一图案掩模组件不同的位置处的至少一个沉积部相对应。
所述第一沉积源的多个沉积部和所述第二沉积源的多个沉积部中的各沉积部可包括收容沉积物质的坩埚、包裹所述坩埚并加热所述坩埚的加热器、覆盖所述坩埚并且包括至少一个喷嘴的喷嘴部，其中，所述第一沉积源的多个沉积部和所述第二沉积源的多个沉积部中的各沉积部的驱动可通过选择性地驱动所述第一沉积源的多个沉积部和所述第二沉积源的多个沉积部中的各沉积部的加热器来执行。
此外，所述沉积装置还可包括阻断板，所述阻断板布置在所述第一图案掩模组件与所述第一沉积源之间位于与不重叠于所述第一图案掩模组件的至少一个沉积部相对应的位置处，以及布置在所述第二图案掩模组件与所述第二沉积源之间位于与不重叠于所述第二图案掩模组件的至少一个沉积部相对应的位置处。
所述第一沉积源的所述沉积物质与所述第二沉积源的所述沉积物质可相同。
所述第二沉积源可配置成在利用所述第一沉积源排放所述沉积物质之后排放所述沉积物质。
在所述第二方向上，所述第一图案掩模组件的长度可比所述第一沉积源的长度短。
在所述第二方向上，所述第二图案掩模组件的长度可比所述第二沉积源的长度短。
所述第一图案掩模组件和所述第二图案掩模组件可布置成与沿着所述第一方向引入到所述沉积腔室内部的衬底相隔开。
为了达成所述又一技术问题，根据本发明一实施方式的显示装置制造方法包括：在包括沿着与第一方向交叉的第二方向排列的多个沉积部的第一沉积源的上方，将第一图案掩模组件布置成与所述第一沉积源的多个沉积部中的至少一个沉积部相对应；在沉积腔室的内部，在沿着所述第一方向与所述第一沉积源相隔开并且包括沿着所述第二方向排列的多个沉积部的第二沉积源的上方，将第二图案掩模组件布置成与所述第二沉积源的多个沉积部中的、在所述第二方向上位于与所述第一图案掩模组件不同的位置处的至少一个沉积部相对应；在所述沉积腔室的内部，在沿着所述第一方向移动定义有多个衬底区域的衬底的同时，通过所述第一沉积源朝着所述衬底侧排放沉积物质以使得穿过所述第一图案掩模组件的沉积物质在相应衬底区域上形成图案层；以及在沿着所述第一方向移动所述衬底的同时，通过所述第二沉积源朝着所述衬底侧排放沉积物质以使得穿过所述第二图案掩模组件的沉积物质在相应衬底区域上形成图案层。
所述图案层可包括发光显示装置的空穴传输层和发光层中的至少一个。
所述第一沉积源的所述沉积物质与所述第二沉积源的所述沉积物质可相同。
利用所述第二沉积源排放所述沉积物质的步骤可在利用所述第一沉积源排放所述沉积物质的步骤之后执行。
在所述第二方向上，所述第一图案掩模组件的长度可比所述第一沉积源的长度短。
在所述第二方向上，所述第二图案掩模组件的长度可比所述第二沉积源的长度短。
所述第一图案掩模组件和所述第二图案掩模组件可布置成与沿着所述第一方向引入到所述沉积腔室内部的衬底相隔开。
其他实施方式的具体事项包含在详细说明和附图中。
通过本发明的实施方式至少实现如下效果。
通过根据本发明一实施方式的沉积源，能够在大型衬底的型号发生变化时在不改变沉积源的情况下对大型衬底进行沉积。
根据本发明的效果并不限于上面所示例的内容，并且更加多样的效果被包含在本说明书中。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的沉积源的结构图。
图2是图1的i-i'线的剖视图。
图3是示意性示出适用根据本发明一实施方式的沉积源的沉积装置的系统结构图。
图4是示意性示出图3的第一沉积腔室的平面图。
图5是示出图4的开放式掩模组件的立体图。
图6是示意性示出图4的第一沉积腔室的内部结构的立体图。
图7是示意性示出图4的第一沉积腔室的内部结构的剖视图。
图8是示意性示出图3的第三沉积腔室的平面图。
图9是图8的第一图案掩模组件的立体图。
图10是示意性示出图8的第三沉积腔室的内部结构的立体图。
图11是示意性示出图8的第三沉积腔室的内部结构的剖视图。
图12是示出利用根据本发明一实施方式的沉积装置沉积的衬底的剖视图。
图13是利用根据本发明一实施方式的沉积装置制造的发光显示装置的剖视图。
图14是示意性示出根据本发明另一实施方式的沉积装置中的第三沉积腔室的平面图。
具体实施方式
参照下文中结合随附的附图详细描述的实施方式，本发明的优点和特征以及实现该优点和特征的方法将变得明确。然而，本发明并不受限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为彼此不同的多种形态。本实施方式只是为了使得本发明的公开完整，并且为了将本发明范围完整地传递给本发明所属技术领域的普通技术人员而提供的。本发明仅通过权利要求书的范围来限定。
