一种SiONx顶层消影技术及SiONx薄膜制备方法与流程

本发明属于电子显示平板生产技术领域，更具体地说，涉及一种SiONx顶层消影技术及SiONx薄膜制备方法。

背景技术：

现有OGS产品消影，在不使用OC层保护的情况下，在人机面观察很容易看到蚀刻痕。。

技术实现要素：

本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种制备简便，可匹配折射率，很好的消除刻痕的SiONx顶层消影技术及SiONx薄膜制备方法，使用SiONx材料进行顶层镀膜，利用光学软件进行匹配，使OGS产品贴合后人机面无法观察到蚀刻痕，满足要求。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种SiONx顶层消影技术，显示屏包括玻璃层及设在玻璃层外侧的光阻，在所述光阻外侧设有IM层和ITO层，在所述ITO层上蚀刻图形，所述ITO层外设有金属边框，所述金属边框外侧设有SiONx薄膜，SiONx薄膜为整面镀膜，镀膜完成后再将金手指部分蚀刻露出。

为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：

所述IM层为Nb2O5+SiO2层。

所述SiONx薄膜在真空环境下镀膜。

在真空环境下利用Ar为离子源轰击Si靶使Si靶粒子溅射出来，同时通入02和N2，从而形成一种稳定的SiONx膜层。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明SiONx顶层消影技术及SiONx薄膜制备方法，使用SiONx材料进行顶层镀膜，利用光学软件进行匹配，使OGS产品贴合后人机面无法观察到蚀刻痕，满足要求，具有较好的应用前景。

附图说明

下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为本发明侧面结构示意图；

图2为本发明正面结构示意图；

附图标记：1、玻璃层，2、光阻，3、IM层，4、ITO层，5、金属边框，6、SiONx薄膜，7、蚀刻痕。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

本发明这种SiONx顶层消影技术，如图1、2所示，显示屏包括玻璃层1及设在玻璃层1外侧的光阻2，在光阻2外侧设有IM层3和ITO层4，在ITO层4上蚀刻图形，形成蚀刻痕7，ITO,4外设有金属边框5，金属边框5外侧设有SiONx薄膜6，SiONx薄膜6为整面镀膜，镀膜完成后再将金手指部分蚀刻露出。IM层3为Nb2O5+SiO2层，底层消影，与SiONx薄膜层相互配合作用，根据实际光学匹配情况控制Nb2O5和SiO2比例。

SiONx薄膜6在真空环境下镀膜，以确保较好的镀膜效果。

SiONx的镀膜：将基板请清洗后进行真空箱体的SiONx整面镀，监控SiONx的膜厚、产品的反射率及其色坐标系a*、b*值和附着力情况。因产品表面已有金属和ITO线路，SiONx属整面镀膜，镀膜完成后将金手指部分蚀刻露出。

本发明还提供一种SiONx薄膜的制备方法：

利用磁控溅射技术，磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。在真空环境下利用Ar为离子源，轰击Si靶使Si靶粒子溅射出来，同时通入一定混合比的02和N2，可通过控制02和N2混合比调控折射率，从而形成一种稳定的SiONx膜层。

SiONx薄膜有许多优良的特性，特别是可控折射率，击穿电场高。利用其折射率可调这个特性，采用一定的氧气氮气比例，控制在一定厚度下，厚度因产品不同，一般控制在20～100nm，对现有常规消影产品进行顶层消影，取得了非常良好的消影效果，且较高的击穿电场，亦能对面板上的ITO和金属走线进行静电保护。

SiONx在可见光区的反射率与产品ITO膜后的反射率接近，其折射率在SiO2与ITO之间，可以满足匹配ITO折射率，使ITO膜与刻蚀区的色差减小，以达到从人机面观察消除蚀刻痕的目的。

本发明这种SiONx顶层消影技术及SiONx薄膜的制备方法，使OGS产品贴合后人机面无法观察到蚀刻痕，满足客户要求，且此技术的使用成功解决了车载产品对消影效果的高要求，打开了车载产品的市场。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，但是本发明并不受限于上述方式，只要采用本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进或直接应用于其它场合的，均落在本发明的保护范围内。