本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，具体涉及一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法。
背景技术：
随着社会经济的快速发展，能源与环境的可持续发展已成为人类生存中两个不可避免的重大考验。新能源的开发与利用应运而生，并受到引起全球的关注与重视。以独特优势的太阳能在众多新能源中崭露头角，成为了新能源行业的领头军。化合物薄膜太阳能电池作为第二代太阳能电池，具有成本低，易大规模生产，物化性能稳定，转换效率高等优势，且受到很多研究机构和公司的关注。
CdTe薄膜太阳能电池作为薄膜电池的代表，在经过多年的发展，目前效率以达到22％成为了太阳能电池行业的“新宠儿”。传统的CdTe薄膜电池主要由导电玻璃衬底、CdS窗口层、CdTe吸收层以及金属背电极层组成，该电池结构简单，制备工艺也较为成熟。但是，对于此结构的电池，存在较大的弊端：光电材料受光激发后，光阳极产生载流子，部分受光激发产生的载流子将反向流动，回到基态与光生空穴复合，降低载流子的利用率，抑制电池效率的进一步提高。
目前，为了优化电子的传递，人们对CdS窗口层进行改进与优化，增加膜层厚度、优化薄膜结构或对膜层进行表面处理，增加电子的传输途径，以达到降低载流子复合的几率。现有CdS窗口层的优化措施在一定程度上确实可以改善光生载流子的传递效率，但对CdS进行表面改性或结构的改变又会影响材料本身的性能，尤其是当窗口层的厚度增加后，会降低FTO衬底的透光率，直接影响达到光吸收材料的光能量，使得太阳能电池的效率不会有太大变化，基本等于“功过相抵”。
技术实现要素：
有鉴于此，本申请提供一种具有新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法，该该电池中包含了TiO2阻挡层结构，利用能级差异间形成的能级势垒，与CdS窗口层形成多级跃迁结构，提高电池中载流子的传递效率，增加载流子的利用率，降低复合，达到效提升效率的目标。
为解决以上技术问题，本发明提供的技术方案是一种新型结构的碲化镉薄膜电池，其特征在于，所述薄膜电池依次设置有衬底层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层，所述衬底层和所述窗口层之间还设置有阻挡层，所述阻挡层的材料为TiO2。
优选的，所述衬底层为FTO导电玻璃，所述窗口层为硫化镉窗口层，所述光吸收层为碲化镉薄膜层，所述背接触层为铜背接触层，所述背电极层为钼镍复合背电极层。
优选的，所述衬底层中导电膜的厚度为50～300nm，所述阻挡层的厚度为200～600nm，所述窗口层的厚度为200～300nm，所述光吸收层的厚度为2～5μm，所述背接触层的厚度为50～150nm，所述背电极层的厚度为200～500nm。
本发明还提供一种新型结构的碲化镉薄膜电池的制备方法，所述制备方法包括依次设置的以下步骤：(1)以FTO导电玻璃为衬底层，在所述衬底层上制备一层TiO2阻挡层；(2)在所述TiO2阻挡层上沉积硫化镉窗口层；(3)在所述硫化镉窗口层上沉积碲化镉光吸收层，进行活化处理，然后退火处理；(4)在所述碲化镉光吸收层上制备铜背接触层；(5)在所述铜背接触层上沉积钼镍复合背电极层。
其中衬底层的材料选择FTO导电玻璃，衬底尺寸可根据实际需求进行调整或裁剪。衬底的清洗选用无水乙醇溶液、丙酮溶液或蒸馏水进行清洗，清洗方法为超声、滚刷或喷淋中的任意一种；清洗完成后在烘箱中进行烘干，烘干温度为50-80℃，烘干完成后可直接用于后续工艺操作或保存在无尘空间以备用。
优选的，所述TiO2阻挡层的制备方法选自水热法或溶胶-凝胶旋涂法中的任意一种。
优选的，所述水热法具体为以聚四氟乙烯内胆反应釜为反应容器，移取适量TiCl4溶液到反应釜中，然后放入FTO玻璃，盖上盖子，拧紧钢制外壳；将反应釜放入烘燥箱中，以不超过100℃/h的升温速度将温度控制在180～195℃，并保持5～12h；反应完成后，取出玻璃，洗净干燥后，进行热处理，待冷却后，即得到TiO2阻挡层。
