技术特征：
技术总结
本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶。该溅射靶含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，上述氧化物的熔点为600℃以下、并且该氧化物的每1mol O2的标准生成吉布斯自由能ΔGf为‑1000kJ/mol O2以上且‑500kJ/mol O2以下。
技术研发人员：金光谭;栉引了辅;山本俊哉;齐藤伸;日向慎太朗
受保护的技术使用者：田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
技术研发日：2016.11.15
技术公布日：2018.07.17