成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法与流程

本发明涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。

背景技术：

作为在电子器件的制造中对基板进行成膜处理的成膜装置的结构，已知如下结构：以搬送室为中心，在其周围以簇状配置各种成膜室，以搬送室为基点向各成膜室依次搬送基板而进行成膜处理。另外，在专利文献1中公开了组合了簇式的配置和直列式的配置的成膜装置的结构。具体而言，是将相对于搬送室以簇式配置的成膜室中的进行溅射的溅射室分别以靶材料不同的多个溅射区域串联连续配置的方式构成的成膜装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/044237号

在成膜装置中，搬送室以及各成膜室被设为规定的压力而进行基板的搬送以及成膜处理，但由于每个成膜室的压力的设定不同，因此在使基板在各成膜室之间移动时需要调压。该调压工序成为使制造节拍、成品率等生产率降低的主要原因。另外，在专利文献1所公开的结构中，需要搬送至构成为直列式的溅射室的最里面的溅射区域而结束了成膜处理的基板返回此前的路径而返回到搬送室。该返回路的基板搬送工序成为使生产率降低的主要原因。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种能够提高成膜装置的成膜处理中的生产率的技术。

为了实现上述目的，作为本发明的一技术方案的成膜装置的特征在于，

该成膜装置具备：

基板搬送室，被维持成真空；

第一真空成膜室，具有用于搬入及搬出基板的搬入搬出口；以及

第二真空成膜室，分别具有用于搬入基板的搬入口和用于搬出基板的搬出口，

所述第一真空成膜室经由所述搬入搬出口与所述基板搬送室之间搬入及搬出基板，

所述第二真空成膜室经由所述搬入口从所述基板搬送室搬入基板，且不经由所述搬入口向所述基板搬送室搬出基板。

此外，为了实现上述目的，作为本发明的另一技术方案的成膜方法的特征在于，

该成膜方法具备：

第一成膜工序，将基板从基板搬送室向第一真空成膜室搬入而进行成膜处理；

第二成膜工序，将在所述第一真空成膜室进行了成膜处理的基板经由所述基板搬送室搬入第二真空成膜室进行成膜处理；以及

搬出工序，将在所述第二真空成膜室进行了成膜处理的基板不经由所述基板搬送室地从所述第二真空成膜室搬出。

此外，为了实现上述目的，作为本发明的另一技术方案的电子器件的制造方法的特征在于，

该电子器件的制造方法具备：

第一成膜工序，将基板从基板搬送室向第一真空成膜室搬入而进行成膜处理；

第二成膜工序，将在所述第一真空成膜室进行了成膜处理的基板经由所述基板搬送室搬入第二真空成膜室进行成膜处理；

搬出工序，将在所述第二真空成膜室进行了成膜处理的基板不经由所述基板搬送室地从所述第二真空成膜室搬出；以及

密封工序，对从所述第二真空成膜室搬出的基板进行密封。

发明效果

根据本发明，能够实现成膜装置的成膜处理中的生产率的提高。

附图说明

图1是表示本发明的实施例1的成膜装置的结构的示意俯视图。

图2是本发明的实施例1中的成膜处理的流程图。

图3是表示本发明的实施例1的成膜装置的蒸镀室的结构的示意俯视图。

图4是表示本发明的实施例1的成膜装置的溅射室的结构的示意俯视图。

图5是表示本发明的实施例2的成膜装置的结构的示意俯视图。

图6是本发明的实施例2中的成膜处理的流程图。

图7是表示本发明的比较例的成膜装置的结构的示意俯视图。

图8是本发明的比较例中的成膜处理的流程图。

附图标记的说明

1a…成膜装置、10…基板、12…搬送室、20a、20b…蒸镀室、22a、22b…搬入搬出口、30…溅射室、32…搬入口、34…搬出口。

具体实施方式

以下，参照附图，基于实施例对用于实施本发明的方式进行例示性的详细说明。但是，该实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、它们的相对配置等应根据应用发明的装置的结构、各种条件而适当变更。即，本发明的范围并不限定于以下的实施方式。

本发明涉及在基板上形成薄膜的成膜装置及其控制方法。本发明作为在平行平板的基板的表面形成所希望的图案的薄膜(材料层)的成膜处理室，优选适用于具备通过真空蒸镀进行薄膜的形成的蒸镀室和通过溅射进行薄膜的形成的溅射室的成膜装置。作为基板的材料，可以选择玻璃、树脂、金属等任意的材料，另外，作为蒸镀材料或溅射的靶材料，也可以选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。本发明的技术具体可应用于发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子设备、光学构件等的制造。其中，本发明的技术可以优选应用于有机el(电致发光)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造。另外，本发明中的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机el显示装置)、照明装置(例如有机el照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机cmos图像传感器)。

