沉积源组件的制作方法

沉积源组件的制作方法
【专利摘要】一种用于将沉积材料沉积在配置在腔中的衬底上的沉积源组件，沉积源组件包括：配置在腔中的沉积源，沉积源被配置成将沉积材料沉积在衬底上；穿过腔的至少一个壁的电极，电极被配置成向沉积源提供电力；配置在电极与腔的壁之间的绝缘部件；以及配置在绝缘部件上从而至少覆盖绝缘部件的一部分的绝缘部件盖。
【专利说明】沉积源组件
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求于2013年5月6日提交的第10-2013-0050805号韩国专利申请的优 先权，其全部内容通过引用并入本文。

【技术领域】
[0003] 示例性实施方式涉及制造技术，更具体地涉及用于基于沉积的制造技术的沉积源 组件，该沉积源组件可用于具有提高的生产产量的大衬底批量生产过程。

【背景技术】
[0004] 为了支持各种功能，移动电子设备诸如移动电话、笔记本电脑、个人数码助手、平 板电脑等通常包括用于为用户提供视觉信息诸如图片或者视频的显示设备。因为通常用于 与视觉信息相互作用的各种组件逐渐消失或者小型化(例如，实体按键、开关等)，所以显示 设备对移动电子设备变得更加重要。此外，显示设备已发展到能弯曲至一定角度或者程度。
[0005] 在常规显示设备中，至少部分由于其宽视角、良好的对比度以及快速的响应时间， 有机发光显示设备具备了吸引性。通常，有机发光显示设备可以通过将多个层堆叠或者沉 积来形成，多个层可包括由配置在负极电极与正极电极之间的有机材料形成的发光层。通 常，发光层配置在正极电极上，而负极电极配置在发光层上。应该注意的是，负极电极和正 极电极以及发光层可以通过蒸发和沉积金属材料或者有机材料来形成。通常使用坩埚来沉 积金属材料或者有机材料。坩埚具有其中装有加热器的沉积源。加热器用于加热金属材料 或者有机材料，从而蒸发用于沉积的金属材料或者有机材料。
[0006] 通常，坩埚可包括用于从外部电源供电以加热加热器的电极，并包括使沉积装置 的腔内的电极绝缘的绝缘部件。至少部分由于用于完成沉积过程的热和压力的级别，在绝 缘部件中可能发生介质击穿的现象，在金属材料沉积在绝缘部件上时，介质击穿的可能性 更大。
[0007] 在本【背景技术】部分中公开的以上信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此， 该信息可包括未形成该国本领域的技术人员已公知的现有技术的信息。


【发明内容】

[0008] 示例性实施方式提供了这样一种沉积源组件，该沉积源组件易于制造，可以容易 地应用于大衬底批量生产过程，并且具有提高的生产产量以及沉积效率。
[0009] 本申请的其他方面将在随后的详细描述中提出，并且在某种程度上，将从本公开 显而易见，或者可以通过本发明的实践得知。
[0010] 根据示例性实施方式，用于将沉积材料沉积在配置在腔中的衬底上的沉积源组 件，包括：配置在腔中将沉积材料沉积在衬底上的沉积源；穿过腔的至少一个壁的电极，该 电极被配置成为沉积源提供电力；配置在电极与腔的壁之间的绝缘部件；以及配置在绝缘 部件上的绝缘部件盖，该绝缘部件盖至少覆盖绝缘部件的一部分。 toon] 根据示例性实施方式，被配置成将沉积源材料沉积在目标衬底上的装置，包括腔、 绝缘部件、绝缘部件盖以及电极。其中，该腔包括：内部腔区域以及延伸至内部腔区域的第 一孔。绝缘部件配置在第一孔中，该绝缘部件包括至少延伸至内部腔区域的第二孔。绝缘 部件盖配置在绝缘部件的末端，末端配置在内部腔区域中，绝缘部件盖包括与第二孔相关 联的第三孔。电极通过第二孔和第三孔延伸进入内部腔区域，该电极被配置成提供电力以 蒸发沉积源材料。
[0012] 前面的一般描述和随后的详细描述是示例性和解释性的，并且旨在按要求提供对 本发明的进一步说明。

【专利附图】

【附图说明】
[0013] 附图提供对本发明的进一步理解，并且被纳入且形成本说明书的一部分，其阐明 本发明的示例性实施方式，并且与描述一同用于解释本发明的原理。
[0014] 图1是根据示例性实施方式的沉积源组件的视图。
[0015] 图2是根据示例性实施方式的图1的一部分的放大视图。
[0016] 图3A、图3B、以及图3C是根据示例性实施方式的图1的沉积源组件的多个形状的 绝缘部件盖的视图。
[0017] 图4是根据示例性实施方式的使用图1的沉积源组件生产的有源矩阵有机发光显 示设备的横断面视图。

