金属板和使用其的沉积掩模的制作方法

本发明涉及能够防止腐蚀并具有均匀的特性的金属板和使用其的沉积掩模。

背景技术：

显示装置通过应用于各种设备来使用。例如，显示装置不仅通过应用于诸如智能电话和平板pc的小型设备，而且通过应用于诸如tv、监视器和公共显示器(pd)的大型设备来使用。特别地，近来，对500像素每英寸(ppi)或更大的超高清晰度(uhd)的需求增加，并且高分辨率显示装置已应用于小型设备和大型设备。因此，对用于实现低功率和高分辨率的技术的兴趣正在增加。

根据驱动方法，通常使用的显示装置可以大致分为液晶显示器(lcd)、有机发光二极管(oled)等。

lcd是通过使用液晶驱动的显示装置，并且具有其中包括冷阴极荧光灯(ccfl)、发光二极管(led)等的光源设置在液晶的下部处的结构。lcd是通过使用设置在光源上的液晶控制从光源发射的光的量来驱动的显示装置。

此外，oled是通过使用有机材料驱动的显示装置，并且不需要单独的光源，有机材料本身可以用作光源并且可以以低功耗驱动。此外，oled作为可以表现出无限的对比度，具有比lcd快约1000倍的响应速度，以及可以以优异的视角代替lcd的显示装置而引起关注。

特别地，oled的发光层中包含的有机材料可以通过称为精细金属掩模(finemetalmask，fmm)的沉积掩模沉积在基底上，并且沉积的有机材料可以形成为对应于形成在沉积掩模上的图案的图案以充当像素。详细地，沉积掩模通常由金属板形成，金属板包括形成在对应于像素的图案的位置处的通孔。在这种情况下，诸如红色、绿色、蓝色的有机材料可以通过如图5所示的金属板的通孔沉积在基底上，并且像素图案可以形成在基底上。

通常，沉积掩模可以由由铁(fe)和镍(ni)合金制成的金属板制造。例如，沉积掩模可以由殷钢(invar)合金制成。虽然用制造的金属板立即制造沉积掩模是有利的，但存在实践上困难的原因。例如，由于金属板的制造过程和沉积掩模的制造过程可能在不同的区域中进行，因此当制造金属板然后将其转移至制造沉积掩模的区域时，金属板可能长时间暴露于空气。或者，即使在转移金属板时，也难以将所有的金属板同时放入沉积掩模的制造过程，并且当将它们顺序放置时，应存在将长时间储存的金属板。可以考虑单独的储存方法，但可以预期过高的成本。

因此，金属板还可以包含除铁(fe)和镍(ni)之外的铬(cr)以防止表面腐蚀。铬(cr)是可以确保耐腐蚀性的元素，并且金属板可以由于铬(cr)而具有改善的耐腐蚀性，但存在用于制造金属板的组成中的铬(cr)难以均匀地分散或分布的问题。

此外，当铬(cr)不均匀地分散或分布并集中在特定部分中时，在制造金属板的过程中，其促进偏析和第二析出相等的形成，并因此金属板的物理特性可能改变。因此，金属板的耐腐蚀性和可加工性降低，并且存在在使用金属板制造高分辨率沉积掩模期间出现缺陷的问题。具体地，当使用金属板制造沉积掩模时，存在在金属板的一个表面和另一表面上形成凹槽的可加工性由于上述问题而劣化的问题。

因此，需要能够解决上述问题的金属板和使用其的沉积掩模。

技术实现要素：

技术问题

一个实施方案涉及提供具有改善的耐腐蚀性的金属板。此外，实施方案涉及提供这样的沉积掩模：其可以在由具有改善的耐腐蚀性的金属板制造沉积掩模的过程中以及在使用沉积掩模形成图案的过程中防止腐蚀。

此外，一个实施方案涉及提供金属板和沉积掩模，其能够防止在制造沉积掩模之前在转移和储存金属板的过程期间发生的腐蚀。即，实施方案涉及提供金属板和沉积掩模，其能够防止可能由于腐蚀而发生的蚀刻不均匀现象并实现高分辨率。

此外，一个实施方案涉及提供金属板和使用其的沉积掩模，所述金属板因为可以通过使铬(cr)的含量最小化而具有均匀的特性，因此具有改善的可加工性。

技术方案

根据一个实施方案的用于制造掩模沉积的金属板包含铁(fe)-镍(ni)合金金属材料，所述铁(fe)-镍(ni)合金金属材料具有30μm或更小的厚度并且含有氧(o)和铬(cr)，其中金属材料为铬(cr)的原子浓度为0.03原子％或更小的殷钢，金属材料包括外部部分和除外部部分之外的内部部分，所述外部部分包括表面，其中在距离表面14nm或更小的深度范围内，外部部分具有60原子％或更小的铁(fe)的最大原子浓度、40原子％至45原子％的镍(ni)的最大原子浓度和10原子％或更小的氧(o)的最小原子浓度。

此外，根据一个实施方案的沉积掩模包含铁(fe)-镍(ni)合金金属材料，所述铁(fe)-镍(ni)合金金属材料包括沉积区域和除沉积区域之外的非沉积区域，其中沉积区域包括在纵向方向上间隔开的复数个有效部分和除有效部分之外的非有效部分，其中有效部分包括：形成在金属材料的一个表面上的复数个小表面孔；形成在金属材料的与所述一个表面相反的另一表面上的复数个大表面孔；分别连通小表面孔和大表面孔的复数个通孔；以及形成在相邻通孔之间的岛部分(islandportion)，其中通孔的分辨率为400ppi或更大，金属材料含有铁(fe)、镍(ni)、氧(o)和铬(cr)，其中金属材料为铬(cr)的原子浓度为0.03原子％或更小的殷钢，金属材料包括外部部分和除外部部分之外的内部部分，所述外部部分包括表面，在距离非沉积区域、非有效部分和岛部分中的至少一者的表面14nm或更小的深度范围内，铁(fe)的最大原子浓度为60原子％或更小，镍(ni)的最大原子浓度为40原子％至45原子％，氧(o)的最小原子浓度为10原子％或更小。

有益效果

根据一个实施方案的金属板可以具有改善的耐腐蚀性。详细地，金属板可以通过增加金属板的表面上的镍(ni)含量来改善金属板的耐腐蚀性，从而防止金属板的腐蚀。因此，可以改善由金属板制成的沉积掩模的耐腐蚀性。

此外，根据实施方案的金属板可以包含原子浓度为0.03原子％或更小的铬(cr)。即，可以使金属板10中包含的铬(cr)的含量最小化。详细地，由于金属板包含非常少量的铬(cr)，因此铬(cr)可以在金属板的制造过程中均匀地分散，并且可以防止金属板上的偏析和第二析出相等的形成。因此，金属板可以具有均匀的特性并改善可加工性。因此，形成在金属板的一个表面和另一表面处的小表面孔和大表面孔可以均匀地形成，并且由小表面孔和大表面孔形成的通孔可以更精确且均匀地形成。

因此，根据实施方案的沉积掩模可以均匀地沉积具有400ppi或更大的分辨率、500ppi或更大的高分辨率和800ppi或更大的超高分辨率的oled像素图案。

附图说明

图1是示出根据一个实施方案的金属板的截面图的图。

图2至图4是示出根据一个实施方案的金属板的组成图的图。

图5至图7是描述使用根据一个实施方案的沉积掩模在基底上沉积有机材料的过程的概念图。

图8是示出根据一个实施方案的沉积掩模的平面图的图。

图9是示出根据一个实施方案的沉积掩模的有效部分的平面图的图。

图10是从平面观看的根据一个实施方案的沉积掩模的有效部分的显微镜图像。

图11是示出根据一个实施方案的沉积掩模的另一平面图的图。

图12是在图9或图10中沿线a-a′截取的截面图和沿线b-b′截取的截面图重叠的图。

图13是示出在图9或图10中沿线b-b′截取的截面图的图。

图14是示出根据一个实施方案的沉积掩模的制造过程的图。

图15和图16是示出经由根据一个实施方案的沉积掩模形成的沉积图案的图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地描述根据本发明的构造和操作。在参照附图的以下描述中，无论附图标记如何，相同的要素由相同的附图标记表示，并且将省略其多余描述。术语“第一”、“第二”等可以用于描述不同的要素，但要素不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个要素和另一要素。

此外，在实施方案的描述中，应理解，层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、垫(pad)或图案“上/上方”或“下方”包括“直接”和“通过插入另一层(间接)”二者的含义。此外，将参照附图描述关于在各层“上/上方”或“下方”的参考。

此外，当一个部分被称为“连接”至另一部分时，这包括“直接连接”的情况，还包括用其间的另一构件“间接连接”的情况。此外，当一个要素被称为“包括”其他要素时，除非特别说明，否则这意指其可以包括其他要素，而不排除另外的要素。

在下文中，将参照附图描述根据一个实施方案的金属板。

图1是示出根据一个实施方案的金属板的截面图的图。

参照图1，根据一个实施方案的金属板10可以包含金属材料。例如，金属板10可以包含镍(ni)合金。详细地，金属板10可以包含铁(fe)和镍(ni)合金。更详细地，金属板10可以包含铁(fe)、镍(ni)、氧(o)和铬(cr)。例如，金属板10可以包含约60重量％至约65重量％的铁，并且镍可以以约35重量％至约40重量％包含在内。金属板10的组分、含量和重量％可以使用以下方法来确定：通过选择金属板10的平面上的特定区域a*b来检查各组分的重量％，对对应于金属板10的厚度t的测试样品(a*b*t)取样，将其溶解在强酸等中，但实施方案不限于此。

