用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板、用于沉积沉积材料的方法、以及制造供体基板的方法与流程

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板、将沉积材料沉积在受体基板上的方法、以及制造用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板的方法。

背景技术：

在制作有机发光二极管(oled)的传统工艺中，利用蒸镀坩埚将有机发光二极管蒸镀到基板上。具体而言，将有机发光材料放置在具有加热源的蒸镀坩埚内。当向加热源施加电力时，有机发光材料蒸发或升华为蒸汽。当蒸发或升华后的蒸汽到达蒸镀坩埚顶部的基板时，蒸汽凝结。有机发光材料被沉积在基板上。

技术实现要素：

一方面，本发明提供了一种用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板，包括：基底基板；位于基底基板上的图案化热障层；以及多个开口，所述多个开口中的每一个贯穿图案化热障层。

可选地，图案化热障层在室温下的热导率小于0.50w·m^-1·k^-1。

可选地，图案化热障层由光致抗蚀剂热障材料制成。

可选地，光致抗蚀剂热障材料包括聚酰亚胺。

可选地，所述多个开口中的每一个具有暴露基底基板的第一侧和暴露图案化热障层的第二侧，第二侧连接至第一侧；并且，第二侧与第一侧之间的夹角在约85度至约95度的范围内。

另一方面，本发明提供了一种蒸镀装置，其包括：本文所述的或通过本文所述的方法制造的供体基板；以及配置为将蒸发的沉积材料沉积在供体基板上的坩埚。

另一方面，本发明提供一种将沉积材料沉积在受体基板的多个目标区域上的方法，包括：提供具有图案化热障层的供体基板；将蒸发的沉积材料沉积在供体基板上；以及加热供体基板从而将图案化热障层上的蒸发的沉积材料转移至受体基板；其中，供体基板包括：基底基板；位于基底基板上的图案化热障层；以及多个开口，所述多个开口中的每一个贯穿图案化热障层。

可选地，蒸发的沉积材料在所述多个开口中沉积在基底基板上，从而形成第一沉积材料层，并且在所述多个开口之外沉积在图案化热障层上，从而形成第二沉积材料层。

可选地，所述方法还包括：将受体基板设置在供体基板的图案化热障层的远离基底基板的一侧；将供体基板的基底基板基本上均匀地加热至第一温度，第一沉积材料层中的沉积材料在所述第一温度下蒸发；以及将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中。

可选地，在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中之后，所述方法还包括：将供体基板和受体基板分开来中断沉积材料从供体基板到受体基板的沉积。

可选地，所述方法还包括：控制对供体基板的基底基板进行加热的加热速率和加热持续时间，以使得在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中的过程中，第二沉积材料层中的沉积材料基本上不蒸发；其中，将加热速率和加热持续时间控制为使得图案化热障层在加热期间的第二温度低于第二沉积材料层中的沉积材料的蒸发温度。

可选地，在分开供体基板和受体基板之后，所述方法还包括：加热供体基板以去除第二沉积材料层中的沉积材料和第一沉积材料层中的残余沉积材料；以及将供体基板冷却。

可选地，在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中之后，所述方法还包括：将供体基板冷却至第二温度，第一沉积材料层中的沉积材料在所述第二温度下基本上不蒸发；将供体基板的基底基板加热至第三温度，第一沉积材料层中的剩余沉积材料在所述第三温度下蒸发；以及将从第一沉积材料层蒸发的剩余沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中。

可选地，将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板中的多个第一区域中，从而在受体基板上形成第三沉积材料层，所述多个第一区域中的每一个对应于受体基板中的所述多个目标区域中的一个；并且，所述多个第一区域中的每一个包括第三沉积材料层在其中具有基本上一致的厚度的第二区域。

可选地，在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板中的多个目标区域中期间，将受体基板和供体基板分开，以使得第二区域大于所述多个目标区域中对应于第二区域的一个，并且所述多个第一区域中的每一个与所述多个目标区域中的与之相邻的目标区域基本上不重叠。

可选地，所述多个第一区域彼此基本上不重叠。

可选地，在将蒸发的沉积材料沉积在供体基板上之前，所述方法还包括：将供体基板冷却。

另一方面，本发明提供一种显示装置，其中所述显示装置的至少一层由本文所述的沉积沉积材料的方法制造。

可选地，显示装置是有机发光二极管显示装置；并且所述至少一层包括有机发光层。

另一方面，本发明提供了一种制造供体基板的方法，所述供体基板用于将沉积材料沉积在受体基板上，所述方法包括：在基底基板上形成热障材料层；以及形成各自贯穿热障材料层且暴露基底基板的多个开口。