【具体实施方式】
[0018] 在以下描述中，出于解释的目的，对很多具体的细节进行了陈述，从而提供对各个 示例性实施方式的透彻理解。但是，显而易见，各个示例性实施方式可以在没有这些具体的 细节的情况下实行或者通过一个或者多个等同的布置实行。在其它示例中，清楚起见，众所 周知的结构和设备以框图的形式示出。
[0019] 在附图中，为了清楚和描述性的目的，层、薄膜、板、区域等的尺寸和相对尺寸可能 会被夸大。此外，相同的标号指示相同的元件。
[0020] 在提到元件或者层位于另一个元件或者层"上（on)"、"连接至（connected to)"或 者"联接至（coupled to)"另一个元件或者层时，它可直接位于其它元件或者层上、连接至 其它元件或者层或联接至其它元件或者层、或者可能存在介于它们中间的元件或者层。然 而，在提到元件或者层"直接地"位于另一个元件或者层"上（directly on)"、"直接地连接 至（directly connected to)"另一个元件或者层、或者"直接地联接至（directly coupled to)"另一个元件或者层时，不存在介于中间的元件或者层。对于本公开，"X、Y、以及Z中的 至少一个"和"从包括X、Y、以及Z的组中选择的至少一个"可以解释为只有X、只有Y、只有 Ζ、或者X、Υ和Ζ中的两个或者两个以上的任意组合，例如ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、以及ΖΖ。本文中相 同的数字指示相同元件。如本文中所用的，术语"和/或（and/or)"包括相关联列出项目的 一个或者多个的任意以及所有组合。
[0021] 虽然术语第一、第二等在本文中可以用于描述各个元件、组件、区域、层、和/或部 分，但是这些元件、组件、区域、层、和/或部分不应由这些术语限制。这些术语用于将一个 元件、组件、区域、层、和/或部分与另一个元件、组件、区域、层、和/或部分区分。因此，在 没有脱离本公开的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层、和/或部分能够 被称为第二元件、组件、区域、层、和/或部分。
[0022] 空间相对术语，诸如"在下方（beneath)"、"在下面（bel〇w)"、"下面的（lower)"、 "在上方（ab 〇ve)"、"上面的（upper)"等，在本文中可以用于描述性目的，因此用于描述如图 所示的一个元件或者特征与另一个元件或者特征的关系。例如，如果图中的装置翻转，那么 描述为在其它元件或者特征"下面（below)"或者"下方（beneath)"的元件可能定向为在其 它元件"上方（above)"。因此，示例性术语"在下面（below)"能够包括位于上方以及位于 下方的两个方向。此外，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或者位于其它方向)，同 样地，对本文中使用的空间相对描述符号也进行相应解释。
[0023] 本文中所使用的术语用于描述具体的实施方式，而不是用于限制性的。如本文中 所使用的，单数形式"a"、"an"、以及"the"旨在同样包括复数形式，除非上下文中清楚地另 有指示。此外，在本说明书中使用术语"包括（comprises)"、"包括（comprising)"、"包括 (includes)"、和/或"包括（including)"时，指出规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组 件、和/或其组的存在，但是并未排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件、 和/或其组的存在或者添加。
[0024] 在本文中参照局部图对多个示例性实施方式进行了描述，局部图是理想化的示例 性实施方式和/或中间结构的示意图。同样地，例如，作为制造技术和/或公差的结果，图 的形状的变形是可以预料的。因此，本文中公开的示例性实施方式不应解释为限于区域的 具体示出形状，而是包括由例如制造造成的形状的偏差。例如，矩形的植入区通常被示为在 其边缘具有圆形的或者弯曲的特征和/或植入物浓度的梯度，而不是从植入区至非植入区 的二元变化。同样地，由植入形成的埋入区可以导致在埋入区与发生植入所穿过的表面之 间的区域中的一些植入。因此，附图所示区域在性质上是示意性的，并且其形状不是旨在说 明设备的区域的实际形状，因此不是要成为限制性的。