详细地，金属板10可以包含约63.5重量％至约64.5重量％的铁，并且可以包含约35.5重量％至约36.5重量％的镍。此外，金属板10还可以包含以下至少一种元素：少量的碳(c)、硅(si)、硫(s)、磷(p)、锰(mn)、钛(ti)、钴(co)、铜(cu)、银(ag)、钒(v)、铌(nb)、铟(in)、锑(sb)。在此，少量可以意指不大于1重量％。即，金属板10可以包含殷钢。殷钢是包含铁和镍的合金并且是具有接近零的热膨胀系数的低热膨胀合金。由于殷钢具有非常小的热膨胀系数，因此其用于精密部件，例如掩模和精密设备。因此，使用金属板10制造的沉积掩模可以具有改善的可靠性，从而防止变形并增加寿命。

如上所述的包含铁和镍的合金的金属板10可以通过冷轧法来制造。详细地，金属板10可以通过熔融、锻造、热轧、正火、一次冷轧、一次退火、二次冷轧和二次退火过程来形成，并且可以通过以上过程或另外的厚度减小过程形成为30μm或更小的厚度。此外，在制造金属板10的过程中，金属板10的表面的原子浓度可能改变。详细地，金属板10可以包括外部部分sp和除外部部分sp之外的内部部分ip，所述外部部分sp包括表面，金属板10的外部部分sp的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip的原子浓度不同。

金属板10可以具有四边形形状。详细地，金属板10可以具有有长轴和短轴的矩形形状，并且可以具有约30μm或更小的厚度。

金属板10可以包含铁(fe)、镍(ni)、氧(o)和铬(cr)，相对于整个金属板10，铬(cr)的原子浓度可以为约0.03原子％或更小。

此外，金属板10的外部部分sp的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip的原子浓度不同。在此，外部部分sp可以指距离金属板10的一个表面和另一表面中的各表面约30nm或更小的深度范围。详细地，外部部分sp可以指距离金属板10的表面约25nm或更小的深度范围。此外，内部部分ip可以指距离金属板10的表面超过上述范围的深度范围。详细地，内部部分ip可以指距离金属板10的表面超过30nm的深度范围。

金属板10中包含的元素的类型和原子浓度可以通过x射线光电子能谱(xps)来确定。xps是电子能谱法的一种，并且可以通过使用x射线作为光源来分析元素。详细地，当x射线照射到金属板上时，光电子被发射到材料外部，并且由于其动能反映了构成材料的原子的原始位置处的结合能的大小，因此可以知晓材料的组成和结合状态。在实施方案中，金属板10的元素使用xps仪器(由ulval-phiinc.制造)来测量，此时，x射线的入射角为90度，光电子的吹炼角(blowingangle)为40度。此外，使用的x射线的能量源是单色al-kα(hv＝1486.6ev)，在15kv和1.6ma的x射线输出下测量样品金属板的100μmφ区域。

图2至图4是示出根据一个实施方案的金属板的各元素的原子浓度的比率的xps图的图。参照图2至图4，可以知晓根据一个实施方案的金属板10的外部部分sp的原子浓度。此时，在各图所示的图中，x轴是指时间(分钟)，y轴是指原子浓度(原子％)。此外，通过处理用于测量的金属板的随机区域来制备相同尺寸的两个样品，并且各样品制备为1cm的宽度和1cm的长度。此外，在约25℃的温度和约40％至约50％的湿度的恒温恒湿条件下进行测量，用实线表示测量的第一样品的测量结果，用虚线表示第二样品的测量结果。

在图2至图4的图中，0.6分钟(min)区域可以指在距离金属板10的表面约3nm至约4nm的深度点处，更具体地，约3.6nm的深度点处测量的结果。此外，在图中，1.5分钟(min)区域可以指在距离金属板10的表面约8nm至约10nm的深度点处，更具体地，约9nm的深度点处测量的结果。即，当在金属板10上进行溅射0.1分钟(min)时，可以测量在距离金属板10的表面约0.6nm的深度点处的组成。在xps的情况下，由于可以测量距离测量点约5nm以内的深度范围内的原子浓度，因此测量特定点的结果可以解释为测量在距离特定点约5nm以内的深度范围内的组成。例如，0.6分钟的溅射时间可以指对金属板10的表面进行溅射0.6分钟，并且可以指测量距离表面约1nm至约7nm的深度范围内包含的原子浓度。详细地，0.6分钟的溅射时间可以指测量约3.6nm至约8.6nm的深度中包含的原子浓度，该范围是在从表面溅射到3.6nm的深度之后，从溅射终点到约5nm的更深点的范围。当在溅射时使用xps时，可以掌握距离表面特定深度的组成和原子浓度。因此，可以掌握从表面到特定深度的范围内的特定原子浓度及其最大浓度，并且可以掌握特定原子浓度的增加/减少趋势。此外，对于各原子浓度，稍后将描述的含量中的最大原子浓度可以指使用xps测量的值中的最大值。

参照图2，金属板10的外部部分sp中包含的铁的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip中包含的铁的最大原子浓度不同。例如，金属板10的外部部分sp中的铁的最大原子浓度可以为约65原子％或更小。详细地，在距离金属板10的表面约14nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为约60原子％或更小。此外，在距离金属板10的表面约12nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为约60原子％或更小。此外，在距离金属板10的表面约10nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为约60原子％或更小。此外，在距离金属板10的表面约8nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为60原子％或更小。此外，在距离金属板10的表面约6nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为60原子％或更小。详细地，当进行0.3分钟至1.5分钟时间的溅射，并测量距离溅射终点约5nm或更小的范围内的更深点时，铁的最大原子浓度可以为约60原子％或更小。

此外，在距离金属板10的表面约14nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为约50原子％至约60原子％。详细地，在溅射0.3分钟至1.5分钟之后测量的铁的最大原子浓度可以为约50原子％至约60原子％。

此外，在距离金属板10的表面约7nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为约50原子％或更小。详细地，在距离表面约6.8nm或更小的深度范围内，铁的最大原子浓度可以为约50原子％或更小。例如，当进行溅射0.3分钟时，可以进行从金属板10的表面到约1.8nm的深度的溅射，当测量距离溅射终点约5nm或更小的更深点时，铁的最大原子浓度可以为约50原子％或更小。

此外，金属板10的外部部sp中的铁的最大原子浓度可以随溅射时间增加而增加更多，例如随在溅射之后测量点的深度变深而增加。即，浓度可以随距金属板10的表面的距离增加而逐渐增加。

参照图3，金属板10的外部部分sp中包含的镍的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip中包含的镍的原子浓度不同。详细地，外部部分sp和内部部分ip中包含的镍的最大原子浓度可以彼此不同。例如，金属板10的外部部分sp中的镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小，内部部分ip中的镍的最大原子浓度可以小于上述范围。详细地，在金属板10的外部部分sp中，在距离金属板10的表面约14nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小。此外，在距离表面约12nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小。此外，在距离表面约10nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小。此外，在距离表面约8nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小。此外，在距离表面约6nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约40原子％或更小。即，当进行溅射0.6分钟至1.5分钟并测量距离溅射终点的基准约5nm或更小的范围内的更深点时，镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小。

详细地，在距离金属板10的表面约14nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约40原子％至约45原子％。此外，在距离金属板10的表面约12nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约40原子％至约45原子％。此外，在距离金属板10的表面约10nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约40原子％至约45原子％。此外，在距离金属板10的表面约8nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约40原子％至约45原子％。

更详细地，在距离金属板10的表面约14nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约42原子％至约44原子％。此外，在距离金属板10的表面约12nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约42原子％至约44原子％。此外，在距离表面约10nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约42原子％至约44原子％。此外，在距离金属板10的表面约8nm或更小的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约42原子％至约44原子％。

作为实例，当金属板10的内部部分ip包含约35.5重量％至约36.5重量％的镍时，金属板10的外部部分sp的镍的最大原子浓度可以为约40原子％至约45原子％。优选地，金属板10的外部部分sp的镍的最大原子浓度可以为约42原子％至约44原子％。

因此，在增加金属板10的表面上的镍的原子浓度时，当将镍的最大原子浓度增加至约40原子％至约45原子％，优选地，约42原子％至约44原子％时，可以有效地抑制金属板10的表面上产生的锈。

此外，在距离金属板10的表面约1nm至约14nm的深度范围内，镍的最大原子浓度可以为约45原子％或更小。更详细地，在距离金属板10的表面约1.5nm至约14nm的深度范围内，镍的原子浓度可以为约40原子％至约45原子％。优选地，在距离金属板10的表面约3nm至约14nm的深度范围内，镍的原子浓度可以为约42原子％至约44原子％。

此外，在距离表面约9nm或更小的深度范围内包含的镍的原子浓度的最大值可以大于在距离表面约7nm或更小的深度范围内包含的镍的原子浓度的最大值。详细地，在距离表面约8.6nm或更小的深度范围内包含的镍的原子浓度的最大值可以大于在距离表面约6.8nm或更小的深度范围内包含的镍的原子浓度的最大值。例如，基于进行溅射0.6分钟的点测量的镍的原子浓度的最大值可以大于基于进行溅射0.3分钟的点测量的镍的原子浓度的最大值。详细地，基于进行溅射0.6分钟的点测量的在距离表面约3.6nm至约8.6nm的深度范围内的镍的原子浓度的最大值可以大于基于进行溅射0.3分钟的点测量的在距离表面约1.8nm至约6.8nm的深度范围内的镍的原子浓度的最大值。此外，当进行溅射0.3分钟至1.5分钟以测量外部部分sp的原子浓度时，在表面区域sp中，在进行溅射0.6分钟之后测量的镍的原子浓度值可以具有最大值。此外，外部部分sp中包含的镍的原子浓度可以在距离表面约3nm至约9nm的深度范围内具有最大值。详细地，其可以在距离表面约3.6nm至约8.6nm的深度范围内具有最大值。