可选地，形成热障材料层的步骤包括：使用光致抗蚀剂热障材料形成热障材料层；并且，形成多个开口的步骤包括：利用掩模板对热障材料层进行曝光，以获得曝光后的热障材料层；以及对曝光后的热障材料层进行显影以获得图案化热障层和所述多个开口。

附图说明

以下附图仅仅是根据所公开的各种实施例的以示意性为目的的示例，并非旨在限定本发明的范围。

图1是示出根据本公开的一些实施例中的供体基板的结构的示意图。

图2是示出根据本公开的一些实施例中的供体基板中的多个开口之一的结构的示意图。

图3a至图3c示出了根据本公开的一些实施例中的制造供体基板的过程。

图4a至图4d示出了根据本公开的一些实施例中的将沉积材料沉积在受体基板上的过程。

具体实施方式

现在将参照以下实施例更加详细地描述本公开。应当注意的是，在本文中，一些实施例的以下描述仅仅是以示意和说明为目的而呈现的。其并非意为详尽的或者限于所公开的精确形式。

在制造有机发光二极管装置的传统工艺中，利用精细金属掩模板将有机材料沉积到基板上。存在许多与传统工艺相关联的问题。第一，制造精细金属掩模板的处理本身就是一个复杂的处理。第二，在制造工艺期间，精细金属掩模板与基板之间的对齐存在问题。第三，精细金属掩模板容易因沉积工艺期间的加热而变形。通常，精细金属掩模板与喷嘴隔开相对大的距离以使变形最小化，这导致材料利用率下降。

因此，本公开特别提出一种用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板、将沉积材料沉积在受体基板上的方法、以及制造用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板的方法，其基本避免了由于现有技术的限制和缺点而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板。在一些实施例中，供体基板包括：基底基板；位于基底基板上的图案化热障层；以及多个开口，所述多个开口中的每一个贯穿图案化热障层。可选地，所述多个开口中的每一个暴露出基底基板。

图1是示出根据本公开的一些实施例中的供体基板的结构的示意图。参照图1，一些实施例中的供体基板1包括：基底基板10；位于基底基板10上的图案化热障层20；以及多个开口30，所述多个开口30中的每一个贯穿图案化热障层20。在本公开的上下文中，供体基板1用作转移基板，其用于将沉积材料转移到受体基板(例如，其中将要形成一层或多层的基板)上。在一个示例中，受体基板是这样的基板，在其中将要通过将有机发光材料从供体基板1转移至受体基板而形成一个或多个有机发光层。因此，供体基板1中的多个开口30对应于受体基板中的多个目标区域。受体基板中的多个目标区域可为其中将要形成一层或多层的多个区域。可选地，受体基板中的多个目标区域对应于受体基板中的多个子像素区域。可选地，多个开口30中的每一个具有与受体基板中的多个目标区域中的每一个的面积基本相同的面积。可选地，多个开口30中的每一个具有比受体基板中的多个目标区域中的每一个的面积大(例如，大5％，大10％，大15％，等等)的面积。可选地，多个开口30中的每一个具有比受体基板中的多个目标区域中的每一个的面积小(例如，小5％，小10％，小15％，等等)的面积。

如本文所用，术语“热障”是指基板上的能够减少热传递至下层基板或从下层基板传递而来(例如，能够减少从下层基板穿过覆盖在下层基板上的图案化热障层而来的热流)的层或材料。可选地，热障的热导率不大于下层基板的热导率的十分之一。可选地，热障在室温下的热导率小于0.50w·m^-1·k^-1。可选地，热障在室温下的热导率小于0.45w·m^-1·k^-1，小于0.40w·m^-1·k^-1，小于0.35w·m^-1·k^-1，小于0.30w·m^-1·k^-1，小于0.25w·m^-1·k^-1，小于0.20w·m^-1·k^-1，小于0.15w·m^-1·k^-1，小于0.10w·m^-1·k^-1，小于0.08w·m^-1·k^-1，小于0.06w·m^-1·k^-1，小于0.05w·m^-1·k^-1，小于0.04w·m^-1·k^-1，小于0.03w·m^-1·k^-1，或者小于0.02w·m^-1·k^-1。可选地，图案化热障层包括单层。可选地，图案化热障层包括多个子层。在本公开中，可使用各种适当的热障材料。适当的热障材料的示例包括各种有机热障材料、诸如各种绝热陶瓷材料的各种无机热障材料。有机热障材料的示例包括聚酰亚胺。绝热陶瓷材料的示例包括氧化铝。