实施例1

[成膜装置及成膜工艺]

图1是表示本发明的实施例1的成膜装置1a的结构的示意俯视图。图1的成膜装置1a例如是在各种半导体器件、磁器件、电子部件、光学部件等电子器件的制造装置100中，承担对基板10的成膜处理的作用的结构。在制造装置100中，例如在制造智能手机用的显示面板的情况下，例如在约1800mm×约1500mm、厚度约0.5mm的尺寸的基板上进行构成有机el的各层的成膜之后，对该基板进行切割而制作多个小尺寸的面板。

如图1所示，成膜装置1a大致具备ll(负载锁定)室11a、搬送室12、储料室13(也称为缓冲室)、蒸镀室20a、20b、溅射室30、后处理室40和ll室11b。在本实施例中，蒸镀室20a、20b是对基板10进行由有机材料构成的膜的成膜的成膜室，溅射室30是对基板10进行由无机材料构成的膜的成膜的成膜室，但并不限定于此。另外，在本说明书中，“对基板进行膜的成膜”包括在基板的表面直接形成膜的情况、以及在形成于基板的表面的膜上形成其它膜的情况这两者。以搬送室12为中心，以包围搬送室12的方式簇状地配置有ll室11a、储料室13、两个蒸镀室20a、20b、溅射室30。以搬送室12为起点的基板10相对于ll室11a、储料室13、两个蒸镀室20a、20b、溅射室30的搬送(搬出/搬入)，由配置于搬送室12的机器人手12a担载基板10而进行。另外，溅射室30以后构成为直列式。通过利用未图示的搬送机构搬送保持基板10的基板保持架12b(参照图4)来进行溅射室30内的基板10的搬送以及从溅射室30向后处理室40、ll室11b的搬送。另外，在此所示的基板搬送机构只不过是一个例子，并不限定于此，可以适当采用已知的技术。

在成膜装置1a的各室中，作为调压机构，分别连接有由低温泵或tmp(涡轮分子泵)等构成的排气装置，构成为能够调整各室的压力。本实施例的成膜装置1a构成为，将搬送室12的室内压力维持为与作为第一真空成膜室的蒸镀室20a、20b的室内压力同等(真空)，适当调整作为第二真空成膜室的溅射室30的室内压力，进行基板10的搬送、成膜处理。另外，在本说明书中，“真空”是指由低于大气压的压力的气体充满的空间内的状态。

也参照图2，对本实施例的成膜装置1a中的成膜处理(基板搬送)的流程进行说明。图2是本发明的实施例1中的成膜处理的流程图。

作为实施成膜处理的对象物的多张基板10被搬入储料室13内并待命。具体而言，基板10首先从外部搬入到ll室11a。ll室11a通过未图示的上述排气装置，将室内压力从大气压调压为与搬送室12的室内压力同等的压力。当ll室11a的室内压力成为规定的压力时，基板10从ll室11a被搬出，经由作为基板搬送室的搬送室12被搬入至储料室13。这样，将多张基板10搬入储料室13。

另外，在本实施例中，从ll室11a搬入的基板10被搬入至储料室13，但并不限定于此，也可以将从ll室11a搬入的基板10经由搬送室12直接搬入第一蒸镀室20a。另外，储料室13可以在蒸镀室20a、20b中的成膜处理之前收容基板10，也可以在成膜处理之后收容基板10。通过在蒸镀室20a、20b中的成膜处理之前收容基板10，也能够在储料室13内进行基板10的脱气等前处理。通过在蒸镀室20a、20b中的成膜处理之后收容基板10，例如在之后的工序(溅射室30中的成膜处理等)中存在故障的情况下等，能够使进行了蒸镀室20a、20b中的成膜处理的基板10待命。

收纳于储料室13的多张基板10逐张地依次从储料室13搬出，经由搬送室12搬入到第一蒸镀室20a，实施基于蒸镀处理的成膜(s101：第一成膜工序)。由于搬送室12的室内压力与蒸镀室20a、20b的室内压力被同等地维持，因此在搬送室12与蒸镀室20a、20b之间的基板的搬送中，不需要特别的调压工序。在本实施例中，搬送室12和蒸镀室20a、20b的室内压力维持在约1×10^-5pa左右。

