本发明涉及一种复合金属氧化粉体材料及其制备方法，特别是一种高导电复合金属氧化粉体材料及其制备方法。
背景技术：
高熵合金是2004年由中国台湾学者首先提出的一种材料的新概念，他是一种新型的合金材料的设计理念，其组元数大于5，每种组元的原子百分含量基本上相等，最终形成的材料具有极高的熵值。由于这种合金中金属元素种类多，原子排布的混乱度大，高熵效应必然促进了元素间的混合，使得合金相组成形成单一的晶体结构，如单一的体心立方或面心立方结构，或者二者的混合结构，抑制了脆性的金属间化合物的形成。这种金属结构表现出除了优异的力学性能，使其具有超高的抗拉强度和硬度，为这种材料在极端条件下的应用奠定了基础。
经历了十余年的研究与开发，高熵合金出现了多个系列，从最早的cocrcufeni系到后来的alcocrcufeni、ticocrcufeni、sicocrcufeni等，最近，出现了颗粒增强的高熵合金，如tic-cocrcufeni、tib-cocrcufeni等。虽然cocrcufeni系等高熵合金集众多优点于一身，但是其体积电阻率通常4×10-5-5×10-5ω﹒cm，即体积电阻率较大，导热系数40-50w/m.k，硬度400-500hv，即导电系数和硬度都还不够高，因此，现有高熵合金，各方面的性能还不够好，限制了其用途。
tio在结构材料应用方面的研究相对较少，它是一种带有丰富的原子的金属氧化物，由于大量空位的存在，使得这种材料具有很强的导电能力与导热能力，同时tio又具有高硬度的优点。虽然tio具有较多的优点，但是其化学性质稳定性差，在150℃左右即转化为三价的ti2o3,进而转化成tio2，所以在材料制备过程中极难通过直接掺杂tio颗粒的方式制备出tio颗粒增强的结构材料，因此，到目前为止还没有相关的报道出现。本发明通过特殊手段制备出了中间化合物--tico，利用原位内生反应在材料内部由tico直接生成tio颗粒，c则以co气体的形式排出，从而获得了tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金。tio增强颗粒的产生，极大的提高了高熵合金的性能，扩大了应用范围。
技术实现要素：
本发明的目的，是提供一种tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金及其制备方法。本发明制备的颗粒增强高熵合金，同cocrcufeni基体合金相比，极大的提高了高熵合金的性能,其电阻率降低了20％，导热系数提高了25％，硬度提升了30％,极大的提高了各方面的性能。具有广泛的用途，尤其是在军工领域。
本发明是这样实现的。
一种tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金，它是以下述摩尔配比的原料制成，tico粉0.5-1.5份、co粉0.8-1.2份、cr粉0.8-1.2份、cu粉0.8-1.2份、fe粉0.8-1.2份和ni粉0.8-1.2份。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金，它是以下述摩尔配比的原料制成，tico粉1份、co粉1份、cr粉1份、cu粉1份、fe粉1份和ni粉1份。
一种前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，将tico粉、co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉，混合后，在温度为1000-2000℃条件下，真空度10pa以下，反应10-30min，即得。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，所述温度为1300-1700℃。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，所述温度为1400-1600℃。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，所述温度为1500℃。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，所述真空度为1-8pa；反应时间为15-25min。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，所述真空度为2-6pa；反应时间为20min。
前述的tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金的制备方法，所述tico粉的粒径为1-100微米；co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉的粒径为1-100微米。
有益效果：
本发明颗粒增强的高熵合金具有更优的导电性能、导热性能和力学性能。申请人分别取实施例1制备的高熵合金、实施例2制备的高熵合金、实施例3制备的高熵合金、cocrcufeni高熵合金测试各材料的电阻率，热导率和硬度，每组测10次，测试结果取平均值，并记录测试结果，见表1。
表1性能测试结果
由表可知，按实施例1、2、3制备的高熵合金在力学性能、导热、导热等性能均优于cocrcufeni基体合金。
附图说明
图1是tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金xrd图；
图2是tio颗粒增强cocrcufeni高熵合金扫描电镜图，其中放大区域中的等轴晶即为tio。
下面结合实施例对本发明作进一步的说明，但并不作为对本发明限制的依据。
实施例1.
原料配比：tico粉1kg、co粉1kg、cr粉1kg、cu粉1kg、fe粉1kg和ni粉1kg。
工艺：将tico粉、co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉，混合后，在温度为1450-1550℃条件下，真空度为10pa下，反应20min，即得,所制得的高熵合金xrd图谱见图1，金相图见图2，其中放大区域中的等轴晶即为tio。
实施例2.
原料配比：tico粉1.5kg、co粉1.2kg、cr粉1.2kg、cu粉1.2kg、fe粉1.2kg和ni粉1.2kg。
工艺：将tico粉、co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉，混合后，在温度为1300-1400℃条件下，真空度为1pa下，反应30min，即得。
实施例3.
原料配比：tico粉0.5kg、co粉0.8kg、cr粉0.8kg、cu粉0.8kg、fe粉0.8kg和ni粉0.8kg。
工艺：将tico粉、co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉，混合后，在温度为1700-2000℃条件下，真空度8pa下，反应10min，即得。
实施例4。
原料配比：原料配比：tico粉1kg、co粉1.1kg、cr粉1.1kg、cu粉1.1kg、fe粉1.1kg和ni粉1.1kg。
工艺：将tico粉、co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉，混合后，在温度为1800-1900℃条件下，真空度7pa下，反应15min，即得。
实施例5.
原料配比：tico粉0.5kg、co粉1kg、cr粉1kg、cu粉1kg、fe粉1kg和ni粉1kg。
工艺：将tico粉、co粉、cr粉、cu粉、fe粉和ni粉，混合后，在温度为1400-1500℃条件下，真空度7pa下，反应20min，即得。