因此，一些实施例中的供体基板1包括被图案化热障层20占据的热障区域t、以及未被图案化热障层20占据且对应于多个开口30的无热障区域f。基底基板10在热障区域t和在无热障区域f中的结构和组成基本上一致。例如，热障区域t中在图案化热障层20之下的基底基板10和无热障区域f中暴露于多个开口30的基底基板10具有基本相同的材料。可选地，图案化热障层20与基底基板10接触。

在一些实施例中，供体衬底1配置为：在整个基底基板10上被基本均匀地加热。例如，在热障区域t和无热障区域f中的基底基板10配置为被基本上均匀地加热。供体基板1不包括配置为选择性地加热无热障区域f或选择性地加热热障区域t的加热结构。由于在热障区域t中存在图案化热障层20，因此为沉积在图案化热障层20的表面上的物质挡住了基底基板10中的热，或者，热量从热障区域t中的基底基板10传递到沉积在图案化热障层20表面上的物质会花费更长时间。由于无热障区域f中没有图案化热障层20，因此沉积在无热障区域f中(例如，在多个开口30中)的基底基板10的表面上的物质由无热障区域f中的基底基板10直接加热，而不需要额外的加热结构。可选地，除了是否具有图案化热障层20之外，供体基板1的热障区域t和无热障区域f的结构相同。

在一些实施例中，基底基板10包括多层。可选地，基底基板10包括配置为基本上均匀地加热基底基板的加热层。可选地，加热层是在热障区域t中与图案化热障层20接触且在无热障区域f中暴露于多个开口30的层。可选地，加热层配置为非选择性地加热热障区域t中和无热障区域f中的基底基板10。可选地，基底基板10还包括热传播层，其配置为基本上均匀地分布由加热层发出的热。可选地，热传播层是在热障区域t中与图案化热障层20接触且在无热障区域f中暴露于多个开口30的层。可选地，热传播层配置为将热量非选择性地分布至热障区域t中和无热障区域f中的基底基板10。可选地，基底基板10还包括配置为使基底基板10冷却的冷却层。在多层结构中，在热障区域t中与图案化热障层20接触且在无热障区域f中暴露于多个开口30的层是贯穿热障区域t和无热障区域f的连续层。该连续层在热障区域t和无热障区域f中的结构和组成基本上一致。可选地，多层结构的在热障区域t中位于图案化热障层20之下的连续层和在无热障区域f中暴露于多个开口30的连续层具有基本相同的材料。

图2是示出根据本公开的一些实施例中的供体基板1中的多个开口之一的结构的示意图。参照图2，与供体基板1相对地放置受体基板3。受体基板3与供体基板1对齐，例如，多个开口30中的每一个与受体基板3中的多个目标区域c之一对齐。

参照图2，多个开口30中的每一个具有暴露基底基板10的第一侧s1和暴露图案化热障层20的第二侧s2。第二侧s2连接至第一侧s1。如图2所示，第二侧s2和第一侧s1形成夹角θ。可选地，第二侧s2与第一侧s1之间的夹角θ在约70度至约110度的范围内，例如，在约80度至约100度的范围内，在约85度至约95度的范围内，在约90度至约95度的范围内，以及约为90度。

通过这种设计，从多个开口30中的一个开口的第一侧s1蒸发的沉积材料配置为沉积到受体基板3中的多个第一区域a中的一个第一区域中，从而在受体基板3上形成沉积材料层。受体基板3中的多个第一区域a中的每一个对应于受体基板中的多个目标区域c中的一个。多个第一区域a中的每一个包括第二区域b，沉积材料层在第二区域b中具有基本上一致的厚度。在第二区域b之外的沉积材料层的厚度可小于第二区域b中的沉积材料层的厚度。可选地，为了确保在多个目标区域c中的每一个中形成厚度基本上一致的沉积材料层，将供体基板1以及多个开口30的结构设计为使得第二区域b大于多个目标区域c中的对应的一个，例如，第二区域b在基底基板10上的正投影覆盖多个目标区域c中的对应的一个在基底基板10上的正投影。可选地，多个第一区域a中的每一个与多个目标区域c中的与之相邻的目标区域基本上不重叠。可选地，多个第一区域a彼此基本上不重叠。