另外，搬送室12和蒸镀室20a、20b各自的室内压力在不影响基板10的成膜处理或搬送的范围内，也可以存在少许压力差。

图3是表示本实施例的成膜装置的蒸镀室20a、20b的结构的示意俯视图。如图3所示，蒸镀室20a具备划分蒸镀室20a的壳体21a、设置有闸阀的搬入搬出口22a、作为蒸镀材料收容有有机材料的蒸镀源容器23a、以及用于调整蒸镀室20a的室内压力的排气装置25a。在蒸镀源容器23a上一体地设置有用于使收容的蒸镀材料蒸发的加热器(未图示)。

本实施例的蒸镀室20a能够一次收容两张基板10a、10b，在进行一方的基板10a的蒸镀处理的期间，能够进行另一方的基板10b的搬入(在基板10b之后进行蒸镀处理的情况)或者搬出(蒸镀处理结束的情况)。即，构成为能够对收容的两张基板10a、10b交替地进行蒸镀处理。一方的基板10a经由搬入搬出口22a向图3中的箭头a方向搬入搬出到蒸镀室20a内的一侧(图3左侧)。另一方的基板10b经由搬入搬出口22a向图3中的箭头b方向搬入搬出到与基板10a相反侧的蒸镀室20a内的另一方侧(图3右侧)。基板10a、10b在被搬入的各个位置实施蒸镀处理。

蒸镀源容器23a构成为，为了相对于配置在蒸镀室20a内的基板10a、10b相对移动而能够在蒸镀室20a内移动。在对一个基板10a的蒸镀处理中，在隔着未图示的掩模与基板10a下表面的被处理面(被成膜面)对置的位置，以使与基板10a的相对位置在基板10a的纵向(基板长边方向(箭头y1方向))上变化的方式进行移动(往复移动)。由此，通过加热器的加热使从蒸镀源容器23a蒸发的蒸镀材料均匀地附着、堆积在基板10a的被处理面上。当结束对一个基板10a的蒸镀处理时，向隔着未图示的掩模与另一个基板10b下表面的被处理面对置的位置移动。然后，在与基板10b的被处理面对置的位置，以使与基板10b的相对位置在基板10b的纵向(箭头y2方向)上变化的方式进行移动(往复移动)。由此，通过加热器加热，使从蒸镀源容器23a蒸发的蒸镀材料均匀地附着、堆积在基板10b的被处理面上。

在本实施例中，将基板10a、10b横置(平放)，即基板被处理面以在水平方向上延伸且朝向下方的姿势被搬送，蒸镀源容器23a相对于基板10a、10b配置于下方，但并不限定于该结构。

也可以构成为，将基板10a、10b纵置，即基板被处理面以在铅垂方向上延伸且朝向水平方向的姿势被搬送，蒸镀源容器23a相对于基板被处理面以在水平方向上对置的方式配置。

另外，能够收容于蒸镀室20a的基板的张数可以为3张以上，也可以为仅能够收容1张的结构。

如上所述，实施了第一蒸镀室20a中的蒸镀处理的基板10从蒸镀室20a被搬出，经由搬送室12被搬入第二蒸镀室20b，实施基于与蒸镀室20a不同的蒸镀材料的蒸镀处理(s102)。

蒸镀室20b与蒸镀室20a同样，具备壳体21b、搬入搬出口22b、蒸镀源容器23b和排气装置25b。这些各结构除了蒸镀材料的种类不同以外，与蒸镀室20a的壳体21a、搬入搬出口22a、蒸镀源容器23a、排气装置25a同样地构成，省略说明。

基于蒸镀室20a、20b的成膜处理例如适合用于智能手机、电视机、照相机等所使用的显示面板中的由有机材料构成的各种发光层等的形成。

另外，在上述说明中，将第一蒸镀室20a和第二蒸镀室20b统一作为第一真空成膜室进行了说明，但也可以是第一蒸镀室20a作为第三真空成膜室、第二蒸镀室20b作为第一真空成膜室来理解。即，在作为第三真空成膜室的第一蒸镀室20a进行了成膜处理的基板10经由搬送室12向作为第一真空成膜室的第二蒸镀室20b搬入，在第一真空成膜室进行成膜处理。

结束了第二蒸镀室20b中的蒸镀处理的基板10从蒸镀室20a被搬出，经由搬送室12，被预先搬入被调压为与搬送室12(蒸镀室20a、20b)的室内压力同等的室内压力的溅射室30(s103)。