[0025] 除非另有定义，本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语）具有对本公 开所属领域的普通技术人员所理解的相同含义。术语，诸如那些在常用字典中所定义的术 语，应解释为具有符合其相关领域的背景的含义，并且将不解释为理想化的或者过于正式 的含义，除非在本文中清楚地如此定义。
[0026] 图1是根据示例性实施方式的沉积源组件100的视图。图2是图1的一部分的放 大视图。
[0027] 参照图1和图2,沉积源组件100包括配置在腔110中的沉积源120、电极130、绝 缘部件140、以及绝缘部件盖150。虽然在下面将参考该具体的实施方式进行描述，但是沉 积源组件1〇〇还可以呈现其它不同的形式，并且包括多个和/或替代性的组件。例如，可以 考虑到沉积源组件100的部件可以是组合的、可位于分离的结构中、和/或位于分离的位 置。
[0028] 在腔110中配置有衬底1，腔110保持在加压状态(例如，真空状态)下。衬底1可 以是用于有机发光设备（0LED)面板的衬底。但是，考虑到本文中所描述的示例性实施方式 可以用于制造其上可沉积有一个或多个金属和/或有机膜的任何合适的衬底。
[0029] 根据示例性实施方式，沉积源120被配置成蒸发沉积至衬底1上从而在衬底1上 形成薄膜的沉积材料。具体地，沉积源组件1〇〇可以是用于为负极电极形成金属膜的沉积 源组件。用于为大型有机发光显示设备的负极电极形成金属膜的沉积源组件100使用加热 器(未示出）加热并蒸发金属材料，诸如铝（A1 )。沉积源组件100被配置成在衬底1上沉积 蒸发的金属材料以形成薄膜。为此，加热器可以被配置成达到较高的温度(例如，1300°C以 上)，该温度通常用于蒸发待沉积的材料。沉积源120可以由金属材料形成，例如钽（Ta)、钨 (W)、钥（Mo)等和/或陶瓷材料，诸如热解氮化硼（PBN)、氧化铝（Al xOy)等，这些材料在用于 蒸发待沉积的材料的较高温度下是稳定的。
[0030] 沉积源120可以使用由陶瓷材料形成的导向器件(未示出）从而支承高温加热器。 以这种方式，沉积源120可以固定(或者以其它方式联接)至沉积源120的下部中的电极130 从而能够对加热器施加稳定的电流。为此，连接至加热器的电极130可以在腔110中保持 绝缘。腔110可以由任何合适的金属材料形成。以这种方式，腔110与电极130之间的绝 缘可以通过在电极130与腔110之间插入绝缘部件140来保持。
[0031] 注意在高温下，例如1300°c或者更高，执行沉积过程期间生成的金属微粒的烟可 以进入至少部分由沉积源120的顶部或者侧部的组件的余量导致的间隙。同样地，金属微 粒的烟可以沉积在配置在电极130与腔110之间的绝缘部件140上。这可以至少部分地导 致电极130与腔110之间的绝缘的恶化。
[0032] 换言之，在真腔110内生成的沉积材料诸如铝的烟在高温下运动活跃并且以各种 自由度行进。沉积材料的蒸发可以在沉积源120内连续发生，并且一些蒸发的沉积材料可 以沉积在沉积源120的内部组件上。可替代地，用于形成沉积源120的导电材料可以在高 温下蒸发成烟，然后沉积在沉积源120的内部组件上。同样地，沉积在沉积源120内部的导 电材料可以恶化加热器(未示出）与沉积源120的用于支承加热器的组件(具体地绝缘部件 140)之间的绝缘。以这种方式，会增大加热器的阻抗并且中断通过电极130的电流。这会 阻止(或者以其它方式减弱)加热器的适当操作。换言之，由于沉积的导电材料，加热器可能 不能保持用于蒸发沉积材料的1300°C或者以上的高温。
[0033] 为了防止(或者以其它方式减弱)沉积材料在绝缘部件140上或者在加热器与沉积 源120的组件之间的沉积，沉积源组件100还可以包括帽形的绝缘部件盖150。绝缘部件 盖150可以配置在绝缘部件140的上表面上，用于防止(或者以其它方式减弱）至少部分地 由布置在绝缘部件140上或者布置在加热器与沉积源120的组件之间的沉积材料导致的介 质击穿。参照图2和图3对绝缘部件盖150的配置和功能进行了更详细的描述。
