研磨垫、研磨垫的制造方法及研磨方法与流程

文档序号:17053926发布日期:2019-03-05 20:50阅读:384来源:国知局
研磨垫、研磨垫的制造方法及研磨方法与流程

本发明涉及一种研磨垫、及研磨垫的制造方法及研磨方法,尤其涉及一种具有检测窗的研磨垫、所述研磨垫的制造方法及使用所述研磨垫的研磨方法。



背景技术:

随着产业的进步,平坦化制程经常被采用为生产各种元件的制程。在平坦化制程中,研磨制程经常为产业所使用。研磨制程是通过施加一压力以将研磨物件压置于研磨垫上,并供应研磨液(例如是水或具有化学品的混合物)于研磨物件与研磨垫之间,且让研磨物件与研磨垫彼此进行相对运动,而使其表面逐渐平坦,来达到平坦化的目的。

对于具有光学检测系统的研磨设备,研磨垫上某部分区域通常会设置有透明检测窗,通过此透明检测窗可用来检测研磨物件表层的研磨情况。举例来说,使用于具有光学检测系统的研磨设备中的现有研磨垫(如美国专利公告号us5,893,796的fig.3f)具有大小不同尺寸的开口,而检测窗(window)的上表面周缘(rim)通过黏着材料使检测窗黏着固定于此开口中的小尺寸周边,但在实际研磨制程中的应力作用下,容易造成黏着不良使研磨液渗漏,而影响光学检测系统的准确性。图1所示为另一种现有的研磨垫1(如美国专利公告号us5,893,796的fig.3c),其检测窗3形成于研磨层2中,且检测窗3与研磨层2的研磨面和背面共平面,而基底层4位于检测窗3之外的区域的研磨层2下方。其中,检测窗3与研磨层2具有相同的厚度。相较于周缘黏着方式的检测窗,这种研磨垫1的检测窗3对于研磨应力的承受具有改善,但仍不足以满足产业的要求。

随着研磨垫研磨物件的次数越多,研磨垫的磨损量越来越多,检测窗与研磨层的结合面积(bondingarea)越来越小,检测窗与研磨层间的界面难以承受研磨制程的应力,造成界面结合强度(bondingstrength)不足所导致研磨液渗漏的问题仍然存在,而影响研磨垫的使用寿命。因此,如何提升检测窗与研磨层间的结合强度,而使研磨垫具有良好的使用寿命,实为目前本领域技术人员积极研究的课题之一。



技术实现要素:

本发明提供一种研磨垫及其制造方法,其检测窗在研磨层中具有较佳的结合强度。

本发明一实施例提供一种研磨垫,其包括研磨层及至少一检测窗。研磨层包括研磨面及具有至少一突起部的背面。至少一检测窗配置于研磨层中对应至至少一突起部的位置,且至少一突起部围绕至少一检测窗。

本发明一实施例提供一种研磨垫的制造方法,其包括以下步骤。于研磨材料层中形成至少一检测窗。移除部分研磨材料层以形成研磨层,其中研磨层包括研磨面及具有至少一突起部的背面,检测窗配置于研磨层中对应至至少一突起部的位置,且至少一突起部围绕至少一检测窗。

本发明一实施例另提供一种研磨垫的制造方法,其包括以下步骤。提供具有模腔的模具,其中模腔包括至少一凹陷部,并将至少一检测窗配置于模腔中对应至至少一凹陷部的位置,且至少一凹陷部环绕至少一检测窗。将研磨层材料配置于模腔中以形成研磨层,其中研磨层包括研磨面及具有至少一突起部的背面,至少一检测窗配置于研磨层中对应至至少一突起部的位置,且至少一突起部围绕至少一检测窗。移除模具。

基于上述,在本发明实施例所提出的研磨垫及其制造方法中,由于检测窗配置于研磨层中对应至突起部的位置,且突起部围绕检测窗,因此,可以提升检测窗和研磨层之间的结合面积,使得检测窗在研磨层中具有较佳的结合强度,进而提升研磨垫的使用寿命。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是现有研磨垫的剖面示意图。