参照图4，金属板10的外部部分sp中包含的氧的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip中包含的氧的原子浓度不同。例如，金属板10的外部部分sp中的氧的最小原子浓度可以为约5原子％或更小。

详细地，在金属板10的外部部分sp中，在距离金属板10的表面约23nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约10原子％或更小，在约14nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约10原子％或更小。此外，在约12nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约10原子％或更小。此外，在约10nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约10原子％或更小。此外，在约8nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约10原子％或更小。

更详细地，在距离金属板10的表面约14nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约5原子％或更小。此外，在距离表面约12nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约5原子％或更小。此外，在距离表面约10nm或更小的深度范围内，氧的最小原子浓度可以为约5原子％或更小。

此外，在距离表面约7nm或更小的深度范围内包含的氧的原子浓度的最小值可以大于在距离表面约9nm或更小的深度范围内包含的氧的原子浓度的最小值。详细地，在距离表面约6.8nm或更小的深度范围内包含的氧的原子浓度的最小值可以大于在距离表面约8.6nm或更小的深度范围内包含的氧的原子浓度的最小值。例如，基于进行溅射0.3分钟的点测量的氧的原子浓度的最小值可以大于基于进行溅射0.6分钟的点测量的氧的原子浓度的最小值。详细地，基于进行溅射0.3分钟的点测量的在距离表面约1.8nm至约6.8nm的深度范围内的氧的原子浓度的最小值可以大于基于进行溅射0.6分钟的点测量的在距离表面约3.6nm至约8.6nm的深度范围内的氧的原子浓度的最小值。此外，基于进行溅射0.6分钟的点测量的氧的原子浓度的最小值可以大于基于进行溅射0.9分钟的点测量的氧的原子浓度的最小值。详细地，基于进行溅射0.6分钟的点测量的在距离表面约3.6nm至约8.6nm的深度范围内的氧的原子浓度的最小值可以大于基于进行溅射0.9分钟的点测量的在距离表面约5.4nm至约10.4nm的深度范围内的氧的原子浓度的最小值。

即，在制造金属板10的过程中，根据实施方案的金属板10可以改变表面的原子浓度。详细地，金属板10的表面的原子浓度可以通过上述退火过程来控制。

作为实例，可以在约550℃至约650℃的温度下在金属板10上进行约45秒至约75秒的退火过程。优选地，可以在约600℃的温度下在金属板10上进行约60秒的退火过程。

退火过程可以在惰性气体气氛中进行。例如，退火过程可以在诸如氦气、氮气和氩气的惰性气体气氛中进行。在此，气氛可以指存在90％或更多的惰性气体的气氛。

金属板10的表面上的原子可以通过退火过程重新排列。详细地，金属板10的表面上的铁、镍、氧等的原子浓度可以通过退火过程改变，并且可以在表面上形成氧化物膜以预先防止腐蚀和腐蚀进展(corrosionprogress)。

即，根据实施方案的金属板10的内部部分ip可以包含约60重量％至约65重量％的铁和约35重量％至约40重量％的镍。详细地，金属板10的内部部分ip可以包含约63.5重量％至约64.5重量％的铁和约35.5重量％至约36.5重量％的镍。

此外，金属板10的外部部分sp，例如，距离金属板10的表面约30nm或更小的深度范围的区域可以具有比金属板10的内部部分ip的镍的原子浓度更高的镍的原子浓度。特别地，镍的原子浓度可以在距离表面约10nm或更小的深度范围内具有最大值。详细地，镍的原子浓度可以在距离表面约8.6nm或更小的深度范围内具有最大值。此外，在距离表面约10nm或更小的深度范围的区域中，金属板10可以具有约10原子％或更小的氧的原子浓度。

因此，金属板10可以具有改善的耐腐蚀性，从而有效地防止由于外部环境的腐蚀。详细地，由于金属板10的表面的氧的原子浓度低，因此可以使表面上形成的氧化物膜的厚度最小化，并且由于表面的镍的原子浓度高，因此可以具有改善的耐腐蚀性。

即，当通过使用金属板10制造稍后将描述的沉积掩模100时，可以在金属板10的运输和储存期间防止腐蚀，当通过使用沉积掩模100将其反复用于在基底300上形成像素图案时，可以防止沉积掩模100被腐蚀。

此外，金属板10可以使铬的含量最小化。详细地，相对于整个金属板10，铬的原子浓度可以以约0.03原子％或更小包含在内。更详细地，殷钢中的铬可以以约0.03原子％或更小包含在内。铬是可以改善金属板10的耐腐蚀性的元素。然而，铬具有难以均匀地分散或分布到用于制造金属板10的组成中的问题。此外，当其不均匀地分散或分布在组成中时，可能形成偏析和第二析出相等而改变金属板10的物理特性。

因此，根据实施方案的金属板10可以通过使铬的含量最小化来实现均匀的特性。因此，当制造稍后将描述的沉积掩模100时，可以对金属板10进行处理以改善可加工性。详细地，在用于在金属板10的一个表面和另一表面中的每一者处形成小表面孔v1和大表面孔v2的沉积掩模100的制造过程中，小表面孔v1和大表面孔v2可以均匀地形成，并且由小面孔v1和大面孔v2形成的通孔th可以更精确且均匀地形成。

图5至图7是描述使用根据一个实施方案的沉积掩模100在基底300上沉积有机材料的过程的概念图。

图5是示出包括根据实施方案的沉积掩模100的有机材料沉积设备的图，图6是示出牵拉根据实施方案的沉积掩模100以放置在掩模框架200上的图。此外，图7是示出通过沉积掩模100的复数个通孔在基底300上形成复数个沉积图案的图。

参照图5至图7，有机材料沉积设备可以包括沉积掩模100、掩模框架200、基底300、有机材料沉积容器400和真空室500。

沉积掩模100可以由上述金属板10制成。沉积掩模100可以在用于沉积的有效部分处包括复数个通孔th。沉积掩模100可以为包括复数个通孔th的沉积掩模用基底。在这种情况下，通孔可以形成为与待在基底上形成的图案对应。沉积掩模100可以包括除包括沉积区域的有效部分之外的非有效部分。

掩模框架200可以包括开口。沉积掩模100的复数个通孔可以设置在与开口对应的区域上。因此，可以将供应至有机材料沉积容器400的有机材料沉积在基底300上。沉积掩模100可以设置并固定在掩模框架200上。例如，可以将沉积掩模100牵拉并通过焊接固定在掩模框架200上。

在沉积掩模100的设置在最外部上的端部处，可以沿相反方向牵拉沉积掩模100。在沉积掩模100中，在沉积掩模100的纵向方向上可以将沉积掩模100的一端和与所述一端相反的另一端沿相反方向牵拉。沉积掩模100的一端和另一端可以背对彼此并平行设置。沉积掩模100的一端可以为设置在沉积掩模100的最外部上的形成四个侧表面的端部之一。例如，可以以0.4kgf至1.5kgf的力牵拉沉积掩模100。因此，可以将牵拉的沉积掩模100放置在掩模框架200上。

然后，可以通过焊接沉积掩模100的非有效部分将沉积掩模100固定至掩模框架200。随后，可以通过诸如切割的方法除去沉积掩模100的设置在掩模框架200外侧的部分。

基底300可以为用于制造显示装置的基底。例如，基底300可以为用于沉积oled像素图案用有机材料的基底300。红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)的有机材料图案可以形成在基底300上以形成作为光的三原色的像素。即，可以在基底300上形成rgb图案。虽然在附图中未示出，但除了红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)的有机材料图案之外，还可以在基底300上形成白色(w)的有机材料图案。即，可以在基底300上形成wrgb图案。

有机材料沉积容器400可以为坩埚。有机材料可以设置在坩埚的内部。

当向真空室500中的坩埚供应热源和/或电流时，可以将有机材料沉积在基底100上。

参照图7，沉积掩模100可以包括一个表面101和与所述一个表面相反的另一表面102。

沉积掩模100的一个表面101可以包括小表面孔v1，另一表面102可以包括大表面孔v2。通孔th可以通过连通部分ca连通，小表面孔v1和大表面孔v2的边界连接至连通部分ca。

沉积掩模100可以包括小表面孔v1中的第一蚀刻表面es1。沉积掩模100可以包括大表面孔v2中的第二蚀刻表面es2。通孔th可以通过连通小表面孔v1中的第一蚀刻表面es1和大表面孔v2中的第二蚀刻表面es2来形成。例如，一个小表面孔v1中的第一蚀刻表面es1可以与一个大表面孔v2中的第二蚀刻表面es2连通以形成一个通孔。

大表面孔v2的宽度可以大于小表面孔v1的宽度。此时，小表面孔v1的宽度可以在一个表面101处测量，大表面孔v2的宽度可以在另一表面102处测量。

小表面孔v1可以设置成朝向基底300。小表面孔v1可以设置成靠近基底300。因此，小表面孔v1可以具有与沉积材料(即，沉积图案dp)对应的形状。

大表面孔v2可以设置成朝向有机材料沉积容器400。因此，大表面孔v2可以以宽的宽度容纳从有机材料沉积容器400供应的有机材料，并且可以通过具有比大表面孔v2的宽度更小的宽度的小表面孔v1在基底300上快速形成精细图案。