具体的，以聚四氟乙烯内胆反应釜为反应容器，移取适量TiCl4溶液到反应釜中，溶液不超过反应釜体积的2/3；然后放入FTO玻璃，盖上盖子，拧紧钢制外壳；将反应釜放入烘燥箱中，以不超过100℃/h的升温速度将温度控制在180～195℃，并保持5～12h；待反应完成后，取出玻璃，洗净干燥后，进行热处理，450～480℃，保持30～45min，待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
在此过程中，可通过调节TiCl4溶液的浓度以及水热反应的时间进行薄膜厚度的控制，获得的薄膜厚度在200～600nm内。当薄膜厚度不同时，可获得不同的优化性能，通过多次试验可获得最优的薄膜厚度。
优选的，所述TiCl4溶液的制备方法具体为：选择500mL的烧杯为容器，洗净烘干，然后加入300mL的蒸馏水；将烧杯在-15～-25℃温度下冷冻12～24h；将盛有冰水的烧杯放在通风橱中，打开通风橱抽气/换气按钮，采用移液管移取适量TiCl4液体，缓慢的加入到冰水中，加入速度控制在1～3滴/分钟；将烧杯放入水浴锅中，控制温度在60～80℃，将冰水融化即得到TiCl4溶液；
具体的，选择500mL的烧杯为容器，洗净烘干，然后加入300mL的蒸馏水；接下来将烧杯放入冰箱中(-15～-25℃)，12～24h后，待烧杯中的水完全冻住后取出烧杯；取用1mL的移液管，采用洗耳球将移液管洗净并烘干后，进行TiCl4溶液的配置；将盛有冰水的烧杯放在通风橱中，打开通风橱抽气/换气按钮，采用移液管移取适量TiCl4液体，缓慢的加入到冰水中，加入速度控制在1～3滴/分钟,以达到最好的配置效果；将烧杯放入水浴锅中，控制温度在60～80℃，将冰水融化，获得澄清的TiCl4溶液；
优选的，所述溶胶-凝胶旋涂法具体为以TiO2透明溶胶为旋涂液，在FTO玻璃上进行均匀旋涂，实现TiO2的涂覆然后进行热处理即得到TiO2阻挡层。
以钛酸丁酯、无水乙醇、聚乙二醇(PEG)、去离子水为原料，四者体积比控制在6～15：22～36:1～5：1～5内，通过加入适量去离子水及冰乙酸调节溶液的pH值至3～4，经过均匀搅拌后，获得透明TiO2溶胶，在室温(25℃左右)条件下静置12-24h后，即可进行薄膜旋涂操作。
将洗净的FTO放置于匀胶机吸盘正中位置上，打开真空将FTO吸附于吸盘上；采用胶头滴管将TiO2溶胶均匀滴加于FTO玻璃上；通过调节工艺旋涂时间(10～50s)与涂覆次数(1～3次)，获得不同厚度及质量的薄膜。待薄膜烘干后再进行热处理，在450～480℃温度下处理30～45min，待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
优选的，所述步骤(3)中活化处理具体为采用浓度为0.05-0.35mol/L的CdCl2甲醇溶液对硫化镉窗口层进行活化处理，采用滚轴涂覆法，确保薄膜表面均负载CdCl2，退火处理的温度为300～500℃。
优选的，所述硫化镉窗口层和所述碲化镉光吸收层的制备方法为气相沉积法，所述铜背接触层和所述镍钼复合背电极层的沉积方法为磁控溅射法。
本发明中采用薄膜沉积速度快、制成效率高的气相传输沉积(VTD)法，进行CdS窗口层和CdTe吸收层的制备，提高工作效率。在此过程中，以N2、He或者Ar作为输运气体，控制气体流量，以制备出厚度均匀，性能优越的光电薄膜。
再采用浓度为0.05-0.35mol/L的CdCl2甲醇溶液对光电薄膜进行表面浸泡处理，确保薄膜表面均负载CdCl2；接着在温度350-450℃条件下进行退火，提高窗口层与吸收层薄膜的均匀性与再结晶性。薄膜冷却完成后，对薄膜进行清洗，除去FTO背面及边界处的残留物。
在本发明中，可根据实际需求，对电池样品进行激光刻线，进而实现电池串联，最后经过封装工艺完成碲化镉薄膜电池的制备。