图2a是依照本发明一实施例的研磨垫的俯视示意图。

图2b是图2a沿a-a’线的剖面示意图。

图3a是依照本发明另一实施例的研磨垫的俯视示意图。

图3b是依照本发明又一实施例的研磨垫的俯视示意图。

图3c为本发明再一实施例的研磨垫的俯视示意图。

图3d为本发明再一实施例的研磨垫的俯视示意图。

图4a至图4d为本发明一实施例的研磨垫的制造方法的剖面示意图。

图5为本发明另一实施例的研磨垫的制造方法的剖面示意图。

附图标记说明

10、20:模具

12、22:模腔

24:凹陷部

1、100、200、300、400、500:研磨垫

101:研磨材料层

2、102:研磨层

102a:研磨面

102b:背面

104:突起部

3、106:检测窗

4、108:基底层

t1、t2、t3、t4:厚度

d:间距

具体实施方式

有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考附图的一较佳实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。

此外,参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而,本发明也可以各种不同的形式体现,而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件,以下段落将不再一一赘述。

图2a是依照本发明一实施例的研磨垫的俯视示意图。图2b是图2a沿a-a’线的剖面示意图。

请同时参照图2a及图2b,研磨垫100包括研磨层102和至少一检测窗106。研磨层102包括研磨面102a及具有至少一突起部104的背面102b,其中研磨面102a相对于背面102b。如图2b所示,至少一突起部104从背面102b朝远离研磨面102a的方向突起。换句话说,研磨层102具有突起于研磨层102背面102b的至少一突起部104。研磨层102可以是由聚合物基材所构成。举例来说,聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚氨酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、其他经由合适的热固性树脂(thermosettingresin)或热塑性树脂(thermoplasticresin)所合成的聚合物基材或其组合。在一实施例中,研磨层102除上述聚合物基材外,另可包含导电材料、研磨颗粒、微球体(micro-sphere)或可溶解添加物于此聚合物基材中。此外,突起部104可依照实际所需而设计成各种形状,例如矩形、梭形或椭圆形,但不以此限定本发明。检测窗106的材料可以是透明的高分子聚合物,例如是热固性塑胶、热塑性塑胶或是任何目前已知可使用于研磨垫的检测窗的材料。

检测窗106配置于研磨层102中对应至突起部104的位置,此外,研磨层102与检测窗106的侧面为一体化相连接。也就是说,检测窗106穿设于研磨层102的突起部104中,且突起部104围绕检测窗106。研磨层102中对应突起部104之外的区域(即主要研磨区域)的厚度为t2,突起部104从研磨层102主要研磨区域的背面102b突起的厚度为t3,而检测窗106的厚度为t1,且t1>t2。在一实施例中,检测窗106的顶面与研磨层102的研磨面102a共平面,且检测窗106的底面与突起部104的底面共平面,因此检测窗106的厚度t1等于研磨层102中对应突起部104之外的区域的厚度t2和其突起部104的厚度t3的总和(即t1=t2+t3)。由于结合面积正比于研磨层102与检测窗106间的界面厚度,如此一来,检测窗106与研磨层102间的结合面积除了与研磨层102中对应突起部104之外的区域的面积(即对应于厚度t2部分的面积),还多出了与研磨层102中突起部104结合部分的面积(即对应于厚度t3部分的面积),因此,可增加检测窗106和研磨层102之间的结合面积。此外,由于结合强度正比于检测窗106与研磨层102间的结合面积,因此使得检测窗106在研磨层102中具有较佳的结合强度。也就是说,因为检测窗106和研磨层102之间具有较大的结合面积及结合强度,所以研磨垫100可避免随着研磨物件次数增加而磨损所导致研磨液渗漏的问题,进而提升研磨垫100的使用寿命。