[0034] 应注意，可以从外部电源供电以加热沉积源120(或者从外部电源为配置在沉积源 120中的加热器供电)。同样地，被配置成为加热沉积源120提供电力的电极130可穿过腔 110。电极130可以由任何合适的导电构件形成，电极130可以是穿过腔110的底部表面的 杆的形式(或者其他合适的配置)。因为沉积源120配置在腔110中，而电源（未示出）配置 在腔110之外，所以电极130可以将来自电源的电力输送至沉积源120。
[0035] 根据示例性实施方式，绝缘部件140配置在电极130与腔110之间并且使电极130 与腔110绝缘。在腔110的底部表面形成电极130可以穿过的孔(未示出）。以这种方式，绝 缘部件140可以装配至孔中并且可以延伸至孔外。绝缘部件140可被形成为具有约为"I" 形的横截面形状，并且可以附接至腔110的内表面和外表面从而密封腔110。电极130能够 穿过的孔可形成在绝缘部件140的中心部分中。由此，因为电极130穿过绝缘部件140,所 以绝缘部件140使电极130与腔110间隔开，由此使电极130与腔110之间绝缘。
[0036] 在示例性实施方式中，绝缘部件盖150被形成为覆盖绝缘部件140的至少一侧。绝 缘部件盖150包括配置在绝缘部件140的顶部表面上的基座151，以及以至少一个方向从基 座151突出的突出部152。突出部152被形成为朝向腔110的底部表面突出，从而减少绝缘 部件盖150与腔110的底部表面之间的间距。这有助于防止(或者减少)在腔110内部生成 的沉积材料的烟诸如铝沉积在绝缘部件140上。绝缘部件盖150可被形成为使绝缘部件盖 150的突出部152的一个末端与腔110间隔1mm至5mm。绝缘部件盖150可以由任何适当 的绝缘材料形成，例如陶瓷材料，从而保护绝缘部件140。
[0037] 如图2所示，根据示例性实施方式，绝缘部件盖150被配置成防止(或者减少)导电 沉积材料的烟F沉积在沉积源120的内部构件上，诸如绝缘部件140和加热器(未示出），从 而保持内部构件绝缘，尽管导电沉积材料的烟F可能沉积在绝缘部件盖150和腔110的各 自的表面上。如果两个电极130中只有一个配备绝缘部件盖150,沉积在腔110的表面上的 导电材料也可以沉积在绝缘部件盖150的表面上，这可能引起介质击穿。同样地，绝缘部件 盖150可以与每个绝缘部件140相关联地使用。
[0038] 此外，虽然未在图中示出，但绝缘部件盖150和/或绝缘部件140的内表面的至少 一部分可以具有螺纹。为此，电极130的至少一部分外表面也可以具有与绝缘部件140和 /或绝缘部件盖150的螺纹相匹配的螺纹。同样地，绝缘部件140、绝缘部件盖150和/或 电极130的螺纹配合可用于进一步将腔110的内部区域(或者腔）与腔110的外部区域(或 者周围环境)密封，由此，能够稳定地保持腔110的内部区域中的加压环境。而且，绝缘部件 140中的孔可以是彼此同心地或者基本上彼此同心地对准。
[0039] 根据示例性实施方式，图3A、3B、和3C为图1的绝缘部件盖150的多个形状的视 图。如图3A、3B、和3C所示，绝缘部件盖150可以具有多个形状。电极端子通常通过与螺 母结合成螺栓而形成。以这种方式，电极端子可以具有在其中形成的圆孔从而将电极设置 在螺栓与螺母之间。并且，只要在设置电极时在绝缘部件140与腔110之间保持间隔，绝缘 部件盖可以具有任何合适的横截面形状，诸如图3A所示的具有圆形横截面的绝缘部件盖 150a、图3B所示的具有矩形横截面的绝缘部件盖150b、或者图3C所示的具有多边形横截面 的绝缘部件盖150c。
[0040] 根据示例性实施方式，因为沉积材料、诸如铝以及在高温蒸发的形成沉积源120 的金属材料可以沉积在绝缘部件盖150上，而不是沉积在绝缘部件140上，则能够防止绝缘 部件140的介电性能的恶化，并且以这种方式延长沉积源组件100的寿命。
[0041] 此外，图3A、3B、和3C的示例在性质上只是说明性的，并且，同样地，绝缘部件盖 150的横截面形状可由能够保持本文中所描述的功能的任何合适的配置形成。以这种方式， 绝缘部件盖150的横截面形状可以符合任何合适的自由形式和/或几何形状。
[0042] 根据示例性实施方式，图4为使用沉积源组件100生产的有源矩阵有机发光显示 设备的横断面视图。
[0043] 参照图4,在衬底30上形成有源矩阵有机发光显示设备10。衬底30可以由任何 适合的透明材料形成，例如玻璃、塑料或者金属材料。在衬底30之上形成绝缘膜31，诸如缓 冲层。