本申请与现有技术相比，其详细说明如下：本发明提供了一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法，该电池中包含了TiO2阻挡层结构，TiO2作为一种优良的半导体材料，具有优越的光电性能，具备很好的电子传输速率，可以实现电池内部载流子的快速传递。此外，以TiO2作为阻挡层结构，并用到碲化镉薄膜电池中，利用能级差异间形成的能级势垒，与CdS窗口层形成多级跃迁结构，提高电池中载流子的传递效率，增加载流子的利用率，降低复合，达到效提升效率的目标。
附图说明
图1为本发明的一种新型结构的碲化镉薄膜电池的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
如图1所示，一种新型结构的碲化镉薄膜电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，TiO2阻挡层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层，Cu背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为50nm，TiO2阻挡层厚度为200nm，硫化镉窗口层的厚度为200nm，碲化镉光吸收层的厚度为2μm，Cu背接触层的厚度为50nm，钼镍复合背电极层的厚度为200nm。
上述碲化镉太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃为衬底材料，将其裁剪为2cm×2cm大小，采用超声波清洗法，先后用无水乙醇溶液、丙酮溶液、蒸馏水进行清洗，50℃条件下烘干后保存备用。
(2)配制TiCl4溶液：①选择500mL的烧杯为容器，洗净烘干，然后加入300mL的蒸馏水；接下来将烧杯放入冰箱中(-15～-25℃)，12～24h后，待烧杯中的水完全冻住后取出烧杯；②取用1mL的移液管，采用洗耳球将移液管洗净并烘干后，进行TiCl4溶液的配置；③将盛有冰水的烧杯放在通风橱中，打开通风橱抽气/换气按钮，采用移液管移取适量TiCl4液体，缓慢的加入到冰水中，加入速度控制在1～3滴/分钟,以达到最好的配置效果；④将烧杯放入水浴锅中，控制温度在60～80℃，将冰水融化，获得澄清的TiCl4溶液；
(3)采用水热法制备TiO2阻挡层：①以聚四氟乙烯内胆反应釜为反应容器，移取适量TiCl4溶液到反应釜中，(溶液不超过反应釜体积的2/3)；然后放入FTO玻璃，盖上盖子，拧紧钢制外壳；②将反应釜放入烘燥箱中，以不超过100℃/h的升温速度将温度控制在180℃，并保持12h；③待反应完成后，取出玻璃，洗净干燥后，进行热处理，450℃，保持45min,待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
(4)在阻挡层上采用气相沉积法制备硫化镉窗口层，厚度为200nm。
(5)在硫化镉窗口层上采用气相沉积法制备碲化镉光吸收层，厚度为2μm。
(6)配置浓度为0.05mol/L的CdCl2甲醇溶液进行CdS/CdTe层的活化处理，采用来回滚轴涂覆法，确保薄膜表面均负载CdCl2，然后在温度300℃条件下进行退火，薄膜冷却完成后，对薄膜进行清洗，除去FTO背面及边界处的残留物，保证FTO具备好的透光性，以及膜面的清洁性。
(7)在碲化镉光吸收层上采用磁控溅射法先进性Cu背接触层的制备，厚度为50nm。
(8)在背接触层上采用磁控溅射法进行Mo/Ni背电极的制备，背电极层的厚度为200nm。
(9)根据实际需求，对电池样品进行激光刻线，进而实现电池串联，最后经过封装工艺完成碲化镉薄膜电池的制备。
实施例2
如图1所示，一种新型结构的碲化镉薄膜电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，TiO2阻挡层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层，Cu背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为100nm，TiO2阻挡层厚度为300nm，硫化镉窗口层的厚度为250nm，碲化镉光吸收层的厚度为3μm，Cu背接触层的厚度为100nm，钼镍复合背电极层的厚度为300nm。
