技术特征：
技术总结
一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法。制备步骤如下：1)利用热丝CVD法在钽片上沉积掺硼金刚石膜，在腔室通入氢气，碳源和硼源，开灯丝电源，加偏压，调节压强和控制温度、时间；2)采用射频磁控溅射仪在掺硼金刚石膜上镀镍，向真空室通入氩气，开启溅射电源，调节压强和功率；3)利用直流电弧等离子体喷射CVD设备对掺硼金刚石进行刻蚀，通入氢气和氩气，开磁场控制电源，调腔压和泵压，控制温度和时间，制备出多孔掺硼金刚石；4)利用水热法制备碳空心球/多孔掺硼金刚石复合电极。将多孔掺硼金刚石投入β‑环糊精和F‑127混合悬浊液中，进行水热处理，取出后冷冻干燥，马弗炉中退火即制备复合电极。
技术研发人员：李明吉;王雪峰;李红姬;李翠平;孙大智;杨保和
受保护的技术使用者：天津理工大学
技术研发日：2017.05.18
技术公布日：2017.10.20