[0044] 如图4所示，在绝缘膜31之上形成薄膜晶体管（TFT)40、电容50、和有机发光设备 60 〇
[0045] 在绝缘膜31上可形成或者以其它方式以确定的图案设置半导体有源层41。半导 体有源层41由栅极绝缘层32覆盖。半导体有源层41可以由任何适合的p形或者η形半 导体材料形成。
[0046] 在栅极绝缘膜32上形成TFT40的栅极电极42,并且栅极电极42面向有源层41。 在栅极电极42上形成夹层电介质33。在形成夹层电介质33之后，对栅极绝缘膜32和夹层 电介质33进行蚀刻(或者以其它方式形成图案)从而形成部分暴露有源层41的一个或多个 接触孔。
[0047] 在夹层电介质33上形成源/漏电极43,以接触有源层41的通过接触孔暴露的一 部分。保护膜34覆盖源/漏极电极43,而源/漏极电极43通过蚀刻/制作图案工艺部分 地暴露。可以在保护膜34上形成独立的绝缘膜(未示出），用于保护膜34的平面化。
[0048] 电容器50包括第一电极51和第二电极52。夹层电介质33配置在第一电极51与 第二电极52之间。注意，通过电容器50储存的电压可以提供至TFT的一个或多个电极，例 如，一个或多个栅极电极42和源/漏极电极43。
[0049] 有机发光设备60可以被配置成发出任何适合的颜色的光，例如，红色、绿色、蓝色 等，这取决于有机发光设备60的电流和/或材料。以这种方式，有机发光设备60可以被配 置成显示确定的图像信息。有机发光设备60包括配置在保护膜34上的第一电极61。第一 电极61与TFT40的电极43电连接。
[0050] 根据示例性实施方式，在第一电极61上形成像素定义膜35。在像素定义膜35中 形成开口从而暴露第一电极61的一部分。在由像素定义膜35中的开口限定的区域中形成 包括发光层的有机层63。在有机层63上形成第二电极62。
[0051] 像素定义膜35被配置成定义每个像素并且可以由有机材料形成，像素定义膜35 可以被配置成使其上形成第一电极61的衬底30的表面平面化，具体地，使保护膜34的表 面平面化。
[0052] 第一电极61和第二电极62彼此绝缘并且向包括发光层的有机层63施加不同极 性的电压。以这种方式，发光层被配置成基于由不同极性的电压施加在发光层上的电流发 射确定波长的光。
[0053] 根据示例性实施方式，有机层63包括可由低分子量或者高分子量有机材料形 成的发光层。在使用低分子量有机材料时，有机层63可以具有单层机构或者多层机构， 多层结构包括空穴注入层（HIL)、空穴传输层（HTL)、发光层（EML)、电子传输层（ETL)、 和/或电子注入层（EIL)。例如，有机材料可以包括，例如，酞菁铜（CuPc)、Ν，Ν'-二（萘 基-l_yl) -Ν, Ν，-二苯联苯胺（Ν, N，_di (naphthalene-1-yl) -Ν, N，-diphenylbenzidine) (NPB)、3_8-p5基喹啉 Ktris-S-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3)等。
[0054] 注意，在形成有机发光膜后，可以采用相同的沉积方法形成第二电极62。
[0055] 在示例性实施方式中，第一电极61可作为正极电极，而第二电极62可作为负极电 极。可替代地，第一电极61作为负极电极，而第二电极62可作为正极电极。第一电极61可 被图案化成与每个像素区相对应，而第二电极62可被形成为覆盖所有像素。以这种方式， 第二电极62可用于普通电极。
[0056] 第一电极61可以是透明电极或者反射电极。当第一电极61为透明电极时，第一 电极61可以由氧化锌铝（ΑΖ0)、氧化锌镓（GZ0)、氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)、氧化锌 (ZnO)、氧化铟（Ιη203)等形成。还可以采用一个或多个导电聚合物（ICP)，例如聚苯胺、聚 (3, 4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT :PSS)等。当第一电极61为反射电极时，第 一电极61可以通过由银（Ag)、镁（Mg)、铝（A1)、钼（Pt)、钯（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、 铱（Ir)、铬（Cr)等或者其混合物形成的反射层，以及在反射层上形成的AZ0、GZ0、IT0、IZ0、 Ζη0、Ιη203、聚苯胺、PEDOT :PSS等形成的层来形成。第一电极61可以通过例如通过喷溅，然 后通过例如光刻法确定图案形成的层来形成。但是，考虑可以采用任何一种或多种适合的 制造技术。