当元件(element)或层被称为位于其他元件或层“上(on)”时，该元件或层直接位于其他元件或层上，或者在中间插入有其他层或其他元件。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的构成要素。
虽然第一、第二等措辞用于描述多种构成要素，但是这些构成要素并不受这些措辞限制。这些措辞仅仅用于将一个构成要素与其他构成要素区分开。因此，在不背离本发明的技术思想的情况下，下文中所提及的第一构成要素也可称为第二构成要素。
下面，将参照附图对本发明实施方式进行说明。
图1是根据本发明一实施方式的沉积源的结构图，并且图2是图1的i-i'线的剖视图。
参照图1和图2，根据本发明一实施方式的沉积源231可包括多个坩埚237、多个加热器238、多个喷嘴部239、以及壳体235。此外，根据本发明一实施方式的沉积源231可包括多个间隔壁236。
多个坩埚237沿着第二方向y排列，并且各坩埚237配置成暴露上部并在其内部收容沉积物质dm。各坩埚237的沉积物质dm可相同。
多个加热器238中的各加热器配置成包裹并加热多个坩埚237中的各坩埚。这种多个加热器238对多个坩埚237进行加热以使得收容于多个坩埚237中的沉积物质dm气化并沉积到待形成薄膜的衬底(未示出)上。多个加热器238中的各加热器可为如发热线圈的装置，但并不受这种结构限定。
另外，多个加热器238可被独立驱动以选择性地对多个坩埚237中的至少一个坩埚进行加热。这种驱动可通过控制部(未示出)来控制。当如上所述地通过独立地驱动多个加热器238以选择性地对多个坩埚237进行加热时，可将沉积物质dm选择性地沉积到期望沉积的衬底(未示出)上。因此，在衬底的型号发生变化的情况下也可将沉积物质dm沉积到衬底的期望位置处。
多个喷嘴部239中的各喷嘴部可覆盖多个坩埚237中的各坩埚，并且可包括开口形态的至少一个喷嘴239a以将气化的沉积物质dm沉积到所述衬底上。
壳体235配置成暴露上部并且收容多个坩埚237、多个加热器238和多个喷嘴部239。
多个间隔壁236形成为在壳体235的内部分离出收容多个坩埚237中的各坩埚的空间。在选择性对坩埚237进行加热时，多个间隔壁236可防止热传递至相邻的坩埚。这种多个间隔壁236的内部可配置成能够供冷却水流动。例如，多个间隔壁236的内部可内置有冷却管，其中冷却管提供供冷却水流动的路径。虽然在图2中示出了多个间隔壁236设置成与壳体235分离开的形态，但是多个间隔壁236也可与壳体235形成为一体。另外，设置在由间隔壁236分离开的一个空间中的坩埚237、加热器238和喷嘴部239可被区分为一个沉积部。由此，沉积源231可包括多个沉积部，例如，从壳体235的一侧朝着另一侧排列的第一沉积部231a、第二沉积部231b、第三沉积部231c、第四沉积部231d、第五沉积部231e和第六沉积部231f。虽然在图1和图2中示出了多个沉积部为六个的实施例，但是本发明并不受这种数量限定。
如上所述，根据本发明一实施方式的沉积源231包括多个加热器238，其中多个加热器238独立驱动以选择性地对多个坩埚237中的至少一个坩埚进行加热，因此能够将沉积物质dm选择性地沉积到期望沉积的衬底(未示出)上。
因此，在衬底的型号发生变化的情况下也可将沉积物质dm沉积到衬底的期望位置处。
图3是示意性示出适用根据本发明一实施方式的沉积源的沉积装置的系统结构图。
参照图3，适用根据本发明一实施方式的沉积源231的沉积装置500包括装载部100、沉积部200和卸载部300。
装载部100配置成堆积执行沉积之前的多个衬底s。堆积在装载部100中的多个衬底s中某一衬底s可利用如静电托盘的载体c来支承并被移动至沉积部200。载体c可沿着图3的第一方向x和与第一方向x交叉的第二方向y移动。衬底s可为用于显示装置的衬底，并且可适用大面积衬底，如限定有用于形成多个显示装置的多个衬底区域的母玻璃(motherglass)。虽然在图3中用点划线在衬底s上表示的六个区域s1～s6表示待形成六个显示装置的衬底区域，但是衬底s并不受这种数量限定。
沉积部200配置成可执行将沉积物质沉积到衬底s上的工艺。沉积部200可包括至少一个沉积腔室，例如，沿着第一方向x排列的第一沉积腔室210、第二沉积腔室220、第三沉积腔室230、第四沉积腔室240、第五沉积腔室250、第六沉积腔室260和第七沉积腔室270。第一沉积腔室210、第六沉积腔室260和第七沉积腔室270可为用于形成公共层的沉积腔室，并且第二沉积腔室220、第三沉积腔室230、第四沉积腔室240和第五沉积腔室250可为用于形成图案层的沉积腔室，其中，公共层为通过将沉积物质沉积到衬底s上来形成的、无额外的图案结构的薄膜，而图案层为通过将沉积物质沉积到衬底s上来形成的、具有特定图案的薄膜。但是本发明并不限于此。将在下文中对沉积部200进行详细说明。