图8是示出根据一个实施方案的沉积掩模100的平面图的图。参照图8，根据实施方案的沉积掩模100可以包括沉积图案区域da和非沉积区域nda。

沉积区域da可以为用于形成沉积图案的区域。沉积区域da可以包括图案区域和非图案区域。图案区域可以为包括小面孔v1、大面孔v2、通孔th和岛部分is的区域，非图案区域可以为不包括小面孔v1、大面孔v2、通孔th和岛部分is的区域。

此外，一个沉积掩模100可以包括复数个沉积区域da。例如，实施方案的沉积区域da可以包括能够形成复数个沉积图案的复数个有效部分aa1、aa2和aa3。

复数个有效部分aa1、aa2和aa3可以包括第一有效部分aa1、第二有效部分aa2和第三有效部分aa3。一个沉积区域da可以为第一有效部分aa1、第二有效部分aa2和第三有效部分aa3中的任一者。

在诸如智能电话的小尺寸显示装置的情况下，包括在沉积掩模100中的复数个沉积区域中的任一者的有效部分可以为用于形成一个显示装置的有效部分。因此，一个沉积掩模100可以包括复数个有效部分以同时形成复数个显示装置。因此，根据一个实施方案的沉积掩模100可以提高工艺效率。

或者，在诸如电视机的大尺寸显示装置的情况下，包括在一个沉积掩模100中的复数个有效部分可以为用于形成一个显示装置的部分。在这种情况下，复数个有效部分可以用于防止由于掩模的负荷而引起的变形。

沉积区域da可以包括包括在一个沉积掩模100中的复数个隔离区域ia1和ia2。隔离区域ia1和ia2可以设置在相邻的有效部分之间。隔离区域ia1和ia2可以为复数个有效部分之间的间隔区域。例如，第一隔离区域ia1可以设置在第一有效部分aa1与第二有效部分aa2之间。此外，第二隔离区域ia2可以设置在第二有效部分aa2与第三有效部分aa3之间。即，隔离区域ia1和ia2可以区分相邻的有效区域，并且一个沉积掩模100可以支承复数个有效部分。

沉积掩模100可以包括在沉积区域da的纵向方向上的两个侧面部分上的非沉积区域nda。根据一个实施方案的沉积掩模100可以包括在沉积区域da的水平方向上的两侧上的非沉积区域nda。

沉积掩模100的非沉积区域nda可以为不涉及沉积的区域。非沉积区域nda可以包括用于固定至掩模框架200的框架固定区域fa1和fa2。例如，沉积掩模100的非沉积区域nda可以包括在沉积区域da的一侧上的第一框架固定区域fa1，并且可以包括在沉积区域da的与所述一侧相反的另一侧上的第二框架固定区域fa2。第一框架固定区域fa1和第二框架固定区域fa2可以为通过焊接固定至掩模框架200的区域。

如上所述，沉积区域da可以为用于形成沉积图案的区域，非沉积区域nda可以为不涉及沉积的区域。在这种情况下，可以在沉积掩模100的沉积区域da中形成与金属板10的材料不同的表面处理层，并且可以不在非沉积区域nda中形成表面处理层。或者，与金属板10的材料不同的表面处理层可以仅形成在沉积掩模100的一个表面101和与所述一个表面101相反的另一表面102中的任一者上。或者，与金属板10的材料不同的表面处理层可以仅形成在沉积掩模100的一个表面101的一部分上。例如，沉积掩模100的一个表面和/或另一表面，以及沉积掩模100的整个和/或一部分可以包括具有比金属板10的材料的蚀刻速率更低的蚀刻速率的表面处理层，从而提高蚀刻因子。因此，一个实施方案的沉积掩模100可以高效地形成具有精细尺寸的通孔。作为实例，实施方案的沉积掩模100的分辨率可以为400ppi或更大。具体地，沉积掩模100可以高效地形成具有500ppi或更大的高分辨率的沉积图案。在此，表面处理层可以包含与金属板10的材料不同的材料，或者可以包含具有相同元素的不同组成的金属材料。在这方面，将在稍后描述的沉积掩模的制造过程中更详细地描述。

非沉积区域nda可以包括半蚀刻部分hf1和hf2。例如，沉积掩模100的非沉积区域nda可以包括在沉积区域da的一侧上的第一半蚀刻部分hf1，并且可以包括在沉积区域da的与所述一侧相反的另一侧上的第二半蚀刻部分hf2。第一半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2可以为其中在沉积掩模100的深度方向上形成有凹槽的区域。第一半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2可以具有厚度为沉积掩模的约1/2的凹槽，从而在牵拉沉积掩模100时分散应力。此外，优选地，形成在x轴方向或y轴方向上相对于沉积掩模100的中心对称的半蚀刻部分hf1和hf2。因此，可以均匀地控制两个方向上的拉力。

半蚀刻部分hf1和hf2可以形成为各种形状。半蚀刻部分hf1和hf2可以包括半圆形凹槽部分。凹槽可以形成在沉积掩模100的一个表面101和与所述一个表面101相反的另一表面102中的至少一者上。优选地，半蚀刻部分hf1和hf2可以形成在对应于小表面孔v1的表面上。因此，半蚀刻部分hf1和hf2可以与小表面孔v1同时形成，从而提高工艺效率。此外，半蚀刻部分hf1和hf2可以分散可能由于大表面孔v2之间的尺寸差异而产生的应力。然而，实施方案不限于此，并且半蚀刻部分hf1和hf2可以具有四边形形状。例如，半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2可以具有矩形或正方形形状。因此，沉积掩模100可以有效地分散应力。

此外，半蚀刻部分hf1和hf2可以包括弯曲表面和平坦表面。第一半蚀刻部分hf1的平坦表面可以设置成与第一有效区域aa1相邻，并且平坦表面可以与沉积掩模100的纵向方向上的一端水平地设置。第一半蚀刻部分hf1的弯曲表面可以具有朝向沉积掩模100的纵向方向上的一端的凸形形状。例如，第一半蚀刻部分hf1的弯曲表面可以形成为使得沉积掩模100的垂直方向上的长度的1/2点对应于半圆形的半径。

此外，第二半蚀刻部分hf2的平坦表面可以设置成与第三有效区域aa3相邻，并且平坦表面可以与沉积掩模100的纵向方向上的一端水平地设置。第二半蚀刻部分hf2的弯曲表面可以具有朝向沉积掩模100的纵向方向上的另一端的凸形形状。例如，第二半蚀刻部分hf2的弯曲表面可以形成为使得沉积掩模100的垂直方向上的长度的1/2点对应于半圆形的半径。

半蚀刻部分hf1和hf2可以在形成小面孔v1或大面孔v2时同时形成。因此，可以改善过程效率。此外，形成在沉积掩模100的一个表面101和另一表面102上的凹槽可以形成为彼此偏移。因此，半蚀刻部分hf1和hf2可以不是穿过的。

此外，根据实施方案的沉积掩模100可以包括四个半蚀刻部分。例如，半蚀刻部分hf1和hf2可以包括偶数的半蚀刻部分hf1和hf2，从而更有效地分散应力。

此外，半蚀刻部分hf1和hf2还可以形成在沉积区域da的非有效部分ua中。例如，可以将半蚀刻部分hf1和hf2分散至非有效部分ua的全部或一部分中从而设置为复数个，以分散牵拉沉积掩模100时的应力。

此外，半蚀刻部分hf1和hf2可以形成在框架固定区域fa1和fa2和/或框架固定区域fa1和fa2的周围区域中。因此，可以均匀地分散在将沉积掩模100固定至掩模框架200和/或在将沉积掩模100固定至掩模框架200之后沉积沉积材料时产生的沉积掩模100的应力。因此，可以将沉积掩模100保持为具有均匀的通孔。

即，根据实施方案的沉积掩模100可以包括复数个半蚀刻部分。详细地，根据实施方案的沉积掩模100示出为仅在非沉积区域nda中包括半蚀刻部分hf1和hf2，但是实施方案不限于此，并且沉积区域da和非沉积区域nda中的至少一个区域还可以包括复数个半蚀刻部分。因此，可以均匀地分散沉积掩模100的应力。

非沉积区域nda的用于固定至掩模框架200的框架固定区域fa1和fa2可以设置在非沉积区域nda的半蚀刻部分hf1和hf2与沉积区域da的与半蚀刻部分hf1和hf2相邻的有效部分之间。例如，第一框架固定区域fa1可以设置在非沉积区域nda的第一半蚀刻部分hf1与沉积区域da的与第一半蚀刻部分hf1相邻的第一有效部分aa1之间。例如，第二框架固定区域fa2可以设置在非沉积区域nda的第二半蚀刻部分hf2与沉积区域da的与第二半蚀刻部分hf2相邻的第三有效部分aa3之间。因此，可以同时固定复数个沉积图案部分。

此外，沉积掩模100可以在水平方向x的两端处包括半圆形开口部分。沉积掩模的非沉积区域nda可以在水平方向的两端中的每一者处包括一个半圆形开口部分。例如，沉积掩模100的非沉积区域nda可以在水平方向的一侧上包括其中垂直方向y的中心是开放的开口部分。例如，沉积掩模100的非沉积区域nda可以在水平方向的与一侧相反的另一侧上包括其中垂直方向的中心是开放的开口部分。即，沉积掩模100的两端可以包括在垂直方向的长度的1/2点处的开口部分。例如，沉积掩模100的两端可以成形为如马蹄形。

在这种情况下，开口部分掩模的弯曲表面可以指向半蚀刻部分hf1和半蚀刻部分hf2。因此，沉积掩模100的两端处的开口部分可以在第一半蚀刻部分hf1和hf2或第二半蚀刻部分hf1和hf2以及沉积掩模100的垂直方向的长度的1/2点处具有最短间距。

