1.一种用于对样品去层以对所述样品进行逆向工程的系统，其中，所述样品的暴露表面包括多种材料，所述系统包括：
离子束打磨机；
去层反馈机制；和
控制系统，所述控制系统与所述离子束打磨机和所述去层反馈机制可操纵地通信，以基于所述反馈机制自动控制所述离子束打磨机的一个或更多个操作参数，从而使用所述离子束打磨机的离子束以相等的离子束移除速率移除所述多种材料中的每种材料，以从所述样品的所述暴露表面移除具有恒定厚度的平坦的层，
其中，从所述样品的每个新暴露的表面获取表面数据，以用于对至少一部分的所述样品进行逆向工程。
2.如权利要求1所述的系统，其中，所述去层反馈机制包括实时反馈机制，并且其中，所述控制系统基于所述实时反馈机制实时地自动调整所述一个或更多个操作参数。
3.如权利要求1或2所述的系统，其中所述反馈机制包括去层材料检测元件。
4.如权利要求3所述的系统，其中，所述去层材料检测元件能够操作以自动确定去层速率的变化和去层材料的变化中的至少一者，并且其中，所述控制系统能够操作以根据所述确定自动调整所述一个或更多个操作参数。
5.如权利要求3所述的系统，其中，所述去层材料检测元件包括二次离子质谱(SIMS)。
6.一种使用离子束打磨机对样品进行逆向工程的方法，所述方法包括：
识别所述样品的暴露表面中的多种材料以及对应于每种所述材料的离子束移除速率的一个或更多个操作参数；
操纵所述离子束打磨机；
通过去层反馈机制测量样品去层变化；
基于所测量的所述样品去层变化自动调整所识别的所述一个或更多个操作参数，以使用来自所述离子束打磨机的离子束以相等的离子束移除速率同时移除所述多种材料中的每种材料，从而从所述样品的所述暴露表面移除具有恒定厚度的平坦的层；
从所述样品的新暴露的表面获取表面数据；以及
针对至少再一层重复上述识别、操纵和获取步骤，所获取的表面数据用于对至少一部分的所述样品进行逆向工程。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述去层反馈机制包括实时反馈机制，并且其中，所述测量步骤和所述调整步骤是实时执行的。
8.如权利要求6或7所述的方法，其中，所述反馈机制包括去层材料检测元件，以检测去层材料和材料去层速率中至少一者的变化。
9.如权利要求6所述的方法，还包括：
使用所获得的表面数据生成层次化电路示意图。
10.如权利要求6所述的方法，其中，所述离子束在活性气体的存在下进行操作。
11.如权利要求6所述的方法，其中，所述离子束在非活性气体的存在下进行操作。
12.如权利要求6所述的方法，其中，所述离子束打磨机是宽幅离子束打磨机或聚焦离子束打磨机。
13.如权利要求6所述的方法，其中，所述平坦的层的厚度小于所述平坦的层的长度或宽度。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述平坦的层的表面面积在5至20平方厘米的范围中。
15.如权利要求6所述的方法，其中所述离子束使用活性离子。
16.如权利要求6所述的方法，其中所述离子束使用非活性离子。
17.一种用于对样品去层以对所述样品进行逆向工程的系统，其中所述样品的暴露表面包括多种材料，所述系统包括：
离子束打磨机；
去层反馈机制；以及
控制系统，所述控制系统与所述离子束打磨机和所述去层反馈机制可操纵地通信，以基于所述反馈机制自动控制所述离子束打磨机的一个或更多个操作参数，从而以所述多种材料中每种材料各自的离子束移除速率移除所述每种材料；
其中，所述控制系统经操作以依据移除步骤的顺序来顺序地操作所述离子束打磨机，从而在每个移除步骤中以所述各自的离子束移除速率顺序地移除所述多种材料中的一种或更多种材料，使得在完成所述顺序时从所述样品的所述暴露表面移除了具有恒定厚度的平坦的层；
其中，从所述样品的每个新暴露的表面获取表面数据，以用于对至少一部分的所述样品进行逆向工程。
18.如权利要求17所述的系统，其中，所述去层反馈机制包括实时反馈机制，并且其中，所述控制系统基于所述实时反馈机制实时地自动调整所述一个或更多个操作参数。
19.如权利要求17或18所述的系统，其中，所述反馈机制包括去层材料检测元件。
20.如权利要求19所述的系统，其中，所述去层材料检测元件能够操作以自动确定去层速率的变化和去层材料的变化中的至少一者，并且其中，所述控制系统能够操作以根据所述确定自动调整所述一个或更多个操作参数。
21.如权利要求19所述的系统，其中，所述去层材料检测元件包括二次离子质谱(SIMS)。
22.如权利要求17或18所述的系统，其中，所述顺序包括针对至少两个不同的集合的不同移除次数。
23.一种使用离子束打磨机对样品进行逆向工程的方法，所述方法包括：
识别所述样品的暴露表面中的多种材料；
定义移除顺序，所述移除顺序由一个或更多个操作参数定义，其中针对每一移除顺序的所述操作参数中的每一者对应于每种所述材料各自的离子束移除速率；
根据所述移除顺序来操纵所述离子束打磨机；
通过去层反馈机制测量样品去层变化；
在所述移除顺序的每一个步骤期间，基于所测量的所述样品去层变化自动调整所述一个或更多个操作参数，以使用来自所述离子束打磨机的离子束以期望的离子束移除速率来顺序地移除所述多种材料中的至少一种材料，使得在完成所定义的顺序时，从所述样品的所述暴露表面移除了具有恒定的厚度的平坦的层；
从所述样品的新暴露的表面获取表面数据；以及
针对至少再一层重复所述方法，所获取的表面数据用于对至少一部分的所述样品进行逆向工程。
24.如权利要求23所述的方法，其中，所述去层反馈机制包括实时反馈机制，并且其中，所述测量步骤和所述调整步骤是实时执行的。
25.如权利要求23或24所述的方法，其中，所述反馈机制包括去层材料检测元件，以检测去层材料和材料去层速率中至少一者的变化。
26.如权利要求23所述的方法，其中，所述移除顺序包括针对至少两个不同的集合来定义不同的移除次数。
27.如权利要求23所述的方法，其进一步包括使用所获得的表面数据生成层次化电路示意图。
28.如权利要求23所述的方法，其中，所述离子束在活性气体的存在下进行操作。
29.如权利要求23所述的方法，其中，所述离子束在非活性气体的存在下进行操作。
30.如权利要求23所述的方法，其中，所述离子束打磨机是宽幅离子束打磨机或聚焦离子束打磨机。
31.如权利要求23所述的方法，其中，所述平坦的层的厚度小于所述平坦的层的长度或宽度。
32.如权利要求31所述的方法，其中所述平坦的层的表面面积在5至20平方厘米的范围中。
33.如权利要求23所述的方法，其中所述离子束使用活性离子。
34.如权利要求23所述的方法，其中所述离子束使用非活性离子。