卸载部300配置成从载体c分离已经过沉积部200的衬底s并堆积从载体c分离的衬底s。堆积在卸载部300中的衬底s可处于待机状态以执行其他工艺。
下面，将第一沉积腔室210和第三沉积腔室230作为示例对沉积部200进行详细说明。
图4是示意性示出图3的第一沉积腔室的平面图，图5是示出图4的开放式掩模组件的立体图，图6是示意性示出图4的第一沉积腔室的内部结构的立体图，并且图7是示意性示出图4的第一沉积腔室的内部结构的剖视图。
参照图4至图7，第一沉积腔室210提供用于将沉积物质沉积到衬底s上以形成公共层的空间。第一沉积腔室210可在将沉积物质沉积到衬底s上时保持真空状态。第一沉积腔室210的内部可布置有至少一个沉积源212、213和开放式掩模组件oma。
开放式掩模组件oma可固定地布置在第一沉积腔室210的内部中的一区域处。开放式掩模组件oma的第二方向y上的长度与在利用载体c引入到第一沉积腔室210内部的衬底s沿着第一方向x移动时衬底s的第二方向y上的长度大致相似。开放式掩模组件oma可包括开放式掩模om和框架fr。开放式掩模om可形成为限定掩模开口op1的环形状。框架fr作为支承开放式掩模om的部件，其可与开放式掩模om相对应地形成为限定框架开口op2的环形状。在引入到第一沉积腔室210内部的衬底s沿着第一方向x移动时，开放式掩模组件oma与衬底s保持一定的相隔间距。开放式掩模组件oma与衬底s的一定的相隔间距可通过在开放式掩模组件oma的下方支承开放式掩模组件oma的掩模台st1与载体c的对齐动作来控制。
在衬底s上形成无图案结构的公共层时，包括开放式掩模om和框架fr的这种开放式掩模组件oma可防止沉积物质泄漏至不必要的区域。
沉积源212固定地布置在开放式掩模组件oma的下方，并且可在第一沉积腔室210中保持与开放式掩模组件oma的相隔间距的同时将沉积物质212c排放到沿着第一方向x移动的衬底s侧。由此，可在衬底s整体上形成无图案结构的公共层。例如，在衬底s为用于发光显示装置的衬底的情况下，空穴注入层(图12的30)可形成在形成于衬底s上的像素限定膜(图12的20)的整个表面上，而与像素无关。
具体地，沉积源212可包括供沉积物质212c填充于其内部的坩埚212a、布置成包裹坩埚212a并且对坩埚212a进行加热以使得沉积物质212c气化的加热器212b、布置在坩埚212a的上方并且使得沉积源喷嘴212e朝着衬底s侧的喷嘴部212d、以及收容坩埚212a、加热器212b和喷嘴部212d的壳体212f。在第二方向y上，沉积源212的长度可与开放式掩模组件oma的长度相似。
沉积源213配置成与沉积源212相同，并且布置成沿着第一方向x与沉积源212相隔开。沉积源213与沉积源212一同朝着衬底s侧排放用于形成公共层的沉积物质。若通过沉积源212的沉积物质212c足以在衬底s上形成公共层时，也可省略沉积源213。
图8是示意性示出图3的第三沉积腔室的平面图，图9是图8的第一图案掩模组件的立体图，图10是示意性示出图8的第三沉积腔室的内部结构的立体图，并且图11是示意性示出图8的第三沉积腔室的内部结构的剖视图。
参照图8至图11，第三沉积腔室230提供将沉积物质沉积到衬底s上以形成图案层的空间。第三沉积腔室230可在将沉积物质沉积到衬底s上时保持真空状态。第三沉积腔室230的内部可布置有至少一个沉积源231、232和至少一个图案掩模组件pma1、pma2、pma3。在本实施方式中提供了第三沉积腔室230的内部布置有两个沉积源(即，第一沉积源231和第二沉积源232)的示例。此外，提供了第三沉积腔室230的内部布置有三个图案掩模组件(即，第一图案掩模组件pma1、第二图案掩模组件pma2和第三图案掩模组件pma3)的示例。
第一沉积源231除了在用词上与图1和图2的沉积源231不同以外，其具有与图1和图2的沉积源231的结构相同的结构。也就是说，第一沉积源231可包括多个沉积部，例如，第一沉积部231a、第二沉积部231b、第三沉积部231c、第四沉积部231d、第五沉积部231e和第六沉积部231f。
这种第一沉积源231布置成沿着第二方向y排列多个沉积部231a～231f，其中，第二方向y与作为衬底s在第三沉积腔室230中的移动方向的第一方向x交叉。
