1.一种用于抛光系统的保持环，所述保持环包括：
环形主体，所述环形主体具有：
底表面，所述底表面具有形成在其中的槽，
外径壁；和
内径壁，所述内径壁具有经选择以适应半导体基板的直径，其中所述内径壁被抛光至小于30微英寸(μin)的平均粗糙度(Ra)。
2.根据权利要求1所述的保持环，其特征在于，所述环形主体进一步包括：
下部部分，所述下部部分具有下部抛光内径和形成在其中的所述槽；和
上部部分，所述上部部分具有上部抛光内径，所述上部部分同心地耦接至所述下部部分。
3.根据权利要求2所述的保持环，其特征在于，所述下部抛光内径的平均粗糙度在2μin与10μin之间。
4.根据权利要求3所述的保持环，其特征在于，所述下部抛光内径的平均粗糙度为4μin。
5.根据权利要求2所述的保持环，其特征在于，所述上部部分是由金属组成的，并且所述下部部分是由塑料组成的。
6.根据权利要求2所述的保持环，其特征在于，所述上部抛光内径的平均粗糙度在2μin与10μin之间。
7.根据权利要求6所述的保持环，其特征在于，所述上部抛光内径的平均粗糙度为4μin。
8.根据权利要求1所述的保持环，其特征在于，所述内径壁被配置成接收具有200mm、300mm或450mm的直径的半导体基板。
9.根据权利要求1所述的保持环，其特征在于，所述外径壁被抛光至小于30μin的平均粗糙度。
10.根据权利要求1所述的保持环，其特征在于，其中第二部分是由具有大于第一部分刚度的刚度的材料制成。
11.一种CMP系统，所述CMP系统包括：
可旋转的压板，所述可旋转的压板配置成支撑抛光垫；
抛光头，所述抛光头配置成在抛光期间迫使基板抵靠着所述抛光垫；和
保持环，所述保持环包括：
环形主体，所述环形主体具有：
底表面，所述底表面具有形成在其中的槽，
外径壁；和
内径壁，其中所述内径壁被抛光至小于30微英寸(μin)的平均粗糙度(Ra)。
12.根据权利要求11所述的CMP系统，其特征在于，所述环形主体进一步包括：
下部部分，所述下部部分具有下部抛光内径和形成在其中的所述槽；和
上部部分，所述上部部分具有上部抛光内径，所述上部部分同心地耦接至所述下部部分。
13.根据权利要求12所述的CMP系统，其特征在于，所述下部抛光内径的平均粗糙度在2μin与10μin之间。
14.根据权利要求13所述的CMP系统，其特征在于，所述下部抛光内径的平均粗糙度为4μin。
15.根据权利要求12所述的CMP系统，其特征在于，所述上部部分是由金属组成的，并且所述下部部分是由塑料组成的。
16.根据权利要求12所述的CMP系统，其特征在于，所述上部抛光内径的平均粗糙度在2μin与10μin之间。
17.根据权利要求16所述的CMP系统，其特征在于，所述上部抛光内径的平均粗糙度为4μin。
18.根据权利要求11所述的CMP系统，其特征在于，所述内径壁被配置成接收具有200mm、300mm或450mm的直径的半导体基板。
19.根据权利要求11所述的CMP系统，其特征在于，所述外径壁被抛光至小于30μin的平均粗糙度。
20.根据权利要求11所述的CMP系统，其特征在于，其中第二部分是由具有大于第一部分刚度的刚度的材料制成。