上述碲化镉太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃为衬底材料，将其裁剪为2cm×2cm大小，采用超声波清洗法，先后用无水乙醇溶液、丙酮溶液、蒸馏水进行清洗，50℃条件下烘干后保存备用。
(2)配制TiCl4溶液：①选择500mL的烧杯为容器，洗净烘干，然后加入300mL的蒸馏水；接下来将烧杯放入冰箱中(-15～-25℃)，12～24h后，待烧杯中的水完全冻住后取出烧杯；②取用1mL的移液管，采用洗耳球将移液管洗净并烘干后，进行TiCl4溶液的配置；③将盛有冰水的烧杯放在通风橱中，打开通风橱抽气/换气按钮，采用移液管移取适量TiCl4液体，缓慢的加入到冰水中，加入速度控制在1～3滴/分钟,以达到最好的配置效果；④将烧杯放入水浴锅中，控制温度在60～80℃，将冰水融化，获得澄清的TiCl4溶液；
(3)采用水热法制备TiO2阻挡层：①以聚四氟乙烯内胆反应釜为反应容器，移取适量TiCl4溶液到反应釜中，(溶液不超过反应釜体积的2/3)；然后放入FTO玻璃，盖上盖子，拧紧钢制外壳；②将反应釜放入烘燥箱中，以不超过100℃/h的升温速度将温度控制在190℃，并保持10h；③待反应完成后，取出玻璃，洗净干燥后，进行热处理，460℃，保持40min,待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
(4)在阻挡层上采用气相沉积法制备硫化镉窗口层，厚度为250nm。
(5)在硫化镉窗口层上采用气相沉积法制备碲化镉光吸收层，厚度为3μm。
(6)配置浓度为0.1mol/L的CdCl2甲醇溶液进行CdS/CdTe层的活化处理，采用来回滚轴涂覆法，确保薄膜表面均负载CdCl2，然后在温度300℃条件下进行退火，薄膜冷却完成后，对薄膜进行清洗，除去FTO背面及边界处的残留物，保证FTO具备好的透光性，以及膜面的清洁性。
(7)在碲化镉光吸收层上采用磁控溅射法先进性Cu背接触层的制备，厚度为100nm。
(8)在背接触层上采用磁控溅射法进行Mo/Ni背电极的制备，背电极层的厚度为300nm。
(9)根据实际需求，对电池样品进行激光刻线，进而实现电池串联，最后经过封装工艺完成碲化镉薄膜电池的制备。
实施例3
如图1所示，一种新型结构的碲化镉薄膜电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，TiO2阻挡层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层，Cu背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为150nm，TiO2阻挡层厚度为400nm，硫化镉窗口层的厚度为300nm，碲化镉光吸收层的厚度为4μm，Cu背接触层的厚度为150nm，钼镍复合背电极层的厚度为400nm。
上述碲化镉太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃为衬底材料，将其裁剪为2cm×2cm大小，采用超声波清洗法，先后用无水乙醇溶液、丙酮溶液、蒸馏水进行清洗，50℃条件下烘干后保存备用。
(2)配制TiCl4溶液：①选择500mL的烧杯为容器，洗净烘干，然后加入300mL的蒸馏水；接下来将烧杯放入冰箱中(-15～-25℃)，12～24h后，待烧杯中的水完全冻住后取出烧杯；②取用1mL的移液管，采用洗耳球将移液管洗净并烘干后，进行TiCl4溶液的配置；③将盛有冰水的烧杯放在通风橱中，打开通风橱抽气/换气按钮，采用移液管移取适量TiCl4液体，缓慢的加入到冰水中，加入速度控制在1～3滴/分钟,以达到最好的配置效果；④将烧杯放入水浴锅中，控制温度在60～80℃，将冰水融化，获得澄清的TiCl4溶液；