另外，搬送室12和溅射室30各自的室内压力在不影响基板10的成膜处理或搬送的范围内，也可以存在少许压力差。调压后(减压后)的溅射室30与搬送室12的压力差(压力比)小于成膜处理时的溅射室30与搬送室12的压力差(压力比)。

图4是表示本实施例的成膜装置的溅射室30的结构的示意俯视图。如图4所示，溅射室30具备划分溅射室30的壳体31、分别设有闸阀的搬入口32及搬出口34、阴极单元33、以及用于调整溅射室30的室内压力的排气装置35。

溅射室30的成膜处理例如适合用于智能手机、电视机、照相机等所使用的显示面板中的电极、布线的形成。

阴极单元33具备作为基于溅射的成膜材料的靶、磁铁单元、阴极电极等，与未图示的高频电源连接。作为靶的材料，例如可举出cu、al、ti、mo、cr、ag、au、ni等金属靶及其合金材料。

溅射室30在室内上方设有基板10的搬送路径，在其下方配置有阴极单元33。溅射室30在搬入口32、搬出口34各自的闸阀被关闭的状态下，通过排气装置35调整(典型地为增压)适合于溅镀工艺的室内压力。适合于溅射工艺的室内压力为1×10^-2pa～1×10¹pa左右，典型地为约1×10^-1pa左右。与此同时，从气体供给源36对溅射气体进行流量控制而供给至溅射室30内。由此，在溅射室30的内部形成溅射气氛。作为溅射气体，例如使用ar、kr、xe等稀有气体或成膜用的反应性气体。另外，溅射室30的室内压力的调整(调压)可以仅通过排气装置35来进行，也可以并用排气装置35和气体供给源36来进行(以下相同)。这样，对溅射室30进行调压(s104)。

将上述的溅射气氛的形成和设置于阴极单元33的阴极电极作为阴极，将作为溅射室30的壁部的壳体31作为阳极，通过来自未图示的高频电源的电压施加，在靶的表面附近生成等离子体区域。通过由于等离子体区域的生成而生成的溅射气体离子与靶的碰撞，靶粒子从靶表面被放出。从靶被放出的靶粒子朝向基板10飞翔、堆积，从而在基板10的被成膜面进行成膜(s105：第二成膜工序)。

阴极单元33构成为，为了相对于配置在溅射室30内的基板10相对移动而能够在溅射室30内移动。在与基板10的被处理面(下表面)对置的位置，以使与基板10的相对位置在与溅射室30中的基板10的搬送路径(箭头c、d方向)正交的方向(箭头z方向)上变化的方式移动(往复移动)。由此，在基板10的被处理面均匀地进行成膜。

在本实施例的溅射室30中，构成为使基板10的搬送方向与基板10的长边方向一致。由此，能够缩小溅射室30中的基板的搬送空间。另外，通过使阴极单元33相对于基板10的扫描方向与基板10的短边方向一致，能够降低成膜不均。

另外，在本实施例的溅射室30中，与蒸镀室20同样地将基板10横置，阴极单元33相对于基板10配置在下方，但并不限定于该结构。既可以是将基板10横置，将阴极单元22相对于基板10配置在上方的结构(基板10的被处理面成为上表面的结构)，也可以是将基板10纵置的结构。

本实施例中的溅射室30的搬入口32经由闸阀与搬送室12连接，搬出口34经由闸阀与后处理室40连接。即，溅射室30与蒸镀室20a、20b不同，分别具有基板的搬入口32和基板的搬出口34，搬出口34不与搬送室12相连。换言之，搬出口34经由搬入口32与搬送室12相连。本实施例中的溅射室30以直列式连接在搬送室12和后处理室40之间，构成为从搬送室12到后处理室40的基板10的搬送的流动成为一个方向(搬送室12→溅射室30→后处理室40)。即，通过溅射室30的搬入口32搬入到溅射室30内的基板10之后不会通过搬入口32。更具体而言，在溅射室30的前后，基板10依次经由搬入口32、溅射室30、搬出口34而被搬送，在从搬出口34搬出之后，不会通过搬入口32及搬出口34。