可以使用各种适当的热障材料和各种适当的方法来制造图案化热障层20。在一些实施例中，图案化热障层20由光致抗蚀剂热障材料(例如，具有聚酰亚胺的光致抗蚀剂热障材料)制成。

另一方面，本公开提供了一种制造用于将沉积材料沉积在受体基板上的供体基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成热障材料层；以及形成贯穿热障材料层且暴露基底基板的多个开口。可选地，形成热障材料层的步骤包括：使用光致抗蚀剂热障材料(例如，聚酰亚胺)形成热障材料层。可选地，形成多个开口的步骤包括：利用掩模板对热障材料层进行曝光，以获得曝光后的热障材料层；以及对曝光后的热障材料层进行显影以获得图案化热障层和所述多个开口。

图3a至图3c示出了根据本公开的一些实施例中的制造供体基板的过程。参照图3a，在基底基板10上形成光致抗蚀剂热障材料层20'。光致抗蚀剂热障材料层20'包括光致抗蚀剂热障材料(例如，聚酰亚胺)。参照图3b，使用掩模板50对热障材料层20'进行曝光，以获得曝光后的热障材料层20”。参照图3c，对曝光后的热障材料层20”进行显影以获得图案化热障层20和多个开口30。多个开口30中的每一个贯穿图案化热障层20，从而暴露出下方的基底基板10。

可使用各种替代方法来制造图案化热障层20。在一个示例中，可将图案化热障层20喷墨打印在基底基板10上。在另一示例中，可通过丝网印刷制造图案化热障层20。

另一方面，本公开提供了一种将沉积材料沉积在受体基板上的方法。在一些实施例中，所述方法包括：提供本文所述的或通过本文所述的方法制造的供体基板，将蒸发的沉积材料沉积在该供体基板上；以及加热供体基板从而将图案化热障层上的蒸发的沉积材料转移至受体基板。可选地，蒸发的沉积材料在所述多个开口中沉积在基底基板上，从而形成第一沉积材料层，并且在所述多个开口之外沉积在图案化热障层上，从而形成第二沉积材料层。可选地，所述方法还包括：将受体基板设置在供体基板的图案化热障层的远离基底基板的一侧；将供体基板的基底基板基本上均匀地加热至第一温度，第一沉积材料层中的沉积材料在所述第一温度下蒸发；以及将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中。可选地，在基本上均匀地加热基底基板之前，所述方法还包括：将供体基板中的多个开口与受体基板中的多个目标区域对齐。可选地，在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中之后，所述方法还包括：将供体基板和受体基板分开一段距离来中断沉积材料从供体基板到受体基板的沉积。可选地，所述方法还包括：控制对供体基板的基底基板进行加热的加热速率和加热持续时间，以使得在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中的过程中，第二沉积材料层中的沉积材料基本上不蒸发。可选地，将加热速率和加热持续时间控制为使得图案化热障层在加热期间的第二温度低于第二沉积材料层中的沉积材料的蒸发温度。可选地，在分开供体基板和受体基板之后，所述方法还包括：加热供体基板以去除第二沉积材料层中的沉积材料和第一沉积材料层中的残余沉积材料；以及将供体基板冷却。

在一些实施例中，在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中之后，所述方法还包括：将供体基板冷却至第二温度，第一沉积材料层中的沉积材料在所述第二温度下基本上不蒸发；将供体基板的基底基板加热至第三温度，第一沉积材料层中的剩余沉积材料在所述第三温度下蒸发；以及将从第一沉积材料层蒸发的剩余沉积材料沉积到受体基板的多个目标区域中。可选地，将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板中的多个第一区域中，从而在受体基板上形成第三沉积材料层，所述多个第一区域中的每一个对应于受体基板中的所述多个目标区域中的一个；并且，所述多个第一区域中的每一个包括第三沉积材料层在其中具有基本上一致的厚度的第二区域。可选地，在将从第一沉积材料层蒸发的沉积材料沉积到受体基板中的多个目标区域中期间，将受体基板和供体基板分开一段距离，以使得第二区域大于所述多个目标区域中对应于第二区域的一个，并且所述多个第一区域中的每一个与所述多个目标区域中的与之相邻的目标区域基本上不重叠。可选地，所述多个第一区域彼此基本上不重叠。