在沿着第一方向x移动的衬底s的衬底区域s1～s6之中，如果沿着第二方向y将第一衬底区域称为s1和s4，将第二衬底区域称为s2和s5，并且将第三衬底区域称为s3和s6，则第一沉积源231配置成将沉积物质dm选择性地排放到第一衬底区域s1、s4和第三衬底区域s3、s6，为此可通过控制部(未示出)驱动第一沉积部231a、第二沉积部231b、第五沉积部231e和第六沉积部231f。也就是说，第一沉积部231a、第二沉积部231b、第五沉积部231e和第六沉积部231f的驱动可通过使第一沉积部231a、第二沉积部231b、第五沉积部231e和第六沉积部231f各自的加热器238对坩埚237进行加热以使得沉积物质dm气化来执行。
另外，在衬底s的衬底区域定义为图8的s1、s2、s4和s5的情况下，在衬底s的衬底区域s1、s2、s4、s5之中，如果沿着第二方向y将第一衬底区域称为s1和s4，并且将第二衬底区域称为s2和s5，则第一沉积源231配置成将沉积物质dm选择性地排放到第一衬底区域s1、s4，并且为此可通过控制部(未示出)驱动第一沉积部231a和第二沉积部231b。即，第一沉积部231a和第二沉积部231b的驱动可通过使第一沉积部231a和第二沉积部231b各自的加热器238对坩埚238进行加热以使得沉积物质dm气化来执行。
第二沉积源232布置成沿着第一方向x与第一沉积源231相隔开，并且具有与第一沉积源231的结构相同的结构。只是，第二沉积源232可配置成在利用第一沉积源231排放沉积物质dm之后排放沉积物质。第二沉积源232的沉积物质可与第一沉积源231的沉积物质dm相同。
第二沉积源232可包括多个沉积部，例如，第一沉积部232a、第二沉积部232b、第三沉积部232c、第四沉积部232d、第五沉积部232e和第六沉积部232f。这种第二沉积源232布置成沿着第二方向y排列多个沉积部232a～232f，其中，第二方向y与作为衬底s在第三沉积腔室230中的移动方向的第一方向x交叉。
第二沉积源232配置成将沉积物质(图1的dm)选择性地排放到在第一方向x上移动的衬底s的衬底区域s1～s6中的第二衬底区域s2、s5，并且为此可通过控制部(未示出)驱动第三沉积部232c和第四沉积部232d。即，第三沉积部232c和第四沉积部231d的驱动可通过使第三沉积部232c和第四沉积部232d各自的加热器238对坩埚237进行加热以使得沉积物质气化来执行。
另外，在衬底s的衬底区域定义为图8的s1、s2、s4、s5的情况下，第二沉积源232配置成将沉积物质选择性地排放到衬底s的衬底区域s1、s2、s4、s5中的第二衬底区域s2、s5，并且为此可通过控制部(未示出)驱动第三沉积部232c和第四沉积部232d。即，第三沉积部232c和第四沉积部232d的驱动可通过使第三沉积部232c和第四沉积部232d各自的加热器238对坩埚237进行加热以使得沉积物质气化来执行。
第一图案掩模组件pma1在第一沉积源231的上方布置成与多个沉积部231a～231f中的至少一个沉积部(例如，第一沉积部231a和第二沉积部231b)相对应。在第二方向y上，第一图案掩模组件pma1的长度比第一沉积源231的长度短，并且可与衬底s的第一衬底区域s1或s4的长度大致相似。在若干实施方式中，在第二方向y上，第一图案掩模组件pma1的长度也可比第一沉积源231的长度长。第一图案掩模组件pma1可包括第一图案掩模pm1和第一框架fr1。
第一图案掩模pm1可配置成包括多个金属板(例如，多个条状本体)，其中多个金属板包括与衬底s的第一衬底区域s1或s4中的像素相对应的沉积开口dp。沉积开口dp可布置成与形成有红色发光层的红色像素相对应以在衬底s的第一衬底区域s1或s4中形成图案层，例如，红色发光层。
第一框架fr1作为支承第一图案掩模pm1的部件，其可具有暴露第一图案掩模pm1的沉积开口dp的框架开口。在引入到第三沉积腔室230内部的衬底s沿着第一方向x移动时，第一图案掩模组件pma1保持与衬底s的一定的相隔间距。第一图案掩模组件pma1与衬底s的一定的相隔间距可通过在第一图案掩模组件pma1的下方支承第一图案掩模组件pma1的掩模台st2与载体c的对齐动作来控制。
在通过第一沉积源231将沉积物质排放到沿着第一方向x移动的衬底s侧时，包括第一图案掩模pm1和第一框架fr1的这种第一图案掩模组件pma1可在衬底s的第一衬底区域s1、s4的特定部分处形成图案层，例如，在发光显示装置中在红色像素处形成红色发光层。
第二图案掩模组件pma2在第二沉积源232的上方布置成与多个沉积部232a～232f中在第二方向y上位于与第一图案掩模组件pma1不同位置处的至少一个沉积部(例如，第三沉积部232c和第四沉积部232d)相对应。第二图案掩模组件pma2的第二方向y上的长度比第二沉积源232的第二方向y上的长度短，而与衬底s的第二衬底区域s2或s5的长度大致相似。在若干实施方式中，在第二方向y上，第二图案掩模组件pma2的长度可比第二沉积源232的长度长。第二图案掩模组件pma2可形成为与第一图案掩模组件pma1的图案相同的图案。