在一实施例中,研磨层102中对应突起部104之外的区域的厚度t2例如介于1mm至2mm之间(即1mm≦t2≦2mm);突起部104从研磨层102的背面102b突起的厚度t3例如介于0.1mm至2mm之间(即0.1mm≦t3≦2mm);检测窗106的厚度t1例如介于1.1mm至4mm之间(即1.1mm≦t1≦4mm),也就是说,检测窗106的厚度t1为研磨层102中对应突起部104之外的区域(即主要研磨区域)厚度t2的110%至200%(即1.1≦t1/t2≦2),但不以此限定本发明。由上述实施例与现有研磨垫1(如图1所示)做比较,本发明的研磨垫100其检测窗106与研磨层102间的结合面积比传统研磨垫1增加10%至100%。换句话说,对于具有相同厚度的研磨垫中检测窗与研磨层间的结合强度做比较,本发明的研磨垫100的结合强度比传统研磨垫1提升10%至100%。

此外,为了进一步增加检测窗106与研磨层102的结合面积,以提升两者之间的紧密度。在一实施例中,检测窗106的侧壁(即与研磨层102结合的表面)可为非平面,例如凹凸面、螺旋面、波纹面、条纹面、颗粒面或其组合,但本发明不以此为限。此外,检测窗106可依照实际所需而设计成各种形状,例如矩形、梭形或椭圆形,但不以此限定本发明。在一实施例中,检测窗106与突起部104可依形成的顺序选择对应于彼此的形状,也就是说,检测窗106与突起部104可以具有相同的形状。在另外的实施例中,检测窗106与突起部104也可选择具有不同的形状,例如检测窗106为梭形,而突起部104为椭圆形,如图2a所示出,但不以此限定本发明。在此实施例中,研磨层102的聚合物基材在灌注至模具内时,可与预置于模具内的梭形检测窗106具有较好的结合性,而椭圆形的突起部104可以减少研磨垫100应力集中的问题。除此之外,当研磨层102的聚合物基材注入模具内时,流动的聚合物基材在检测窗106的前端(靠近材料注入方向的一端)会先分开,并在检测窗106的后端(远离材料注入方向的一端)结合。因此,在一实施例中,检测窗106的长轴方向可设置于研磨层102的半径方向(即检测窗106的长轴端朝向研磨层102的圆心),例如形状为梭形的检测窗106,其长轴方向可设置于研磨层102的半径方向。如此一来,当研磨层102的聚合物基材在注入模具时,例如以中央灌注(例如是适用于图2a、图3b或图3d的分布)或侧边灌注(例如是适用于图2a、图3a或图3c的分布)的方式注入模具内时,可与检测窗106的前端和后端紧密结合,使得检测窗106与研磨层102的界面不具有缝隙,进而提升检测窗106与研磨层102之间的结合性,且在后续的研磨过程中可避免研磨液经由检测窗106与研磨层102之间渗漏而影响研磨稳定性。

请继续参照图2b,基底层108位于突起部104之外的区域的研磨层102下方,基底层108适用于衬垫于研磨层102的下方并固定于研磨平台(未示出)上,其通常具有比研磨层102较大的压缩率,因此,在进行研磨制程中,可使研磨垫100的表面与研磨物件能够均匀接触而有助于提升研磨效能。基底层108的主要材料例如是聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物,或是任何目前已知可使用于研磨垫的基底层的材料。如图2b所示,基底层108的厚度为t4,厚度t4例如是介于1mm至2mm之间(即1mm≦t4≦2mm),但不以此限定本发明。另外,基底层108与检测窗106之间具有间距d,此间距d例如是介于1mm至10mm之间,但不以此限定本发明。基底层108的厚度t4与研磨层102中对应至突起部104之外的区域的厚度t2的总和大于或等于检测窗的厚度t1,且检测窗的厚度t1大于研磨层102中对应至突起部104之外的区域的厚度t2(即t2+t4≧t1>t2)。在一实施例中,研磨层102中至少一突起部104的厚度t3例如是介于基底层108厚度t4的10%至100%之间(即0.1≦t3/t4≦1)。由于突起部104所配置的位置延伸至基底层108的上下表面之间,而检测窗106与研磨层102间的结合界面包括了突起部104,所以检测窗106与研磨层102间的结合界面延伸至基底层108的上下表面之间。如此一来,在不增加研磨垫100厚度的情况下,例如是维持与现有研磨垫1相同厚度的情况下(例如图1所示的研磨层2的厚度为t2,而基底层4的厚度为t4),本发明的研磨垫100可增加检测窗106与研磨层102间的结合面积(即结合面积所正比的检测窗厚度从厚度t2增加至厚度t1),使得检测窗106在研磨层102中具有较佳的结合强度,进而提升检测窗光学检测的品质以及增加研磨垫100的使用寿命。