(3)采用水热法制备TiO2阻挡层：①以聚四氟乙烯内胆反应釜为反应容器，移取适量TiCl4溶液到反应釜中，(溶液不超过反应釜体积的2/3)；然后放入FTO玻璃，盖上盖子，拧紧钢制外壳；②将反应釜放入烘燥箱中，以不超过100℃/h的升温速度将温度控制在195℃，并保持6h；③待反应完成后，取出玻璃，洗净干燥后，进行热处理，480℃，保持30min,待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
(4)在阻挡层上采用气相沉积法制备硫化镉窗口层，厚度为300nm。
(5)在硫化镉窗口层上采用气相沉积法制备碲化镉光吸收层，厚度为4μm。
(6)配置浓度为0.15mol/L的CdCl2甲醇溶液进行CdS/CdTe层的活化处理，采用来回滚轴涂覆法，确保薄膜表面均负载CdCl2，然后在温度300℃条件下进行退火，薄膜冷却完成后，对薄膜进行清洗，除去FTO背面及边界处的残留物，保证FTO具备好的透光性，以及膜面的清洁性。
(7)在碲化镉光吸收层上采用磁控溅射法先进性Cu背接触层的制备，厚度为150nm。
(8)在背接触层上采用磁控溅射法进行Mo/Ni背电极的制备，背电极层的厚度为400nm。
(9)根据实际需求，对电池样品进行激光刻线，进而实现电池串联，最后经过封装工艺完成碲化镉薄膜电池的制备。
实施例4
如图1所示，一种新型结构的碲化镉薄膜电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，TiO2阻挡层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层，Cu背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为300nm，TiO2阻挡层厚度为600nm，硫化镉窗口层的厚度为300nm，碲化镉光吸收层的厚度为5μm，Cu背接触层的厚度为150nm，钼镍复合背电极层的厚度为500nm。
上述碲化镉太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃为衬底材料，将其裁剪为2cm×2cm大小，采用超声波清洗法，先后用无水乙醇溶液、丙酮溶液、蒸馏水进行清洗，50℃条件下烘干后保存备用。
(2)配制TiCl4溶液：①选择500mL的烧杯为容器，洗净烘干，然后加入300mL的蒸馏水；接下来将烧杯放入冰箱中(-15～-25℃)，12～24h后，待烧杯中的水完全冻住后取出烧杯；②取用1mL的移液管，采用洗耳球将移液管洗净并烘干后，进行TiCl4溶液的配置；③将盛有冰水的烧杯放在通风橱中，打开通风橱抽气/换气按钮，采用移液管移取适量TiCl4液体，缓慢的加入到冰水中，加入速度控制在1～3滴/分钟,以达到最好的配置效果；④将烧杯放入水浴锅中，控制温度在60～80℃，将冰水融化，获得澄清的TiCl4溶液；
(3)采用水热法制备TiO2阻挡层：①以聚四氟乙烯内胆反应釜为反应容器，移取适量TiCl4溶液到反应釜中，(溶液不超过反应釜体积的2/3)；然后放入FTO玻璃，盖上盖子，拧紧钢制外壳；②将反应釜放入烘燥箱中，以不超过100℃/h的升温速度将温度控制在190℃，并保持10h；③待反应完成后，取出玻璃，洗净干燥后，进行热处理，480℃，保持45min,待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
(4)在阻挡层上采用气相沉积法制备硫化镉窗口层，厚度为300nm。
(5)在硫化镉窗口层上采用气相沉积法制备碲化镉光吸收层，厚度为5μm。
(6)配置浓度为0.25mol/L的CdCl2甲醇溶液进行CdS/CdTe层的活化处理，采用来回滚轴涂覆法，确保薄膜表面均负载CdCl2，然后在温度300℃条件下进行退火，薄膜冷却完成后，对薄膜进行清洗，除去FTO背面及边界处的残留物，保证FTO具备好的透光性，以及膜面的清洁性。
(7)在碲化镉光吸收层上采用磁控溅射法先进性Cu背接触层的制备，厚度为150nm。
(8)在背接触层上采用磁控溅射法进行Mo/Ni背电极的制备，背电极层的厚度为500nm。
(9)根据实际需求，对电池样品进行激光刻线，进而实现电池串联，最后经过封装工艺完成碲化镉薄膜电池的制备。