此外，第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向的长度d1可以对应于开口部分的垂直方向的长度d2。因此，当沉积掩模100被牵拉时，可以均匀地分散应力，使得可以减少沉积掩模100的变形(波变形)。因此，根据实施方案的沉积掩模100可以具有均匀的通孔，使得可以改善图案的沉积效率。优选地，第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向的长度d1可以为开口部分的垂直方向的长度d2的约80％至200％(d1∶d2＝0.8至2∶1)。第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向的长度d1可以为开口部分的垂直方向的长度d2的约90％至约150％(d1∶d2＝0.9至1.5∶1)。第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向的长度d1可以为开口部分的垂直方向的长度d2的约95％至约110％(d1∶d2＝0.95至1.1∶1)。

此外，虽然未在图中示出，但是半蚀刻部分还可以形成在沉积区域da的非有效部分ua中。可以将半蚀刻部分分散至非有效部分ua的全部或一部分中从而设置为复数个，以分散牵拉沉积掩模100时的应力。

此外，半蚀刻部分hf1和hf2可以形成在框架固定区域fa1和fa2和/或框架固定区域fa1和fa2的周围区域中。因此，可以均匀地分散在将沉积掩模100固定至掩模框架200和/或在将沉积掩模100固定至掩模框架之后沉积沉积材料时产生的沉积掩模100的应力。因此，可以将沉积掩模100保持为具有均匀的通孔。

沉积掩模100可以包括在纵向方向上间隔开的复数个有效部分aa1、aa2和aa3以及除有效部分之外的非有效部分ua。

有效部分aa1、aa2和aa3可以包括形成在沉积掩模100的一个表面上的复数个小表面孔v1、形成在与该一个表面相反的另一表面上的复数个大表面孔v2、由连接小表面孔v1与大表面孔v2之间的边界的连通部分ca形成的通孔th。

此外，有效部分aa1、aa2和aa3可以包括支撑在复数个通孔th之间的岛部分is。

岛部分is可以定位在复数个通孔th中的相邻通孔th之间。即，在沉积掩模100的有效部分aa1、aa2和aa3中除通孔th之外的区域可以为岛部分is。

岛部分is可以指在形成通孔时在沉积掩模100的有效部分的一个表面101或另一表面102中未被蚀刻的部分。详细地，岛部分is可以为在其上形成有沉积掩模100的有效部分的大表面孔v2的另一表面1021上的通孔与通孔之间的未蚀刻区域。因此，岛部分is可以与沉积掩模100的一个表面101平行地设置。

岛部分is可以与沉积掩模100的另一表面102共面设置。因此，岛部分is可以具有与沉积掩模100的另一表面102上的非有效部分的至少一部分相同的厚度。详细地，岛部分is可以具有与沉积掩模100的另一表面102上的非有效部分的未蚀刻部分相同的厚度。因此，可以通过沉积掩模100改善子像素的沉积均匀性。

替代地，岛部分is可以设置在与沉积掩模100的另一表面102平行的平坦表面中。在此，平行的平坦表面可以包括：通过围绕岛部分is蚀刻过程，沉积掩模100的其中设置有岛部分is的另一表面102与非有效部分的未蚀刻沉积掩模100的另一表面102的高度差为±1μm或更小。

沉积掩模100可以包括设置在有效区域aa1、aa2和aa3的外围处的非有效部分ua。当连接复数个通孔中的用于沉积有机材料的定位在最外部处的通孔的外围时，有效部分aa可以为内部区域。当连接复数个通孔中的用于沉积有机材料的定位在最外部处的通孔的外围时，非有效部分ua可以为外部区域。

非有效部分ua是除沉积区域da的有效部分aa1、aa2和aa3以及非沉积区域nda之外的区域。非有效部分ua可以包括围绕有效部分aa1、aa2和aa3的外围的外部区域oa1、oa2和oa3。

外部区域oa1、oa2和oa3的数量可以对应于有效部分aa1、aa2和aa3的数量。即，一个有效部分可以包括与一个有效部分的端部在水平方向和垂直方向上以预定距离间隔开的一个外部区域。

第一有效部分aa1可以包括在第一外部区域oa1中。第一有效部分aa1可以包括用于形成沉积材料的复数个通孔th。围绕第一有效部分aa1的外围的第一外部区域oa1可以包括复数个通孔。

例如，包括在第一外部区域oa1中的复数个通孔用于减少定位在有效部分aa1的最外部处的通孔th的蚀刻失败。因此，根据实施方案的沉积掩模100可以改善定位在有效部分aa1、aa2和aa3中的复数个通孔的均匀性，并且可以改善通过其制造的沉积图案的品质。

此外，第一有效部分aa1的通孔th的形状可以对应于第一外部区域oa1的通孔的形状。因此，可以改善包括在第一有效部分aa1中的通孔th的均匀性。例如，第一有效部分aa1的通孔th的形状和第一外部区域oa1的通孔的形状可以为圆形形状。然而，实施方案不限于此，并且通孔th可以具有各种形状，例如菱形图案、椭圆形图案等。

第二有效部分aa2可以包括在第二外部区域oa2中。第二有效部分aa2可以具有对应于第一有效部分aa1的形状。第二外部区域oa2可以具有对应于第一外部区域oa1的形状。

第二外部区域oa2还可以基于定位在第二有效部分aa2的最外部处的通孔分别在水平方向和垂直方向上包括两个通孔。例如，在第二外部区域oa2中，可以分别在定位在第二有效部分aa2的最外部处的通孔的上部和下部处在水平方向上成排设置两个通孔。例如，在第二外部区域oa2中，可以分别在定位在第二有效部分aa2的最外部处的通孔的左侧和右侧处在垂直方向上成行设置两个通孔。包括在第二外部区域oa2中的复数个通孔用于减少定位在有效部分的最外部处的通孔的蚀刻失败。因此，根据实施方案的沉积掩模可以改善定位在有效部分中的复数个通孔的均匀性，并且可以改善通过其制造的沉积图案的品质。

第三有效部分aa3可以包括在第三外部区域oa3中。第三有效部分aa3可以包括用于形成沉积材料的复数个通孔。围绕第三有效部分aa3的外围的第三外部区域oa3可以包括复数个通孔。

第三有效部分aa3可以呈对应于第一有效部分aa1的形状的形状。第三外部区域oa3可以呈对应于第一外部区域oa1的形状的形状。

包括在有效部分aa1、aa2和aa3中的通孔th可以具有部分地对应于包括在非有效部分ua中的通孔的形状的形状。作为实例，包括在有效部分aa1、aa2和aa3中的通孔可以具有与定位在非有效部分ua的边缘部分处的通孔的形状不同的形状。因此，可以调节根据沉积掩模100的位置的应力差。

图9和10是示出根据一个实施方案的沉积掩模100的有效部分的平面图的图，图11是示出根据一个实施方案的沉积掩模的另一平面图的图。

图9至11可以是根据实施方案的沉积掩模100的第一有效部分aa1、第二有效部分aa2和第三有效部分aa3中的任一者的平面图。此外，图9至10示出了通孔th的形状和通孔th之间的布置，并且根据实施方案的沉积掩模100不限于图中所示的通孔th的数量。

参照图9至11，沉积掩模100可以包括复数个通孔th。在这种情况下，通孔th根据方向可以成排设置或者可以彼此交错设置。例如，通孔th可以在垂直轴上成排设置，并且可以在水平轴上成排设置。

参照图9和10，沉积掩模100可以包括复数个通孔th。此时，复数个通孔th可以具有圆形形状。详细地，通孔th的水平方向上的直径cx和垂直方向上的直径cy可以彼此对应。

通孔th根据方向可以成排设置。例如，通孔th可以在垂直轴和水平轴上成排设置。

具体地，第一通孔th1和第二通孔th2可以在水平轴上成排设置。此外，第三通孔th1和第四通孔th4可以在水平轴上成排设置。

此外，第一通孔th1和第三通孔th3可以在垂直轴上成排设置。此外，第二通孔th2和第四通孔th4可以在水平轴上成排设置。

即，当通孔th在垂直轴和水平轴上成排设置时，岛部分is布置在对角线方向上彼此相邻的两个通孔th之间，其中垂直轴和水平轴二者相交。即，岛部分is可以为彼此定位在对角线方向上的两个相邻通孔th之间的位置。

例如，岛部分is可以设置在第一通孔th1与第四通孔th4之间。此外，岛部分is可以设置在第二通孔th2与第三通孔th3之间。岛部分is可以分别以相对于横穿两个相邻通孔的水平轴约+45度的倾斜角方向和约-45度的倾斜角方向设置。在此，约±45的倾斜角方向可以意指水平轴与垂直轴之间的对角线方向，并且对角线倾斜角在水平轴和垂直轴的同一平面上测量。

此外，参照图11，根据一个实施方案的另一沉积掩模100可以包括复数个通孔。此时，复数个通孔可以具有椭圆形形状。详细地，通孔th的水平方向上的直径cx和垂直方向上的直径cy可以彼此不同。例如，通孔的水平方向上的直径cx可以大于垂直方向上的直径cy。然而，实施方案不限于此，当然，通孔可以具有矩形形状、八边形形状或圆形八边形形状。