另外,部分研磨设备的研磨平台(即研磨垫100所固定的平台)所配置光学检测系统的位置为具有凹陷区域的设计,以因应不同物件的研磨制程或是光学检测品质的需求。因此,研磨垫100也可以不包含有基底层108,如图4c所示。也就是说,研磨垫100仅包含背面具有突起部104的研磨层102以及检测窗106。在此实施例中,当研磨垫100固定于研磨平台时,突起部104对应至光学检测系统位置所在的研磨平台上的凹陷区域。

图3a是依照本发明另一实施例的研磨垫的俯视示意图。图3b是依照本发明又一实施例的研磨垫的俯视示意图。研磨垫200大致相似于研磨垫100,其不同之处在于研磨垫200具有多个检测窗106及多个突起部104,且此多个突起部104分别围绕上述多个检测窗106,而其中图3a沿b-b’线的剖面与图2b具有相同的结构示意图。图3a的实施例中是以研磨垫200具有三个检测窗106及三个突起部104以带状分布在沿研磨层102的直径方向,且分别位于不同半径的位置所示出,例如分别位于圆心左侧1/2半径的位置以及圆心右侧1/4半径和3/4半径的位置,但本发明不限于此。研磨垫200也可选择具有两个检测窗106及两个突起部104分别位于圆心两侧相同半径的位置,或是具有其他个数的多个检测窗106及多个突起部104。在其他实施例中,如图3b所示,研磨垫300所具有的多个检测窗106及多个突起部104也可为环状分布在研磨层102的圆周方向,而其中图3b沿研磨垫300的半径方向横跨其中一个检测窗106的剖面与图2b具有相同的结构示意图。研磨垫200、300中其他构件的连接关系、相对位置、材料、厚度或功效已于上文中进行详尽的描述,于此不再重复赘述。

图3c是依照本发明再一实施例的研磨垫的俯视示意图。图3d是依照本发明再一实施例的研磨垫的俯视示意图。研磨垫400大致相似于研磨垫200,其不同之处在于研磨垫400具有多个检测窗106及单一个突起部104,且此单一个突起部104围绕上述多个检测窗106,而其中图3c沿c-c’线的剖面与图2b具有相同的结构示意图。如图3c所示的实施例中,研磨层102中的单一个突起部104为带状分布在沿研磨层102的直径方向,但本发明不限于此。在其他实施例中,如图3d所示,研磨垫500具有的多个检测窗106及单一个突起部104也可为环状分布在研磨层102的圆周方向,而其中图3d沿研磨垫500的半径方向横跨其中一个检测窗106的剖面与图2b具有相同的结构示意图。研磨垫400、500中其他构件的连接关系、相对位置、材料、厚度或功效已于上文中进行详尽的描述,于此不再重复赘述。

以下,将通过图4a至图4d来更进一步地说明上述各实施例的研磨垫100、200、300、400、500的制造方法。应注意的是,上述各实施例的研磨垫100、200、300、400、500虽然是如以下制造方法为例进行说明,但本发明的研磨垫100、200、300、400、500的制造方法并不以此为限,并且研磨垫100、200、300、400、500中相同或相似的构件的材料、厚度或功效以于上文中进行详尽的描述,于此不再重复赘述。