在通过第二沉积源232将沉积物质排放到沿着第一方向x移动的衬底s侧时，这种第二图案掩模组件pma2可在衬底s的第二衬底区域s2、s5的特定部分处形成图案层，例如，在发光显示装置中在红色像素处形成红色发光层。
第三图案掩模组件pma3在第一沉积源231的上方布置成与第五沉积部231e和第六沉积部231f相对应。第三图案掩模组件pma3可形成为与第一图案掩模组件pma1的图案相同的图案。
在通过第一沉积源231朝着在第一方向x上移动的衬底s侧排放沉积物质时，这种第三图案掩模组件pma3可在衬底s的第三衬底区域s3、s6的特定部分处形成图案层，例如，在发光显示装置中在红色像素处形成红色发光层。
另外，沉积源231、232与衬底s之间可布置有阻断板233。阻断板233可在第一图案掩模组件pma1和第三图案掩模组件pma3与第一沉积源231之间布置在与第一图案掩模组件pma1和第三图案掩模组件pma3不重叠的至少一个沉积部相对应的位置处、以及在第二图案掩模组件pma2与第二沉积源232之间布置在与第二图案掩模组件pma2不重叠的至少一个沉积部相对应的位置处。
在本发明实施方式中，阻断板233可布置在第一沉积源231的第三沉积部231c和第四沉积部231d的上方以在衬底s在第一沉积源231的上方移动时防止沉积物质dm沉积到第二衬底区域s2、s5。此外，阻断板233可布置在第二沉积源232的第一沉积部232a、第二沉积部232b、第五沉积部232e和第六沉积部232f的上方以在衬底s在第二沉积源232的上方移动时防止沉积物质dm沉积到第一衬底区域s1、s4和第三衬底区域s3、s6。虽然在图10中阻断板233示出为板状形态，但是本发明并不受这种形状限定。
如上所述，适用根据本发明一实施方式的沉积源231的沉积装置包括独立驱动以选择性地排放沉积物质dm的多个沉积部231a～231f，因此能够在衬底s中期望沉积沉积物质dm的衬底区域上选择性地进行沉积。
因此，在衬底s上所限定的衬底区域的型号发生变化的情况下，也能够在衬底s中所期望的衬底区域中沉积出所期望形态的沉积物质dm。
下面，参照图3至图12对根据本发明一实施方式的利用沉积装置500的显示装置制造方法进行说明。
图12是示出根据本发明一实施方式的利用沉积装置沉积的衬底的剖视图。
对于显示装置的制造方法而言，将发光显示装置的制造方法作为示例进行说明。此外，将对发光显示装置的制造方法中的形成公共层(例如，空穴注入层30)和图案层(例如，发光层50)的过程进行说明。
首先，参照图4和图7，将通过载体c支承的衬底s引入到第一沉积腔室210内部，并且在使得衬底s在布置于沉积源212、213上方的开放式掩模组件oma的上方沿着第一方向x移动的同时，利用沉积源212、213朝着衬底s侧排放气化的沉积物品。
此时，如图12中所示，在包括以像素为单位形成的第一电极10的衬底(图4的s)上，空穴注入层30与像素无关地形成在以包括暴露第一电极10的像素开口21的方式形成的像素限定膜20的整个表面上。图12中仅示出了衬底(图4的s)中的衬底区域s1和衬底区域s5。衬底(图4的s)的衬底区域s1～s6可通过后续的切割工艺来个体化，并且衬底区域s1可成为一个发光显示装置的衬底，并且衬底区域s5可成为又一个发光显示装置的衬底。
接着，参照图8至图11，将通过载体c支承的衬底s引入到第三沉积腔室230内部，并且在使得衬底s在布置于第一沉积源231上方的图案掩模组件pma1、pma3上方沿着第一方向x移动的同时，利用第一沉积源231朝着衬底s侧排放气化的沉积物质以使得气化的沉积物质穿过图案掩模组件pma1、pma3。
此时，如图12中所示，发光层50在衬底(图8的s)中的衬底区域s1、s4、s3、s6的空穴注入层30上形成在形成于像素限定膜20的像素开口21内部的空穴传输层40上。图12中所示的发光层50可为布置在红色像素处的红色发光层。
返回参照图8至图11，在使得由载体c支承的衬底s在布置于第二沉积源232上方的第二图案掩模组件pma2上方沿着第一方向x移动的同时，利用第二沉积源232朝着衬底s侧排放气化的沉积物质以使得气化的沉积物质穿过第二图案掩模组件pma2。
此时，如图12中所示，发光层50在衬底(图8的s)中的衬底区域s2、s5的空穴注入层30上形成在形成于像素限定膜20的像素开口21内部的空穴传输层40上。图12中所示的发光层50可为布置在红色像素处的红色发光层。