通孔th可以在垂直轴和水平轴中的任一者上成排设置，并且可以在另一轴上彼此交错设置。

具体地，第一通孔th1和第二通孔th2可以在水平轴上成排设置，并且第三通孔th1和第四通孔th4可以在垂直轴上分别与第一通孔th1和第二通孔th2交错设置。

当通孔th在垂直轴和水平轴中的任一方向上成排设置并且在另一方向上交错时，岛部分is可以在垂直轴和水平轴中的另一方向上定位在两个相邻的通孔th1和th2之间。替代地，岛部分is可以定位在彼此相邻的三个通孔th1、th2和th3之间。三个相邻的通孔th1、th2和th3中的两个通孔th1和th2为成排设置的通孔，并且剩余的一个通孔th3可以指可以在对应于该排的方向的方向上在相邻位置处设置在两个通孔th1和th2之间的区域中的通孔。岛部分is可以设置在第一通孔th1、第二通孔th2和第三通孔th3之间。替代地，岛部分is可以设置在第二通孔th2、第三通孔th3和第四通孔th4之间。

此外，在根据实施方案的沉积掩模100中，在测量作为通孔中的任一者的参照孔的水平方向上的直径cx和垂直方向上的直径cy的情况下，与参照孔相邻的各孔th的水平方向上的直径cx之间的偏差和垂直方向上的直径cy之间的偏差可以实现为2％至10％。即，当将一个参照孔的相邻孔之间的尺寸偏差实现为2％至10％时，可以确保沉积均匀性。参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为4％至9％。例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为5％至7％。例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为2％至5％。当参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差小于2％时，沉积之后oled面板中的莫尔条纹的发生率可能增加。当参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差大于10％时，沉积之后oled面板中颜色不均匀的发生率可能增加。通孔的直径的平均偏差可以为±5μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以为±3μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以为±1μm。在实施方案中，沉积效率可以通过实现参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差在±3μm以内而得到改善。

图9至11的岛部分is可以指在沉积掩模100的其中形成有有效部分aa的大表面孔v2的另一表面中的通孔th之间的未蚀刻表面。详细地，岛部分is可以为沉积掩模的有效部分aa中的除了定位在大表面孔中的第二蚀刻表面es2和通孔th之外的未蚀刻沉积掩模100的另一表面。一个实施方案的沉积掩模100可以用于沉积分辨率为400ppi或更高，详细地400ppi至800ppi或更高的高分辨率至超高分辨率的oled像素。

例如，实施方案的沉积掩模100可以用于形成具有分辨率为400ppi或更高的全高清(highdefinition，hd)的高分辨率的沉积图案。例如，实施方案的沉积掩模100可以用于沉积在水平方向和垂直方向上的像素数为1920*1080或更大并且分辨率为400ppi或更高的oled像素。即，实施方案的沉积掩模100中包括的一个有效部分可以用于形成分辨率为1920*1080或更大的像素数。

例如，实施方案的沉积掩模100可以用于形成具有分辨率为500ppi或更高的四倍高清(quadhighdefinition，qhd)的高分辨率的沉积图案。例如，实施方案的沉积掩模100可以用于沉积在水平方向和垂直方向上的像素数为2560*1440或更大并且分辨率为530ppi或更高的oled像素。根据实施方案的沉积掩模100，基于5.5英寸oled面板，每英寸的像素数可以为530ppi或更高。即，实施方案的沉积掩模100中包括的一个有效部分可以用于形成分辨率为2560*1440或更高的像素数。

例如，实施方案的沉积掩模100可以用于形成具有分辨率为700ppi或更高的超高清(ultra-highdefinition，uhd)的超高分辨率的沉积图案。例如，实施方案的沉积掩模100可以用于形成具有uhd级分辨率的沉积图案从而沉积在水平方向和垂直方向上的像素数为3840*2160或更大并且分辨率为794ppi或更高的oled像素。

通孔th的直径可以为连通部分ca之间的宽度。详细地，通孔th的直径可以在小表面孔v1中的内侧表面的端部与大表面孔v2中的内侧表面的端部相遇的点处测量。通孔th的直径的测量方向可以为水平方向、垂直方向和对角线方向中的任一者。在水平方向上测量的通孔th的直径可以为33μm或更小。替代地，在水平方向上测量的通孔th的直径可以为33μm或更小。替代地，通孔th的直径可以为分别在水平方向、垂直方向和对角线方向上测量的值的平均值。

因此，根据实施方案的沉积掩模100可以实现qhd级分辨率。例如，通孔th的直径可以为约15μm至约33μm。例如，通孔th的直径可以为约19μm至约33μm。例如，通孔th的直径可以为约20μm至约27μm。当通孔th的直径超过约33μm时，可能难以实现500ppi或更高的分辨率。另一方面，当通孔th的直径小于约15μm时，可能发生沉积失败。

参照图9和10，在水平方向上的复数个通孔th中的两个相邻通孔之间的间距可以为约48μm或更小。例如，在水平方向上的复数个通孔th中的两个相邻通孔th之间的间距可以为约20μm至约48μm。例如，在水平方向上的复数个通孔th中的两个相邻通孔th之间的间距可以为约30μm至约35μm。在此，间距可以指在水平方向上相邻的第一通孔th1的中心与第二通孔th2的中心之间的间距p1。另外，间距可以指在水平方向上相邻的第一岛部分的中心与第二岛部分的中心之间的间距p2。在此，岛部分is的中心可以为在水平方向和垂直方向上的四个相邻通孔th之间的未蚀刻的另一表面处的中心。例如，岛部分is的中心基于在水平方向上相邻的第一通孔th1和第二通孔th2可以指连接定位在垂直相邻于第一通孔th1的第三通孔th3与垂直相邻于第二通孔th2的第四通孔th4之间的区域中的一个岛部分is的边缘的水平轴和垂直轴相交的点。

此外，参照图11，在水平方向上的复数个通孔th中的两个相邻通孔之间的间距可以为约48μm或更小。例如，在水平方向上的复数个通孔th中的两个相邻通孔th之间的间距可以为约20μm至约48μm。例如，在水平方向上的复数个通孔th中的两个相邻通孔th之间的间距可以为约30μm至约35μm。在此，间距可以指在水平方向上相邻的第一通孔th1的中心与第二通孔th2的中心之间的间距p1。此外，间距可以指在水平方向上相邻的第一岛部分的中心与第二岛部分的中心之间的间距p2。在此，岛部分is的中心可以为一个通孔与在垂直方向上相邻的两个通孔之间的未蚀刻的另一表面处的中心。替代地，在此，岛部分is的中心可以为两个通孔与在垂直方向上相邻的一个通孔之间的未蚀刻的另一表面处的中心。即，岛部分is的中心为三个相邻的通孔之间的未蚀刻的表面的中心，并且三个相邻的通孔可以指当将中心连接时可以形成三角形形状。

通孔th的直径的测量方向和两个相邻通孔th之间的间距的测量方向可以相同。通孔th的间距可以为在水平方向或垂直方向上测量两个相邻通孔th之间的间距的值。

即，根据实施方案的沉积掩模100可以沉积分辨率为400ppi或更高的oled像素。详细地，在根据实施方案的沉积掩模100中，通孔th的直径为33μm或更小，并且通孔th之间的间距为48μm或更小，并因此可以沉积分辨率为500ppi或更高的oled像素。更具体地，可以沉积分辨率为500ppi或更高的绿色有机材料。即，使用根据实施方案的沉积掩模100可以实现qhd级分辨率。

通孔th的直径和通孔th之间的间距可以是用于形成绿色子像素的尺寸。例如，通孔th的直径可以基于绿色(g)图案来测量。由于绿色(g)图案具有低的通过视觉的识别率，因此需要比r和b图案更大的数量，并且通孔th之间的间距可以比r和b图案更窄。沉积掩模100可以为用于实现qhd显示像素的oled沉积掩模。

例如，沉积掩模100可以用于沉积红色r、第一绿色g1、蓝色b和第二绿色g2中的至少一种子像素。详细地，沉积掩模100可以用于沉积红色r子像素。替代地，沉积掩模100可以用于沉积蓝色b子像素。替代地，沉积掩模100可以用于同时形成第一绿色g1子像素和第二绿色g2子像素。

有机发光显示装置的像素布置可以以“红色r-第一绿色g1-蓝色b-第二绿色g2”(rgbg)的顺序设置。在这种情况下，红色r-第一绿色g1可以形成一种像素rg，以及蓝色b-第二绿色g2可以形成另一像素bg。在具有这样的布置的有机发光显示装置中，由于绿色发光有机材料的沉积间隔比红色发光有机材料和蓝色发光有机材料的沉积间隔更窄，因此可能需要如本发明的沉积掩模100的形式。

此外，根据实施方案的沉积掩模100可以具有直径在水平方向上为约20μm或更小的通孔th。因此，根据实施方案的沉积掩模100可以实现uhd级分辨率。例如，在根据实施方案的沉积掩模100中，通孔th的直径为约20μm或更小，并且通孔之间的间距为约32μm或更小，并因此可以沉积分辨率为800ppi级的oled像素。即，使用根据实施方案的沉积掩模可以实现uhd级分辨率。

通孔的直径和通孔之间的间距可以为用于形成绿色子像素的尺寸。沉积掩模可以为用于实现uhd显示像素的oled沉积掩模。

图12是示出重叠的各截面的图，以描述图9和10的沿a-a’方向的截面与沿b-b’方向的截面之间的高度差和尺寸。

首先，将描述图9和10的沿a-a’方向的截面。a-a’方向是横穿在垂直方向上相邻的第一通孔th1与第三通孔th3之间的中心区域的截面。即，沿a-a’方向的截面可以不包括通孔th。