可选地，在将蒸发的沉积材料沉积在供体基板上之前，所述方法还包括：将供体基板冷却。

如本文所用，术语“蒸发”是固态或液态的物质变为蒸汽的相变。在本公开的上下文中，术语“蒸发”应被理解为包括蒸发和升华两者，术语“蒸发温度”应被理解为蒸发温度和升华温度中的一者。

图4a至图4d示出了根据本公开的一些实施例中的将沉积材料沉积在受体基板上的过程。参照图4a，将供体基板1放置在具有多个喷嘴2的坩埚上。多个喷嘴2配置为将蒸发的沉积材料散布到位于热障区域t中和位于无热障区域f中的供体基板1上。蒸发的沉积材料沉积在多个开口30中的基底基板10上，从而形成第一沉积材料层40a。蒸发的沉积材料在多个开口30之外沉积在图案化热障层20的远离基底基板10的一侧，从而形成第二沉积材料层40b。在沉积处理期间，可将供体基板1的温度控制在相对低的温度以促进蒸发的沉积材料的沉积。在沉积处理期间或在沉积处理之后，供体基板1的温度可保持在相对低的温度，以使得图案化热障层20和沉积在第二沉积材料层40b中的任何物质在随后的转移处理中保持在相对低的温度，在转移处理期间，第一沉积材料层40a中的沉积材料蒸发并转移至受体基板，而第二沉积材料层40b中的沉积材料基本不蒸发。

参照图4b，在将蒸发的沉积材料沉积在供体基板1上之后，与供体基板1相对地放置受体基板3，例如，将受体基板3放置在供体基板1的图案化热障层20的远离供体基板1的基底基板10的一侧。供体基板1中的多个开口30与受体基板3中的多个目标区域c(见图2)对齐。将供体基板1的整个基底基板10基本上均匀地加热至第一温度，第一沉积材料层中的沉积材料在第一温度下蒸发。例如，在热障区域t和无热障区域f中的基底基板10配置为被基本上均匀地非选择性地加热。供体基板1不包括配置为选择性地加热无热障区域f或选择性地加热热障区域t的加热结构。由于在热障区域t中存在图案化热障层20，因此为图案化热障层20的表面上的第二沉积材料层40b挡住了基底基板10中产生的热，或者，热量从热障区域t中的基底基板10传递到图案化热障层20表面上的第二沉积材料层40b会花费更长时间。由于无热障区域f中没有图案化热障层20，因此无热障区域f中(例如，在多个开口30中)的基底基板10的表面上的第一沉积材料层40a由无热障区域f中的基底基板10直接加热，而不需要额外的加热结构。

结果，当基底基板10的温度被控制在第一温度时，第一沉积材料层40a中的沉积材料蒸发，而第二沉积材料层40b中的沉积材料基本不蒸发。如图4b所示，将从第一沉积材料层40a蒸发的沉积材料沉积到受体基板3中的多个目标区域c(见图2)中，从而在受体基板3上形成第三沉积材料层40c。位于多个开口30中的第一沉积材料层40a中的物质完全蒸发并转移到受体基板3，或者，多个开口30中的第一沉积材料层40a部分地蒸发并具有如图4b所示的减小的厚度。

参照图4c，在将从第一沉积材料层40a蒸发的沉积材料沉积到受体基板3的多个目标区域c(见图2)中之后，将供体基板1和受体基板3分开一段距离来中断沉积材料从供体基板1到受体基板3的沉积。例如，可从沉积腔室移除供体基板1。可替代地，从沉积腔室中移除供体基板1和受体基板3两者。

可将供体基板1的基底基板10的加热速率和加热持续时间控制为使得在将从第一沉积材料层40a蒸发的沉积材料沉积到受体基板3的多个目标区域c中的过程中，第二沉积材料层40b中的沉积材料基本上不蒸发。例如，可以使用相对快的加热速率和相对短的加热持续时间来使第一沉积材料层40a的温度快速升高到蒸发/升华温度以上，而第二沉积材料层40b的温度由于图案化热障层20的存在而保持在蒸发/升华温度以下。在一个示例中，可将供体基板1的基底基板10的加热速率和加热持续时间控制为使得在将供体基板1和受体基板3分离以停止将来自供体基板1的第一沉积材料层40a的沉积材料沉积到受体基板3中的多个目标区域c中之前，第二沉积材料层40b中的沉积材料基本上不蒸发。

