本发明涉及防水膜加工领域,特别涉及一种颗粒防水膜电子枪蒸镀的方法。
背景技术:
一般在镀制af时,是采用电阻蒸发的方式。将颗粒防水膜放置于钼舟或其他类型的阻蒸坩埚上,通过通入电流,使得阻蒸坩埚加热放置于其中的颗粒防水膜,达到使as药液蒸发的效果。常用的钼舟镀制防水膜时,是将钼舟两端与电极连接,将防水膜颗粒放置于中间后通入直流电源来使钼舟加热防水膜;一般镀as前需要镀一层sio2(防水膜需与sio2结合以增加附着力),而光学镀膜中通常采用的蒸发方式是电子枪蒸发,故在镀制光学薄膜后如需加镀一层as需要额外加入一套阻蒸装置。由于防水膜材料为一种有机材料,其在真空环境中不稳定,故在镀膜过程中无法准确计算防水膜具体厚度,从而导致钼舟的蒸发能量不稳定,另外阻蒸坩埚是一种消耗品,在使用一段时间后,其电极连接处会发黑,且由于在镀制防水膜前还需要镀制一层sio2,故,钼舟上会有膜层积累,时间久后就会影响防水膜的蒸镀效果。
因此,发明一种颗粒防水膜电子枪蒸镀的方法来解决上述问题很有必要。
技术实现要素:
本发明的目的在于提供一种颗粒防水膜电子枪蒸镀的方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种颗粒防水膜电子枪蒸镀的方法,所述具体蒸镀方法如下:
(a)准备防水膜坩埚和电子枪,将防水膜颗粒放入防水膜坩埚的凹槽内,用电子枪镀膜;
(b)调整膜系中电子枪参数,将能量大小调整,制作多个防水膜;
(c)观察对比制作成的各个防水膜,进行摩擦实验对比,直至找到一组专用于镀制防水膜的镀膜参数;
(d)将电子枪蒸发镀膜制备的防水膜与阻蒸镀膜制备的防水膜性能进行对比:分别取电子枪蒸发镀膜制备的防水膜和阻蒸镀膜制备的防水膜各三组,分别对六组防水膜摩擦实验前后数据对比。
优选的,所述防水膜坩埚内设有凹槽,所述防水膜坩埚顶部直径设置为34-36mm,所述防水膜坩埚底部直径设置为29-31mm,所述防水膜坩埚高度设置为16-18mm,所述凹槽顶部直径设置为29-31mm,所述凹槽底部直径设置为24-26mm,所述凹槽高度设置为11-13mm。
本发明的技术效果和优点:本方法可以减少设备改造方面的支出,可以通过修改内部参数即可达到镀制防水膜的效果,可以节约添加阻蒸系统所需要的成本,使用电子枪蒸发方式制备可以省去保养阻蒸系统所需要的时间。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的防水膜坩埚侧视图。
图中:1防水膜坩埚、2凹槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了如图1-2所示的一种颗粒防水膜电子枪蒸镀的方法,所述具体蒸镀方法如下:
(a)准备防水膜坩埚1和电子枪,将防水膜颗粒放入防水膜坩埚1的凹槽(2)内,用电子枪镀膜;
(b)调整膜系中电子枪参数,将能量大小调整,制作多个防水膜;
(c)观察对比制作成的各个防水膜,进行摩擦实验对比,直至找到一组专用于镀制防水膜的镀膜参数;
(d)将电子枪蒸发镀膜制备的防水膜与阻蒸镀膜制备的防水膜性能进行对比:分别取电子枪蒸发镀膜制备的防水膜和阻蒸镀膜制备的防水膜各三组,分别对六组防水膜摩擦实验前后数据对比:
摩擦实验前后数据对比
由此可知电子枪蒸发镀膜制备的防水膜性能方面与阻蒸镀膜制备的防水膜相差无几。
所述防水膜坩埚1内设有凹槽2,所述防水膜坩埚1顶部直径设置为34-36mm,所述防水膜坩埚1底部直径设置为29-31mm,所述防水膜坩埚1高度设置为16-18mm,所述凹槽2顶部直径设置为29-31mm,所述凹槽2底部直径设置为24-26mm,所述凹槽2高度设置为11-13mm。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。