在沿a-a’方向的截面中，作为沉积掩模的未被蚀刻的另一表面的岛部分is可以定位在大表面孔中的蚀刻表面es2与大表面孔中的蚀刻表面es2之间。因此，岛部分is可以包括与沉积掩模的一个未蚀刻表面平行的表面。替代地，岛部分is可以包括与沉积掩模100的另一未蚀刻表面相同或平行的表面。

接着，将描述图a和b的沿b-b’方向的截面。b-b’方向是横穿在水平方向上相邻的第一通孔th1和第二通孔th2中的每一者的中心的截面。即，沿方向b-b’的截面可以包括复数个通孔th。

可以在沿方向b-b’相邻的第三通孔th3与第四通孔th4之间定位有一个肋rb。可以在第四通孔th4与在水平方向上与第四通孔相邻但定位在与第三通孔th3相反的方向上的第五通孔之间定位有另一肋rb。可以在一个肋和另一肋之间定位有一个通孔th。即，可以在水平方向上相邻的两个肋rb之间定位有一个通孔th。

此外，在沿b-b’方向的截面中，可以定位有作为其中大表面孔中的蚀刻表面es2和相邻大表面孔中的蚀刻表面es2彼此连接的区域的肋rb。在此，肋rb可以为其中连接两个相邻的大表面孔的边界的区域。由于肋rb是蚀刻表面，因此肋rb可以具有比岛部分is小的厚度。例如，岛部分is的宽度可以为2μm或更大。即，在另一表面上的与保持未被蚀刻的部分的另一表面平行的方向上的宽度可以为约2μm或更大。当一个岛部分is的一端和另一端的宽度为约2μm或更大时，可以增加沉积掩模100的总体积。具有这样的结构的沉积掩模100确保足够的抵抗施加至有机材料沉积过程等的拉力的刚度，并因此对于保持通孔的均匀性是有利的。

图13是示出图9和10的沿b-b’方向的截面图的图。参照图13，将描述图9和10的b-b’方向的截面和根据图12的有效区域的肋rb与肋rb之间的通孔th的放大截面。

根据实施方案的沉积掩模100，其中通过蚀刻形成有通孔th的有效部分aa的厚度可以与未蚀刻的非有效部分ua的厚度不同。详细地，肋rb的厚度可以小于未蚀刻的非有效部分ua中的厚度。

在实施方案的沉积掩模100中，非有效部分ua的厚度可以大于有效部分aa1、aa2和aa3的厚度。在这种情况下，岛部分is为蚀刻区域，并且岛部分is可以对应于非有效部分ua到非沉积区域nda的最大厚度。例如，沉积掩模100的非有效部分ua到非沉积区域nda的最大厚度可以为约30μm或更小。因此，岛部分is的最大厚度可以为约30μm或更小，并且除岛部分is之外的有效部分aa1、aa2和aa3的厚度可以小于非有效部分ua的厚度。详细地，在沉积掩模100中，非有效部分ua到非沉积区域nda的最大厚度可以为约25μm或更小。例如，在实施方案的沉积掩模中，非有效区域到非沉积区域的最大厚度可以为约15μm至约25μm。因此，岛部分is的最大厚度可以为约15μm至约25μm。当根据实施方案的沉积掩模100的非有效部分或非沉积区域的最大厚度超过约30μm时，可能由于金属板10的厚度厚而难以形成具有精细尺寸的通孔th。此外，当沉积掩模100的非有效部分ua或非沉积区域nda的最大厚度小于约15μm时，可能由于金属板的厚度薄而难以形成具有均匀尺寸的通孔。

在肋rb的中心处测量的最大厚度t3可以为约15μm或更小。例如，在肋rb的中心处测量的最大厚度t3可以为约7μm至约10μm。例如，在肋rb的中心处测量的最大厚度t3可以为约6μm至约9μm。当在肋rb的中心处测量的最大厚度t3超过约15μm时，可能难以形成具有500ppi级或更高的高分辨率的oled沉积图案。此外，当在肋rb的中心处测量的最大厚度t3小于约6μm时，可能难以均匀地形成沉积图案。

沉积掩模100的小表面孔的高度h1可以为在肋rb的中心处测量的最大厚度t3的约0.2倍至约0.4倍。例如，在肋rb的中心处测量的最大厚度t3可以为约7μm至约9μm，并且沉积掩模100的一个表面与连通部分之间的高度h1可以为约1.4μm至约3.5μm。沉积掩模100的小表面孔的高度h1可以为约3.5μm或更小。例如，小表面孔v1的高度可以为约0.1μm至约3.4μm。例如，沉积掩模100的小表面孔v1的高度可以为约0.5μm至约3.2μm。例如，沉积掩模100的小表面孔v1的高度可以为约1μm至约3μm。在此，高度可以在沉积掩模100的厚度测量方向上，即在深度方向上测量，并且可以为从沉积掩模100的一个表面到连通部分测量的高度。详细地，其可以在与图8至9或图10的平面图中的上述水平方向(x方向)和垂直方向(y方向)成90度的z轴方向上测量。

当沉积掩模100的一个表面与连通部分之间的高度超过约3.5μm时，可能由于阴影效应而发生沉积失败，所述阴影效应为在oled沉积期间沉积材料散布至比通孔的面积更大的区域。

此外，在其中形成有沉积掩模100的小表面孔v1的一个表面处的孔径w1和作为小表面孔v1与大表面孔v2之间的边界的连通部分处的孔径w2可以彼此相似或不同。在其上形成有沉积掩模100的小表面孔v1的一个表面处的孔径w1可以大于连通部分处的孔径w2。

例如，沉积掩模100的一个表面处的孔径w1与连通部分处的孔径w2之差可以为约0.01μm至约1.1μm。例如，沉积掩模的一个表面处的孔径w1与连通部分处的孔径w2之差可以为约0.03μm至约1.1μm。例如，沉积掩模的一个表面处的孔径w1与连通部分处的孔径w2之差可以为约0.05μm至约1.1μm。

当沉积掩模100的一个表面处的孔径w1与连通部分处的孔径w2之差大于约1.1μm时，可能由于阴影效应而发生沉积失败。

此外，连接定位在沉积掩模100的与一个表面101相反的另一表面102处的大表面孔v2的一端e1和小表面孔v1与大表面孔v2之间的连通部分的一端e2的倾斜角θ可以为40度至55度。因此，可以形成具有400ppi级或更高，详细地500ppi级或更高的高分辨率的沉积图案，并且同时，岛部分is可以存在于沉积掩模100的另一表面102上。

图14是示出根据一个实施方案的沉积掩模100的制造过程的图。

参照图14，根据实施方案的沉积掩模100的制造过程可以包括制备金属板10，通过使用光致抗蚀剂层在金属板10上形成通孔，以及除去光致抗蚀剂层以形成包括通孔的沉积掩模。

在制备金属板10时，金属板10可以通过冷轧法来制造。详细地，金属板10可以通过熔化、锻造、热轧、正火、冷轧和退火过程来形成。

金属板10可以包含镍(ni)合金。具体地，金属板10可以包含铁(fe)和镍(ni)合金。更具体地，金属板10可以包含铁(fe)、镍(ni)、氧(o)和铬(cr)。例如，金属板10可以包含约60重量％至约65重量％的铁，并且可以包含约35重量％至约40重量％的镍。此外，金属板10还可以包含少量的以下中的至少一种元素：碳(c)、硅(si)、硫(s)、磷(p)、锰(mn)、钛(ti)、钴(co)、铜(cu)、银(ag)、钒(v)、铌(nb)、铟(in)和锑(sb)。在此，少量可以意指不大于1重量％。即，金属板10可以包含殷钢。

可以在退火过程中改变金属板10的表面的原子浓度。例如，金属板10可以包括包含表面的外部部分sp和除外部部分sp之外的内部部分ip，并且金属板10的外部部分sp的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip的原子浓度不同。

详细地，在退火过程中，可以将金属板10在约550℃至约650℃的温度下热处理约45秒至约75秒。优选地，在退火过程中，可以将金属板10在约600℃的温度下热处理约60秒。

退火过程可以在惰性气体气氛中进行。例如，退火过程可以在诸如氦、氮和氩的惰性气体气氛中进行。在此，气氛可以指存在90％或更多的惰性气体的气氛。

金属板10的表面上的原子可以通过退火过程重新排列。详细地，可以通过退火过程改变金属板10的表面上的铁、镍、氧等的原子浓度，并且可以在表面上形成氧化膜以预先防止腐蚀和腐蚀进展。

因此，可以改变金属板10的表面上的铁、镍、氧等的原子浓度。详细地，从金属板10的表面起约30nm或更小的深度范围的区域的镍的最大原子浓度可以比金属板10的内部部分ip的镍的最大原子浓度更大。特别地，镍的原子浓度可以在外部部分sp的约10nm的深度范围内具有最大值。此外，在从金属板10的表面起约10nm或更小的深度范围的区域中，氧的最小原子浓度值可以为约10原子％或更小。

即，由于通过退火过程降低金属板10的表面上的氧的原子浓度，因此可以使形成的氧化膜的厚度最小化。此外，由于通过退火过程可以增加表面的镍的原子浓度，因此可以具有改善的耐腐蚀性。

此外，制备金属板10还可以包括根据金属板10的目标厚度减小厚度。减小厚度可以是通过对已经历轧制过程的金属板10进行更多的轧制或蚀刻来形成所需厚度的步骤。

例如，可能需要厚度为约30μm或更小的金属板10来制造用于实现400ppi或更高的分辨率的沉积掩模，以及可能需要厚度为约20μm至约30μm的金属板10来制造用于实现500ppi或更高的分辨率的沉积掩模，以及可能需要厚度为约15μm至约20μm的金属板10来制造能够实现800ppi或更高的分辨率的沉积掩膜。