参照图4d，在一些实施例中，在分开供体基板和受体基板之后，加热供体基板1以去除第二沉积材料层40b中的沉积材料和第一沉积材料层40a中的任何残余沉积材料。一旦供体基板1被清空，就将供体基板1冷却到适于下一轮中材料沉积的温度。例如，在清空步骤之后，供体基板1的温度可保持在相对低的温度，以使得图案化热障层20和沉积在第二沉积材料层40b中的任何物质在随后的转移处理中保持在相对低的温度，在转移处理期间，第一沉积材料层40a中的沉积材料蒸发并转移至受体基板3，而第二沉积材料层40b中的沉积材料基本不蒸发。

在一些实施例中，可在多个步骤中执行受体基板3中的层的沉积，在所述多个步骤中对供体基板1的基底基板10反复地加热和冷却。在第一循环中，将供体基板1的整个基底基板10基本上均匀地加热至第一温度，在第一温度下第一沉积材料层40a中的沉积材料蒸发而第二沉积材料层40b中的沉积材料基本上不蒸发。从第一沉积材料层40a蒸发的沉积材料被沉积到受体基板3的多个目标区域c中。随后将供体基板1冷却下来以防止或避免来自第二沉积材料层40b的沉积材料的任何蒸发。例如，将供体基板1冷却到第二温度，第一沉积材料层40a和第二沉积材料层40b中的沉积材料在第二温度下基本不蒸发。在第二循环中，将供体基板1的整个基底基板10基本上均匀地加热至第三温度，在第三温度下第一沉积材料层中的剩余沉积材料蒸发而第二沉积材料层40b中的沉积材料基本上不蒸发。第一沉积材料层40a中的剩余沉积材料(在第一循环中剩余)的至少一部分被沉积到受体基板3的多个目标区域c中。反复处理不限于两个循环，并且可以在多于两个的循环(例如3个、4个、5个或更多个循环)中执行，或执行直到第一沉积材料层40a中的物质完全蒸发为止。

参照图2和图4a至图4d，在一些实施例中，将从第一沉积材料层40a蒸发的沉积材料沉积到受体基板3中的多个第一区域a中，从而在受体基板3上形成第三沉积材料层40c。多个第一区域a中的每一个对应于受体基板3中的多个目标区域c中的一个。多个第一区域a中的每一个包括第二区域b，第三沉积材料层40c在第二区域b中具有基本上一致的厚度。在第二区域b之外的第三沉积材料层40c的厚度可小于第二区域b中的第三沉积材料层40c的厚度。可选地，为了确保在多个目标区域c中的每一个中形成厚度基本上一致的第三沉积材料层40c，将供体基板1以及多个开口30的结构设计为使得第二区域b大于多个目标区域c中的对应的一个，例如，第二区域b在基底基板10上的正投影覆盖多个目标区域c中的对应的一个在基底基板10上的正投影。

在一些实施例中，在将从第一沉积材料层40a蒸发的沉积材料沉积到受体基板3中的多个目标区域c期间，受体基板3和供体基板1隔开一段距离，以使得第二区域b大于多个目标区域c中的对应于该第二区域b的一个。可选地，多个第一区域a中的每一个与多个目标区域c中的与之相邻的目标区域基本上不重叠。可选地，多个第一区域a彼此基本上不重叠。

另一方面，本公开提供了一种蒸镀装置。在一些实施例中，该蒸镀装置包括：本文所述的或通过本文所述的方法制造的供体基板；以及配置为将蒸发的沉积材料沉积在该供体基板上的坩埚(例如，具有多个喷嘴的坩埚)。

已经以示意和说明为目的而呈现了本发明实施例的以上描述。其并非旨在穷举性的，也并非旨在将本发明限于所公开的精确形式或示例性实施例。因此，以上描述应当视为示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术实践人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式的实际应用，以使得本领域技术人员能够通过各种实施例以及适于特定应用或所构思的实施方式的各种修改例来理解本发明。除非另外指明，否则本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价形式限定，在其中所有术语应当被理解为其最宽泛的合理含义。因此，术语“所述发明”、“本发明”等并不一定将权利要求的范围限定在特定的实施例，并且参照本发明示例性实施例并不意味着对本发明的限制，也不应推断出任何这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围所限定。此外，这些权利要求可适于在名词或元件之前使用“第一”、“第二”等。这些术语应当理解为一种命名法，而不应被理解为对这些命名法所修饰的元件的数量进行限制，除非已经给出了具体的数量。所描述的任何优点和益处可不适用于本发明的所有实施例。应当理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行各种变化。此外，本公开的任何元件和组件均不旨在贡献给公众，无论所述元件或组件是否在所附权利要求中明确记载。