另外，虽未图示，但是在形成发光层50之前，空穴传输层40通过与形成发光层50的方法相同的方式形成。此外，虽然在上文中对发光层50为红色发光层的情况进行了说明，但是发光层也可为布置在绿色像素处的绿色发光层和布置在蓝色像素处的蓝色发光层。红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层各自可形成在沉积腔室中的各沉积腔室中。此外，虽未图示，但是在发光层50形成之后，电子传输层60、电子注入层70和第二电极90可通过与形成空穴注入层30的方法相同的方式形成。
图13是根据本发明一实施方式的利用沉积装置制造的发光显示装置的剖视图。
参照图13，根据本发明一实施方式的利用沉积装置制造的发光显示装置包括衬底5、第一电极10、像素限定膜20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70和第二电极80。
衬底5可由透明的绝缘性物质形成。例如，衬底5可由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成。衬底5可为平坦的板状。根据若干实施方式，衬底5可由容易由外力弯曲的材料形成。衬底5可支承布置在衬底5上的其他结构。虽未图示，但是衬底5可包括多个薄膜晶体管。多个薄膜晶体管中的至少一部分薄膜晶体管的漏电极可与第一电极10电气连接。
第一电极10可以各像素为单位布置在衬底5上。第一电极10可为接收施加到薄膜晶体管的漏电极的信号并向发光层50提供空穴的阳极电极或者提供电子的阴极电极。
第一电极10可使用为透明电极、反射电极或半透射电极。当第一电极10使用为透明电极时，第一电极10可由铟锡氧化物(indiumtinoxide；ito)、铟锌氧化物(indiumzincoxide；izo)、锌氧化物(zincoxide；zno)或in2o3形成。当第一电极10使用反射电极时，第一电极10可通过在由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及它们的化合物等形成反射膜后在其上形成ito、izo、zno或in2o3来构成。当第一电极10使用为半透射电极时，第一电极10可通过在由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及它们的化合物等以薄的厚度形成反射膜之后在其上形成ito、izo、zno或in2o3来构成。第一电极10可通过光刻方法形成，但并不限于此。
像素限定膜20布置在衬底5上并且具有暴露第一电极10的开口部21，并且在衬底5上划分各个像素。像素限定膜20可由绝缘物质构成。例如，像素限定膜20可配置成包括选自苯并环丁烯(benzocyclobutene；bcb)、聚酰亚胺(polyimide；pi)、聚酰胺(polyamide；pa)、丙烯酸树脂和酚醛树脂等中的至少一种有机物质。作为另一示例，像素限定膜20也可配置成包括如硅氮化物等的无机物质。像素限定膜20可通过光刻工艺形成，但并不限于此。
空穴注入层30形成在通过像素限定膜20的开口部21暴露的第一电极10上，其也可形成为覆盖像素限定膜20的整体。空穴注入层30作为降低第一电极10与空穴传输层40之间的势垒的缓冲层，其起到使得从第一电极10提供的空穴容易注入到空穴传输层40中的作用。空穴注入层30可由例如4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯氨(mtdata(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine))、铜酞菁(cupc(copperphthalocyanine))或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩，聚苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss(poly(3,4-ethylenedioxythiophene,polystyrenesulfonate)))等的有机化合物构成，但并不限于此。