此外，制备金属板10还可以任选地包括用于改善蚀刻因子的表面处理步骤。详细地，在诸如殷钢的镍合金中，可能在蚀刻开始时增加蚀刻速率，因此可能降低小表面孔v1的蚀刻因子。因此，可能难以形成具有精细尺寸的通孔th和在均匀位置处的通孔th。

因此，可以在金属板10的表面上形成用于防止快速蚀刻的表面处理层。表面处理层可以为蚀刻速率比金属板10的蚀刻速率低的蚀刻阻挡层。表面处理层可以具有与金属板10的晶面和晶体结构不同的晶面和晶体结构。例如，当表面处理层包含与金属板10的元素不同的元素时，晶面和晶体结构可以彼此不同。

例如，在相同的腐蚀环境中，表面处理层可以具有与金属板10的腐蚀电位不同的腐蚀电位。例如，当在相同的温度下施加相同的蚀刻剂相同的时间时，表面处理层可以具有与金属板10的腐蚀电流或腐蚀电位不同的腐蚀电流或腐蚀电位。

金属板10可以在一个表面和/或两个表面、整个表面、和/或有效区域上包括表面处理层或表面处理部分。表面处理层或表面处理部分可以包含与金属板10不同的元素，或者可以以与金属板10相比更大的含量包含具有慢腐蚀速率的金属元素。

接着，形成通孔可以使用光致抗蚀剂层在金属板10上进行。形成通孔可以包括在金属板10的一个表面上形成用于形成小表面孔v1的第一凹槽，并通过在金属板10的另一表面上形成用于形成大表面孔v2的第二凹槽来形成通孔。

可以将光致抗蚀剂层设置在金属板10的一个表面上以在金属板10中形成小表面孔v1。可以通过对光致抗蚀剂层进行曝光和显影来在金属板10的一个表面上设置图案化的第一光致抗蚀剂层pr1。此外，可以在金属板10的与一个表面相反的另一表面上设置用于防止蚀刻的蚀刻阻挡层例如涂层或膜层。

随后，可以通过对图案化的第一光致抗蚀剂层pr1的开口部分进行半蚀刻来在金属板10的一个表面上形成第一凹槽。详细地，可以将第一光致抗蚀剂层pr1的开口部分暴露于蚀刻剂等，从而可以在金属板10的一个表面的其上未设置第一光致抗蚀剂层pr1的开口部分中发生蚀刻。

形成第一凹槽是将厚度t1为约20μm至约30μm的金属板10蚀刻至约1/2的厚度的步骤。通过该步骤形成的第一凹槽的深度可以为约10μm至15μm。即，在该步骤之后形成的第一凹槽的中心处测量的金属板的厚度t2可以为约10μm至约15μm。

形成第一凹槽可以为各向异性蚀刻或半加成法(semi-additiveprocess，sap)。详细地，可以使用各向异性蚀刻或半加成法来对第一光致抗蚀剂层pr的开口部分进行半蚀刻。因此，与各向同性蚀刻相比，在通过半蚀刻形成的凹槽中，在深度方向上的蚀刻速率(b方向)可以比侧面蚀刻(a方向)的蚀刻速率更快。

小表面孔v1的蚀刻因子可以为2.0至3.0。例如，小表面孔v1的蚀刻因子可以为2.1至3.0。例如，小表面孔v1的蚀刻因子可以为2.2至3.0。

在此，蚀刻因子可以意指经蚀刻的小表面孔的深度b除以从小表面孔上的岛部分is延伸并朝通孔th的中心突出的光致抗蚀剂层的宽度a(蚀刻因子＝b/a)。a可以意指在一个表面孔上突出的光致抗蚀剂层的一侧的宽度和与该一侧相反的另一侧的宽度的平均值。

随后，可以在金属板10的另一表面上设置光致抗蚀剂层以形成大表面孔v2。可以通过对光致抗蚀剂层进行曝光和显影来在金属板10的另一表面上设置图案化的第二光致抗蚀剂层pr2。可以在金属板10的另一表面上设置具有开口部分的图案化的第二光致抗蚀剂层pr2以形成大表面孔v2。可以在金属板10的一个表面上设置用于防止蚀刻的蚀刻阻挡层例如涂层或膜层。

可以将第二光致抗蚀剂层pr2的开口部分暴露于蚀刻剂等，从而可以在金属板10的另一表面的其上未设置第二光致抗蚀剂层pr2的开口部分中发生蚀刻。可以通过各向异性蚀刻或各向同性蚀刻对金属板10的另一表面进行蚀刻。

在对第二光致抗蚀剂层pr2的开口部分进行蚀刻时，可以将金属板10的一个表面上的凹槽连接至大表面孔v2以形成通孔。

形成通孔可以通过在形成用于形成小表面孔v1的第一凹槽之后进行形成用于形成大表面孔v2的第二凹槽来形成通孔。

另外，形成通孔可以通过在形成用于形成大表面孔v2的第二凹槽之后进行形成用于形成小表面孔v1的第一凹槽来形成通孔。

另外，形成通孔可以通过同时进行形成用于形成小表面孔v1的第一凹槽和形成用于形成大表面孔v2的第二凹槽来形成通孔th。

接着，在除去光致抗蚀剂层之后，可以通过形成包括形成在一个表面上的大表面孔v2、形成在与该一个表面相反的另一表面上的小表面孔v1和通过连接大表面孔v2与小表面孔v1之间的边界的连通部分形成的通孔th的沉积掩模100来形成沉积掩模100。

通过上述步骤形成的沉积掩模100可以包含与金属板10相同的材料。例如，沉积掩模100的其中未进行表面蚀刻的区域可以包含具有与金属板10的外部部分sp相同的组成的材料。即，沉积掩模100的岛部分is可以包含具有与外部部分sp相同的组成的材料。此外，当沉积掩模100还任选地包括表面处理步骤时，沉积掩模100的岛部分is还可以包括上述表面处理层。

在通过上述步骤形成的沉积掩模100中，肋rb的中心处的最大厚度可以小于未经受蚀刻的非有效区域的最大厚度。例如，肋rb的中心处的最大厚度可以为约15μm。例如，肋rb的中心处的最大厚度可以小于约10μm。然而，沉积掩模100的非有效区域中的最大厚度可以为约20μm至约30μm，并且可以为约15μm至约25μm。即，沉积掩模100的非有效区域中的最大厚度可以对应于在制备金属板10时制备的金属板10的厚度。

图15和图16是示出经由根据一个实施方案的沉积掩模形成的沉积图案的图。

参照图15，在根据一个实施方案的沉积掩模100中，在沉积掩模100的其中形成有小表面孔v1的一个表面与连通部分之间的高度h1可以为约3.5μm或更小。例如，高度h1可以为约0.1μm至约3.4μm。例如，高度h1可以为约0.5μm至约3.2μm。例如，高度h1可以为约1μm至约3μm。

因此，沉积掩模100的一个表面101与其上设置有沉积图案的基底之间的距离可以是短的，并因此可以减少由于阴影效应而引起的沉积失败。例如，当通过使用根据实施方案的沉积掩模100形成r、g和b图案时可以防止在两个相邻图案之间的区域中沉积不同的沉积材料的失败。具体地，如图16所示，当从左以r、g和b的顺序形成上述图案时，可以防止r图案和g图案因阴影效应而沉积在r图案与g图案之间的区域中。

在沉积掩模100中，金属板10的外部部分sp的原子浓度可以与金属板10的内部部分ip的原子浓度不同。

详细地，沉积掩模100中的外部部分sp的镍的最大原子浓度可以大于内部部分ip的镍的最大原子浓度，并且在从沉积掩模100的表面起约10nm或更小的深度范围内的氧原子浓度的最小值可以为约10原子％或更小。沉积掩模100的外部部分sp可以指金属板10的其中未进行蚀刻过程例如半蚀刻的外部部分sp。详细地，外部部分sp可以指沉积区域da和非沉积区域nda中的未进行蚀刻过程的区域。特别地，沉积区域da中的外部部分sp可以为沉积掩模100的一个表面的其上未进行表面蚀刻并且形成有特定的有效部分ua和岛部分is的表面，并且可以指沉积掩模100的另一表面的其上未形成小表面孔v1的表面。

即，由于根据实施方案的沉积掩模100的外部部分sp中的镍的原子浓度高并且氧的原子浓度低，因此在制造沉积掩模100的步骤和通过使用沉积掩模100重复图案沉积期间可以有效地防止沉积掩模100的表面被腐蚀。具体地，可以防止岛部分is被腐蚀。因此，沉积掩模100可以确保足够的抵抗在有机材料沉积过程期间施加的拉力的刚性从而均匀地沉积有机材料。

此外，由于铬的原子浓度为0.03原子％或更小的极少量，因此可以防止因铬而形成偏析和第二析出相等，并且可以更精确且均匀地形成小表面孔v1、大表面孔v2和通孔th，从而使沉积失败最少化。

上述实施方案中描述的特征、结构、效果等包括在本发明的至少一个实施方案中，但不仅限于一个实施方案。此外，在各实施方案中示出的特征、结构和效果可以由本领域技术人员针对其他实施方案进行组合或修改。因此，应理解，这样的组合和修改包括在本发明的范围内。

此外，以上描述集中于实施方案，但是其仅是示例性的并且不限制本发明。对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本实施方案的基本特征的情况下，以上未示出的各种修改和应用是可能的。例如，本文描述的实施方案的要素可以被修改和实现。此外，应解释为，与这样的改变和应用有关的差异包括在所附权利要求书中限定的本发明的范围内。