[0057] 根据示例性实施方式，第二电极62可以形成为透明电极或者反射电极。当第二电 极62为透明电极时，第二电极62可以作为负极电极使用，并且，以这种方式，可以通过在有 机层63的表面上沉积具有低功函数的金属形成第二电极62,具有低功函数的金属诸如为 锂（Li)、钙（Ca)、氟化锂/钙（LiF/Ca)、氟化锂/铝（LiF/Al)、铝（A1)、银（Ag)、镁（Mg)等或 者其混合物，并且由AZO、GZ0、ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΖηΟ、Ιη 203、聚苯胺、PEDOT :PSS或者类似物在其上 形成辅助电极层或者总线电极线。当第二电极62为反射电极时，第二电极62可以通过在 有机层63上沉积Li、C、LiF/C、LiF/Al、Al、Ag、Mg等或者其混合物形成。以这种方式，沉积 可以采用与形成有机层63所用的相同的方法执行。
[0058] 在示例性实施方式中，第二电极62可以采用图1所示的沉积源组件100形成。换 言之，使用沉积源组件100,沉积源组件100包括向目标表面上喷(或者以其他方式沉积)沉 积材料的配置在腔110中的沉积源120、形成穿过腔110以提供电力从而加热沉积源120的 电极130、配置在电极130与腔110之间以阻止电极130与腔110接触的绝缘部件140、以 及形成在绝缘部件140的一侧从而覆盖绝缘部件140的绝缘部件盖150,通过图1所示的沉 积源组件100沉积的沉积材料可以沉积在如图1所示的衬底上。
[0059] 根据示例性实施方式，还考虑沉积源组件100可以用于形成第一电极61，以及还 用于形成由各种材料、无论是金属材料还是有机材料形成一个或多个其它层。
[0060] 根据示例性实施方式，沉积材料诸如铝以及形成沉积源120的金属材料能够在高 温下蒸发并且沉积在保护绝缘部件140的绝缘部件盖150上，由此，防止(或者以其它方式 减小）介电特性恶化的可能性。以这种方式，沉积源120的使用寿命可以延长。
[0061] 虽然已在本文中对一些示例性实施方式和实施方案进行了描述，但是通过上文描 述其他实施方式和修改将变得显而易见。因此，本发明不限于上文所述的实施方式，而是限 于更宽范围的权利要求和各种明显的修改以及等同布置。
【权利要求】
1. 一种用于将沉积材料沉积在配置于腔中的衬底上的沉积源组件，包括： 沉积源，设置在所述腔中用于将所述沉积材料沉积在所述衬底上； 电极，所述电极穿过所述腔的至少一个壁，并被配置成向所述沉积源提供电力； 绝缘部件，设置在所述电极与所述腔的壁之间；以及 绝缘部件盖，设置在所述绝缘部件上以至少覆盖所述绝缘部件的一部分。
2. 如权利要求1所述的沉积源组件，其中所述沉积源被配置成沉积金属材料。
3. 如权利要求2所述的沉积源组件，其中所述沉积材料包括锂、钙、氟化锂/钙、氟化锂 /铝、铝、银、镁及其混合物中的至少一种。
4. 如权利要求1所述的沉积源组件，其中： 所述腔的壁包括穿过所述壁形成的孔； 所述绝缘部件延伸穿过所述孔；以及 所述电极延伸穿过所述绝缘部件。
5. 如权利要求4所述的沉积源组件，其中所述绝缘部件附接至所述腔的所述壁的内表 面和外表面。
6. 如权利要求1所述的沉积源组件，其中所述绝缘部件盖包括： 基座，所述基座直接配置在所述绝缘部件上并且以第一方向纵向延伸；以及 突出部，所述突出部以第二方向从所述基座突出。
7. 如权利要求6所述的沉积源组件，其中所述第二方向朝向所述腔的底部表面延伸。
8. 如权利要求7所述的沉积源组件，其中所述突出部的末端与所述腔的底部表面间隔 开。
9. 如权利要求1所述的沉积源组件，其中所述绝缘部件盖被配置成防止沉积材料沉积 在所述绝缘部件上。
10. 如权利要求1所述的沉积源组件，其中所述绝缘部件盖包括陶瓷材料。
【文档编号】C23C16/44GK104141114SQ201310659801
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年12月9日 优先权日:2013年5月6日
【发明者】车龙俊 申请人:三星显示有限公司