实施例5
如图1所示，一种新型结构的碲化镉薄膜电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，TiO2阻挡层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层，Cu背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为50nm，TiO2阻挡层厚度为200nm，硫化镉窗口层的厚度为200nm，碲化镉光吸收层的厚度为2μm，Cu背接触层的厚度为50nm，钼镍复合背电极层的厚度为200nm。
制备方法除步骤(3)不同，其他步骤与实施例1相同，步骤(3)为采用溶胶-凝胶旋涂法进行TiO2阻挡层的制作，以钛酸丁酯、无水乙醇、聚乙二醇(PEG)、去离子水为原料，四者体积比控制在6～15：22～36:1～5：1～5内，通过加入适量去离子水及冰乙酸调节溶液的pH值至3～4，经过均匀搅拌后，获得透明TiO2溶胶，在室温(25℃左右)条件下静置12-24h后，即可进行薄膜旋涂操作。
将洗净的FTO放置于匀胶机吸盘正中位置上，打开真空将FTO吸附于吸盘上；采用胶头滴管将TiO2溶胶均匀滴加于FTO玻璃上；旋涂时间40s，涂覆次数2次，得到200nm厚度的阻挡层。待薄膜烘干后再进行热处理，在450℃温度下处理45min，待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
实施例6
如图1所示，一种新型结构的碲化镉薄膜电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，TiO2阻挡层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层，Cu背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为100nm，TiO2阻挡层厚度为300nm，硫化镉窗口层的厚度为250nm，碲化镉光吸收层的厚度为3μm，Cu背接触层的厚度为100nm，钼镍复合背电极层的厚度为300nm。
制备方法除步骤(3)不同，其他步骤与实施例2相同，步骤(3)为采用溶胶-凝胶旋涂法进行TiO2阻挡层的制作，以钛酸丁酯、无水乙醇、聚乙二醇(PEG)、去离子水为原料，四者体积比控制在6～15：22～36:1～5：1～5内，通过加入适量去离子水及冰乙酸调节溶液的pH值至3～4，经过均匀搅拌后，获得透明TiO2溶胶，在室温(25℃左右)条件下静置12-24h后，即可进行薄膜旋涂操作。
将洗净的FTO放置于匀胶机吸盘正中位置上，打开真空将FTO吸附于吸盘上；采用胶头滴管将TiO2溶胶均匀滴加于FTO玻璃上；旋涂时间50s，涂覆次数3次，得到300nm厚度的阻挡层。待薄膜烘干后再进行热处理，在450℃温度下处理45min，待冷却后，完成TiO2阻挡层的制备。
对照例1
提供一种碲化镉薄膜太阳能电池，依次设置有FTO导电玻璃衬底层，硫化镉窗口层，碲化镉光吸收层和铜背接触层和钼镍复合背电极层。其中，衬底层中导电膜的厚度为100nm，硫化镉窗口层的厚度为250nm，碲化镉光吸收层的厚度为3μm，铜背接触层的厚度为300nm，钼镍复合背电极层的厚度为300nm。
其制备方法除了不设置阻挡层外，其他步骤与实施例2相同。
实施例7
TiO2阻挡层对碲化镉薄膜电池的性能影响
1、实验样品：碲化镉薄膜电池样品实施例2、实施例6、对照例1；
2、实验方法：采用GB/T6495.1-1996中所述方法进行性能测试；
3、实验结果：见表1。
表1阻挡层对碲化镉薄膜电池的性能影响
由上表可以看出，与对照例1相比，实施例2、6中的电池的短路电流密度(JSC)、填充因子(FF)以及转换效率(Eff)均有一定提高，说明TiO2阻挡层结构的设计与添加可以在一定程度上提高电池性能。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。