1.一种在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
在溅镀腔室内，对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜后得到由至少两层溅镀膜构成的溅镀层；
其中，至少部分相邻两次溅射镀膜的步骤之间包括改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的步骤。
2.根据权利要求1所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述溅镀层为黑化层。
3.根据权利要求1所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述溅镀腔室包括用于供基材层进入的阀门，所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的包括：
改变基材层的第一面与阀门的相对位置。
4.根据权利要求3所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述改变基材层的第一面与阀门的相对位置包括：
使改变基材层的第一面相对于其中垂线旋转。
5.根据权利要求3所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜包括：对基材层进行两次溅射镀膜，分别为第一次溅射镀膜、第二次溅射镀膜，其中，第一次溅射镀膜得到第一溅镀膜，第二次溅射镀膜得到第二溅镀膜；所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置包括：
将溅镀有第一溅镀膜的基材层在平面内旋转，以使第一溅射镀膜靠近溅镀腔室阀门的一侧旋转至远离溅镀腔室阀门的一侧。
6.根据权利要求5所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，将基材层送进溅镀腔室前还包括将基材层加热至80-120℃的步骤；所述镀膜功率为10～16kw，所述第一溅镀膜的厚度范围为300埃-600埃，所述第二溅镀膜的厚度范围为300埃-600埃。
7.根据权利要求1所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述溅镀腔室内通有溅镀环境气体，所述溅镀环境气体包括惰性气体，所述惰性气体流量为100～200sccm；所述溅镀腔室内通有溅镀反应气体，所述溅镀反应气体包括氧气，所述氧气流量为100～110sccm。
8.根据权利要求7所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述溅镀反应气体还包括氮气，所述氮气流量为8～12sccm。
9.一种具有溅镀层的基材层，其特征在于，所述溅镀层由权利要求1-8任一项所述的方法制成。
10.一种触控基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
采用权利要求1-8任一项所述的方法在基材层上形成溅镀层作为黑化层；
在黑化层上形成金属网触控电极。