图4a至图4d为本发明一实施例的研磨垫的制造方法的剖面示意图。图5为本发明另一实施例的研磨垫的制造方法的剖面示意图。

首先,在研磨材料层101中形成至少一检测窗106。在一实施例中,如图4a所示,检测窗106是通过模具10的方式形成于研磨材料层101中,详细步骤如下:提供模具10。模具10具有模腔12,其用以容纳模制材料之用。在本实施例中,模腔12的形状以及大小是根据后续欲形成的研磨层102的形状及大小有关。另外,为了使此领域技术人员能够清楚的了解本发明,在以下的附图中,仅示出出局部的模具10,也就是省略绘制模具10的上盖结构。

接着,在模具10的模腔12内的特定位置配置检测窗106,此特定位置对应至研磨机台的光学检测系统的位置。在本实施例中,检测窗106的厚度t1与模腔12的深度相当。此外,可以通过模具10与上盖结构压置方式,或以黏胶方式,将检测窗106固定于模具10的特定位置。

然后,将研磨层材料填入模具10中,以于模具10中形成环绕检测窗106的研磨材料层101。接着,进行固化程序以使研磨材料层101固化,使得研磨材料层101与检测窗106的侧面为一体化相连接。前述固化程序,例如是研磨材料层101内的反应物进行自然的聚合反应,或是进行照光程序或加热程序使研磨材料层101产生聚合反应,而达到固化。最后,如图4b所示,移除模具10,以于研磨材料层101中形成至少一检测窗106。在另一实施例中,如图4b所示的结构也可以是先形成研磨材料层101,再通过机械制程或化学制程于研磨材料层101中形成至少一检测窗开口,之后再于此检测窗开口中形成检测窗106。

接着,请同时参照图4b及图4c,移除部分研磨材料层101以形成研磨层102,其中研磨层102包括研磨面102a及具有至少一突起部104的背面102b,检测窗106形成于研磨层102中对应至突起部104的位置,且突起部104围绕检测窗106。移除部分研磨材料层101的方法例如是对研磨材料层101的背面(即研磨层102的背面102b)进行机械制程或化学制程来移除部分研磨材料层101,以形成背面102b具有突起部104的研磨层102。由于背面102b具有突起部104的研磨层102与检测窗106的侧面为一体化相连接,如此可增加检测窗106和研磨层102之间的结合面积,以提升两者之间的结合强度。

接着,请参照图4d,在突起部104之外的区域的研磨层102下方形成基底层108。在一实施例中,例如是先提供一连续的基底层材料,接着移除对应至突起部104的部分基底层材料而成为基底层108,再将基底层108形成于突起部104之外的区域的研磨层102下方。于形成基底层108之前,可选择性地于突起部104之外的区域的研磨层102与基底层108之间形成第一黏着层(未示出),以将基底层108固定于突起部104之外的区域的研磨层102的下方。第一黏着层的胶层例如包括(但不限于):无载体胶、双面胶、uv硬化胶、热熔胶、湿气硬化胶或感压胶(pressuresensitiveadhesive,psa),上述胶层的材料例如是压克力系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶,但本发明并不限于此。此外,可选择性地于基底层108下方形成第二黏着层(未示出),利用第二黏着层的黏著作用,将使研磨垫100、200、300、400、500黏着固定于研磨平台(未示出)上。第二黏着层的胶层例如包括(但不限于):无载体胶、双面胶或感压胶。上述胶层的材料例如是压克力系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶,但本发明并不限于此。在其他实施例中,可取代以涂布、喷涂、堆迭或印刷方式以形成基底层108于突起部104之外的区域的研磨层102下方,而不需要使用第一黏着层,同时可以减少移除部分基底层材料的程序。另外,可取代以真空吸附或静电吸附方式而将研磨垫100、200、300、400、500固定于研磨平台上,而不需要使用第二黏着层。