空穴传输层40形成在空穴注入层30上。空穴传输层40起到将通过空穴注入层30提供的空穴传递至发光层50的作用。这种空穴传输层40可由例如n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(tpd(n,n'-diphenyl-n,n'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine))或n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb(n,n'-di(naphthalene-1-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine))等的有机化合物构成，但并不限于此。
发光层50形成在空穴传输层40上。发光层50通过使从第一电极10提供的空穴与从第二电极80提供的电子复合来发光。更详细地，当空穴和电子提供至发光层50时，空穴与电子结合从而生成激子，而这种激子在从激发态变化至基态的同时放射光。这种发光层50可包括放射红色的红色发光层、放射绿色的绿色发光层以及放射蓝色的蓝色发光层。
所述红色发光层可形成为包括一种红色发光物质、或者包括主体和红色掺杂物。所述红色发光层的主体可使用例如三(8-羟基喹啉)铝(alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium))、4,4'-n,n'-二咔唑-联苯(cbp(4,4'-n,n'-dicarbazol-biphenyl))、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk(ploy(n-vinylcarbazole)))、9,10-二(萘-2-基)蒽(and(9,10-di(naphthyl-2-yl)anthracene))、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi(1,3,5-tris(n-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene))、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene))、联苯乙烯亚芳基(dsa(distyrylarylene))等，但并不限于此。此外，所述红色掺杂物可利用ptoep、ir(piq)3、btp2ir(acac)等，但并不限于此。
所述绿色发光层可形成为包括一种绿色发光物质、或者包括主体和绿色掺杂物。此外，所述绿色掺杂物可利用ir(ppy)3、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3等，但并不限于此。
所述蓝色发光层可形成为包括一种蓝色发光物质、或者包括主体和蓝色掺杂物。所述红色发光层的主体可使用作为所述蓝色发光层的主体。此外，所述蓝色掺杂物可利用f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)、ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)、4,4'-双(4-二对甲苯基氨基苯乙烯基)联苯(dpavbi(4,4'-bis(4-di-p-tolylaminostyryl)biphenyl))、2,5,8,11-四叔丁基二萘嵌苯(tbpe(2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene))等，但并不限于此。
电子传输层60形成在发光层50上，并且起到将从第二电极80提供的电子传输至发光层50的作用。这种电子传输层60可使用有机化合物例如4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline))、双(2-甲基-8-羟基喹啉)4-苯基苯酚铝(iii)(balq(aluminum(iii)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate))、三(8-羟基喹啉)铝(alq3(tris(8-quinolinolato)aluminum))、铍双(10-羟基苯并喹啉)(bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi(1,3,5-tris(n-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene))等的材料，但并不限于此。
电子注入层70形成在电子传输层60上，并且作为降低电子传输层60与第二电极80之间的势垒的缓冲层，其起到使得从第二电极80提供的电子容易注入到电子传输层60的作用。这种电子注入层70可由例如lif或csf等形成，但并不限于此。