当结束溅射室30中的基于溅射的基板10的成膜处理时，溅射室30的室内压力为了与作为搬出目的地的室的后处理室40的室内压力一致而被排气装置35调压(s106)。调压后的溅射室30和后处理室40各自的室内压力在不影响基板10的成膜处理、搬送的范围内，也可以存在少许压力差。调压后的溅射室30与后处理室40的压力差(压力比)比成膜处理时的溅射室30与后处理室40的压力差(压力比)小。当调压结束时，打开搬出口34的闸阀，经由搬出口34从溅射室30向后处理室40搬出基板10(s107：搬出工序)。通过以上的结构，电子器件的制造装置100的成膜装置1a中的成膜处理完成。溅射室30的室内压力在基板10被搬出到后处理室40之后，为了下一次成膜处理而返回到规定的压力。

在后处理室40中，进行针对结束了成膜装置1a中的各种成膜处理的基板10的后处理、检查等后工序。作为后工序，没有特别限定，例如可以举出膜厚检查工序、密封工序、图案形成工序、切断工序等。后处理室40中的后工序在比蒸镀室20a、20b(第一真空成膜室)和搬送室12的室内压力高的压力下进行。后处理室40中的结束了后处理的基板从ll室11b向制造装置100的外部搬出。经过以上的一连串工序，制造电子器件。

密封工序是将从溅射室30搬出的基板10密封的工序。作为密封工序，有在基板10的表面成膜保护膜的保护膜成膜工序、将密封用玻璃等密封构件(密封板)与基板10贴合而使用粘接剂进行粘接的贴合工序(粘接工序)等。即，在后处理室40中作为密封室包含保护膜成膜室、粘接室等，这些各室中的成膜处理时、粘接处理时的室内压力高于蒸镀室20a、20b(第一真空成膜室)和搬送室12的室内压力。作为保护膜成膜工序中的成膜处理，优选使用等离子体化学气相沉积法(pecvd)、溅射、原子层堆积(ald)。所形成的保护膜可以是无机膜，也可以是有机膜，也可以是无机膜和有机膜交替层叠而成的混合膜。无机膜的形成优选使用等离子体化学气相沉积法(pecvd)、溅射、原子层堆积(ald)，在有机膜的形成中优选使用喷墨法。等离子体化学气相沉积(pecvd)和原子层沉积(ald)典型地在约1×10¹pa～1×10²pa的压力下进行。另外，利用喷墨法的成膜典型地在大气压下(10⁵pa左右)进行。

图案化工序是对形成于基板10上的膜的至少一部分进行图案化的工序。图案化的方法没有特别限定，典型地可以使用光刻法。切断工序典型的是将基板10切断成所希望的尺寸的切割工序。这些工序典型地在大气压下(10⁵pa左右)进行。

(本实施例的优异的点)

本实施例的成膜装置1a如上所述，溅射室30的搬入口32如字面所示，成为仅用于从搬送室12向溅射室30搬入基板10的连通口，在溅射室30结束了成膜处理的基板10不会返回到搬送室12。即，在溅射室30中结束了成膜装置1a中的最后的成膜处理的基板10不经由搬送室12，而是直接通过向后处理室40搬出的搬送(搬出)路径，从成膜装置1a搬出。通过该结构，与以往的簇式成膜装置相比，能够实现成膜工序中的工序数的削减，能够实现成膜装置的成膜处理中的生产率(制造节拍、成品率等)的提高。

以下使用比较例对本实施例的优异的点进行说明。另外，在比较例的成膜装置1c中，对与实施例1的成膜装置1a相同的结构标注相同的附图标记，省略详细的说明。

[比较例]

图7是表示本发明的实施例的比较例的成膜装置1c的结构的示意俯视图。如图7所示，比较例的成膜装置1c的进行最后的成膜处理的溅射室30经由搬入搬出口35仅与搬送室12连接，不像本实施例的溅射室30那样与后处理室40直接连接。后处理室40经由交接室14与搬送室12连接。即，在比较例的成膜装置1c中，在溅射室30中结束了最后的成膜处理的基板10从溅射室30经由搬送室12、交接室14向后处理室40搬出。交接室14与其它室同样地设置有未图示的排气装置，构成为能够调整室内压力，为了将搬送室12的室内压力维持为与蒸镀室20a、20b的室内压力相同程度，而设置为搬送室12与后处理室40之间的缓冲室。通过这样的构成，比较例的成膜装置1c与实施例1的成膜装置1a相比，成膜处理中的工序数增加。另外，上述现有文献中记载的装置结构也与本比较例同样地构成。