以下,将通过图5来说明另一实施例的研磨垫100、200、300、400、500的制造方法,其中模具20与图4a的模具10大致相似,其不同之处在于模具20的模腔22包括至少一凹陷部24。研磨垫100、200、300、400、500或是模具20中相同或相似的构件的材料、厚度或功效以于上文中进行详尽的描述,于此不再重复赘述。另外,为了使此领域技术人员能够清楚的了解本发明,在以下的附图中,仅示出出局部的模具20,也就是省略绘制模具20的上盖结构。

请参照图5,提供模具20。模具20具有模腔22,且模腔22包括凹陷部24,凹陷部24之外的区域的模腔深度为t2,凹陷部24本身的深度为t3。接着,将检测窗106配置于模腔22中对应至凹陷部24的位置,使得凹陷部24环绕检测窗106,且凹陷部24的侧边与检测窗106之间的间距d例如是介于1mm至10mm之间。模具20中的模腔22的形状以及大小对应后续欲形成的研磨层102的形状及大小。在此实施例中,检测窗106的厚度t1与模腔22中凹陷部24底部至模具20上盖的距离(也就是t2+t3)相当。此外,可以通过模具20与上盖结构压置方式,或以黏胶方式,将检测窗106固定于模腔22的凹陷部24内。

接着,将研磨层材料填入于模腔22中以形成研磨层102,其中研磨层102包括研磨面102a及具有至少一突起部104(形成于模腔22的凹陷部24的位置)的背面102b,其中检测窗106配置于研磨层102中对应至突起部104的位置,且突起部104围绕检测窗106。如此一来,不需经由上述移除部分研磨材料层101的步骤(如图4c所示),即可将检测窗106形成于研磨层102中对应至突起部104的位置,且使得此突起部104围绕检测窗106。因此,本实施例可简化研磨垫100、200、300、400、500的制程,进而降低研磨垫100、200、300、400、500的制造成本。

接着,移除模具20,以形成如图4c所示的研磨层102,其检测窗106形成于研磨层102中对应至突起部104的位置,且突起部104围绕检测窗106。最后,进行如同前述图4d的制程,以在突起部104之外的区域的研磨层102的下方形成基底层108。

另外,根据本发明提出的研磨方法,其是将本发明所揭露的研磨垫应用于研磨程序中,用于研磨物件。首先,提供研磨垫100、200、300、400、500。研磨垫100、200、300、400、500包括研磨层102及至少一检测窗106。研磨层102包括研磨面102a及具有至少一突起部104的背面102b。检测窗106配置于研磨层102中对应至突起部104的位置,且突起部104围绕检测窗106。接着,对物件(未示出)施加压力以压置于研磨垫100、200、300、400、500上,使物件与研磨垫100、200、300、400、500的研磨面102a进行接触。之后,对物件及研磨垫100、200、300、400、500提供相对运动,以利用研磨垫100、200、300、400、500对物件进行研磨,而达到平坦化的目的。此处有关研磨垫100、200、300、400、500的相关叙述请参考前述实施方式,在此不再重复赘述。

上述各实施例中的研磨垫100、200、300、400、500可应用于如半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、存储盘、及显示器等元件的制作中所使用的研磨设备及制程,制作这些元件所使用的研磨物件可包括半导体晶圆、ⅲⅴ族晶圆、存储元件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等,但并非用以限定本发明的范围。

综上所述,在上述实施例所提出的研磨垫及其制造方法中,由于检测窗配置于研磨层中对应至突起部的位置,且突起部围绕检测窗,因此,可以提升检测窗和研磨层之间的结合面积,使得检测窗在研磨层中具有较佳的结合强度,进而提升研磨垫的使用寿命。

虽然本发明已以实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更改与润饰,故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

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