一种控制过共晶铝硅合金硅相球化和生长的热处理方法与流程

文档序号:17326546发布日期:2019-04-05 21:50阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种控制过共晶铝硅合金硅相球化和生长的热处理方法,它包括以下步骤:(a)对过共晶Al‑Si合金件进行固溶处理;所述固溶温度为500~540℃且固溶时间为4~10h;(b)将固溶后的过共晶Al‑Si合金件出炉淬火;(c)对淬火后的过共晶Al‑Si合金件进行时效处理,随后冷却至室温即可;所述时效温度为160~210℃且时效时间为4~8h。使得在初晶Si不发生粗化的前提下,共晶Si粒子直径变大且实现球化,消除Si相尖角的不利影响,明显提高合金材料的耐磨性能,且不影响合金材料的切削加工性能。

技术研发人员:文成;钟鼓;邹纯;长海博文
受保护的技术使用者:江苏中色锐毕利实业有限公司
技术研发日:2018.10.20
技术公布日:2019.04.05
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1