参照图8，对比较例的成膜装置1c中的成膜处理(基板搬送)的流程进行说明。图8是本发明的实施例的比较例中的成膜处理的流程图。另外，在比较例的流程图中，s301～s305与实施例1的流程图中的s101～s105相同。即，在直到在溅射室30结束最后的成膜处理为止的工序中，比较例与实施例1之间没有差别。在两者之间，在溅射室30中结束成膜处理之后到向后处理室40搬出基板10为止的工序中存在差异。

在比较例的成膜装置1c中，在溅射室30结束成膜处理后，为了将基板10向搬送室12搬出，需要使溅射室30的室内压力与搬送室12的室内压力一致的调压(减压)(s306)。然后，在将基板10从溅射室30经由搬送室12搬入交接室14之后(s307)，这次需要使交接室14的室内压力与后处理室40的室内压力一致的调压(增压)(s308)。

与此相对，在实施例1的成膜装置1a中，在溅射室30结束最后的成膜处理后的调压工序，仅利用使溅射室30的室内压力与后处理室40的室内压力一致的调压工序(s106)即可。即，根据实施例1的成膜装置1a，与比较例的成膜装置1c相比，能够实现工序数的削减，能够实现制造节拍、成品率等的提高。由于搬送室12的室内压力特别低(在本实施例中为约1×10^-5pa左右)，因此在根据搬送室12的室内压力进行减压时需要大量的时间。在比较例中需要进行两次该减压，但在实施例1中，仅进行一次该减压即可，因此能够大幅缩短制造节拍。

另外，根据实施例1，例如在如现有文献的溅射室那样将溅射室30构成为直列式的情况下，不需要如现有文献那样在成膜处理完成后使基板返回至此为止的搬送路径，能够大幅缩短制造节拍。

[实施例2]

实施例2参照图5、图6，对本发明的实施例2的成膜装置1b进行说明。另外，在实施例2中，对与实施例1的结构相同的结构标注相同的附图标记，并省略再次的说明。在实施例2中没有特别说明的事项与实施例1相同。

图5是表示本发明的实施例2的成膜装置1b的结构的示意俯视图。图5的成膜装置1b在成膜装置1a的结构中，成为在搬送室12与溅射室30之间插入作为缓冲室的交接室14的结构。另外，交接室14不仅能够用于连结的室之间的调压，还能够用于变换基板10的搬送姿势。即，通过在交接室14内设置能够变换基板10的搬送姿势的机构，例如能够采用如下搬送结构：在蒸镀室20a、20b中横向放置基板10，在溅射室30中以纵置搬送。

参照图6，对实施例2的成膜装置1b中的成膜处理(基板搬送)的流程进行说明。图6是实施例2中的成膜处理的流程图。另外，在实施例2的流程图中，s201～s202与实施例1的流程图中的s101～s102相同。

将在第二有机室20b中结束了基于蒸镀的成膜处理的基板10，从第二有机室20b经由搬送室12，搬入被调压为与搬送室12(有机室20a、20b)的室内压力同等的室内压力的交接室14(s203)。然后，将交接室14的室内压力调整为与溅射室30的室内压力同等的压力(增压)(s204)。从交接室14经由搬入口32向溅射室30搬送基板10，在溅射室30中对基板10进行溅射处理(s205)。当结束溅射室30中的基于溅射的基板10的成膜处理时，为了使溅射室30的室内压力与后处理室40的室内压力一致，由排气装置35进行调压(s206)。当调压结束时，打开搬出口34的闸阀，经由搬出口34从溅射室30向后处理室40搬出基板10(s207)。通过以上的结构，电子器件的制造装置100的成膜装置1b中的成膜处理完成。

根据实施例2，与实施例1同样，与比较例相比，能够实现工序数的削减，能够实现制造节拍、成品率等的提高。

进而，根据实施例2，与实施例1相比，能够减少溅射室30的调压次数(在实施例1中为s104和s106的2次，在实施例2中为s206的1次)。由此，在进行溅射室30的成膜处理的期间，将其它基板搬入交接室14进行交接室14的调压等，能够进一步提高制造节拍。

在以上的说明中，对作为第一真空成膜室中的成膜处理进行蒸镀，作为第二真空成膜中的成膜处理进行溅射的例子进行了说明，但并不限定于此。在第一真空成膜室的成膜处理时的室内压力低于第二真空成膜室的成膜处理时的室内压力的情况下，本发明的效果显著。因此，例如也可以是，作为第一真空成膜室中的成膜处理进行溅射，作为第二真空成膜中的成膜处理进行化学气相沉积法(cvd)的结构。