第二电极80可布置在电子注入层70的上方。第二电极80可由与第一电极10的材质相同的材质形成，但并非必须限于此。根据若干实施方式，第二电极80可为布置在包括于发光显示装置中的多个像素上的公共电极。根据若干实施方式，第二电极80也可布置在电子注入层70的上方和像素限定膜20的上方的整个表面上。发光层50的发光可通过在第一电极10与第二电极80之间流动的电流来控制。
下面，将对根据本发明另一实施方式的沉积装置进行说明。
图14是示意性示出根据本发明另一实施方式的沉积装置中的第三沉积腔室的平面图。
除了第三沉积腔室430不同以外，根据本发明另一实施方式的沉积装置与图3的沉积装置相同。因此，对于根据本发明另一实施方式的沉积装置而言，将仅对第三沉积腔室430进行详细说明。
参照图14，第三沉积腔室430与图8的第三沉积腔室230相似。然而，布置在第三沉积腔室430内部的第一沉积源431和第二沉积源432的驱动以及第一图案掩模组件pma11和第二图案掩模组件pma12的结构与图8相异。
第一沉积源431具有与图1和图2的沉积源231的结构相同的结构。即，第一沉积源431可包括多个沉积部，例如，第一沉积部431a、第二沉积部431b、第三沉积部431c、第四沉积部431d、第五沉积部431e和第六沉积部431f。
在沿着第一方向x移动的衬底s的衬底区域s11～s14之中，如果沿着第二方向y将第一衬底区域称为s11和s13并且将第二衬底区域称为s12和s14，则这种第一沉积源431配置成将沉积物质dm选择性地排放到第一衬底区域s11、s13，并且为此可通过控制部(未示出)驱动第一沉积部431a、第二沉积部431b和第三沉积部431c。即，第一沉积部431a、第二沉积部431b和第三沉积部431c的驱动可通过第一沉积部431a、第二沉积部431b和第三沉积部431c各自的加热器238对坩埚237进行加热以使得沉积物质dm气化来执行。
第二沉积源432布置成沿着第一方向x与第一沉积源431相隔开，并且具有与第一沉积源431相同的结构。即，第二沉积源432可包括多个沉积部，例如，第一沉积部432a、第二沉积部432b、第三沉积部432c、第四沉积部432d、第五沉积部432e和第六沉积部432f。这种第二沉积源432配置成沿着第二方向y排列多个沉积部432a～432f，其中第二方向y与作为衬底s在第三沉积腔室430中的移动方向的第一方向x交叉。
第二沉积源432配置成将沉积物质dm选择性地排放到沿着第一方向x移动的衬底s的衬底区域s11～s14中的第二衬底区域s12、s14，并且为此可通过控制部(未示出)驱动第四沉积部432d和第五沉积部432e。即，第四沉积部432d和第五沉积部432e的驱动可通过第四沉积部432d和第五沉积部432e各自的加热器238对坩埚237进行加热以使得沉积物质dm气化来执行。
第一图案掩模组件pma11与图8的第一图案掩模组件pma1相似。只是，第一图案掩模组件pma11在第一沉积源431的上方布置成与第一沉积部431a、第二沉积部431b和第三沉积部431c相对应。
当通过第一沉积源431朝着沿着第一方向x移动的衬底s侧排放沉积物质时，这种第一图案掩模组件pma11可用于在衬底s的第一衬底区域s11、s13的特定部分处形成图案层，例如，在发光显示装置中在红色像素处形成红色发光层。
第二图案掩模组件pma12在第二沉积源432的上方布置成与第四沉积部432d和第五沉积部432e相对应。第二图案掩模组件pma12可形成为与第一图案掩模组件pma11的图案相同的图案。
当通过第二沉积源432朝着沿着第一方向x移动的衬底s侧排放沉积物质时，这种第二图案掩模组件pma12可用于在衬底s的第二衬底区域s12、s14的特定部分处形成图案层，例如，在发光显示装置中在红色像素处形成红色发光层。
如上所述，根据本发明另一实施方式的沉积装置包括独立驱动以选择性地排放沉积物质dm的多个沉积部431a～431f，因此能够在衬底s中期望沉积沉积物质dm的衬底区域上选择性地进行沉积。
因此，在衬底s上所限定的衬底区域的型号发生变化的情况下，也能够在衬底s中所期望的衬底区域中沉积出所期望形态的沉积物质dm。
虽然在上文中参照附图说明了本发明实施方式，但是本发明所属技术领域的普通技术人员应理解，在不改变本发明的技术思想或必要技术特征的情况下可将其实施成其他具体形态。因此，应理解，上文中所记载的实施方式在所有方面仅仅为示例性的，而不是限定性的。
附图标记说明
100：装载部200：沉积部
210：第一沉积腔室230、430：第三沉积腔室
231、431：第一沉积源232、432：第二沉积源
300：卸载部500：沉积装置