本发明涉及镀膜领域，尤其是涉及一种磁控溅射镀膜的生产工艺。
背景技术：
“磁控溅射”技术是美国在60.70年代后发展航空航天事业同步发展起来的玻璃膜制造技术。原来最早是应用于航空事业用于解决航天玻璃的隔热防爆问题。
目前的“磁控溅射”技术越来越多的用于进行膜材的镀膜制造，但是目前的磁控溅射镀膜中在生产镀膜的过程中，容易因为环境的因素而影响的镀膜工艺时的稳定性，从而影响生产的质量。
技术实现要素：
本发明为克服上述情况不足，旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。
一种磁控溅射镀膜的生产工艺，包括以下生产步骤：
步骤一：底膜制造，将磁控溅射膜的底膜进行原膜的生产制造，生产得出磁控溅射膜的底膜；
步骤二：将磁控溅射膜的底膜加入到真空加工设备中，进行第一次磁控溅射的镀膜工艺，从而在磁控溅射膜的底膜上形成一层磁控溅射膜层；
步骤三：将带有磁控溅射膜层的底膜在真空设备中的进行第二次磁控溅射的镀膜工艺，从而得到磁控溅射膜。
作为本发明进一步的方案：所述步骤二中，真空加工设备为具有真空条件的高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备。
作为本发明进一步的方案：所述真空条件的高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备具有两个溅射加工腔，所述第一次磁控溅射的镀膜工艺时，是在高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备的第一个溅射加工腔进行的，第二次磁控溅射的镀膜工艺时，是在高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备的第二个溅射加工腔进行的。
作为本发明进一步的方案：所述步骤二与步骤三中，磁控溅射的镀膜工艺采用了电子与氩原子。
作为本发明进一步的方案：所述步骤二与步骤三中，磁控溅射的镀膜工艺为：电子在高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备所产生的电场的作用下加速飞向磁控溅射膜的底膜过程中与氩原子发生碰撞氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子沉积在磁控溅射膜的底膜上成膜。
作为本发明进一步的方案：所述步骤二与步骤三中，磁控溅射的镀膜工艺还采用了氧原子、原子核。
作为本发明进一步的方案：所述步骤二与步骤三中，磁控溅射膜层的底膜在真空设备中进行磁控溅射的镀膜工艺时是呈排列往复运动的。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过在真空环境下的磁控溅射镀膜制造，确保了在镀膜时，周边环境的稳定同时可以很好的控制镀膜时镀膜所参与的物质，从而使得生产出的膜材的稳定性更加的好。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例中，一种磁控溅射镀膜的生产工艺，包括以下生产步骤：
步骤一：底膜制造，将磁控溅射膜的底膜进行原膜的生产制造，生产得出磁控溅射膜的底膜；
步骤二：将磁控溅射膜的底膜加入到真空加工设备中，进行第一次磁控溅射的镀膜工艺，从而在磁控溅射膜的底膜上形成一层磁控溅射膜层；
步骤三：将带有磁控溅射膜层的底膜在真空设备中的进行第二次磁控溅射的镀膜工艺，从而得到磁控溅射膜。
所述步骤二中，真空加工设备为具有真空条件的高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备。
所述真空条件的高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备具有两个溅射加工腔，所述第一次磁控溅射的镀膜工艺时，是在高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备的第一个溅射加工腔进行的，第二次磁控溅射的镀膜工艺时，是在高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备的第二个溅射加工腔进行的。
所述步骤二与步骤三中，磁控溅射的镀膜工艺采用了电子与氩原子。
所述步骤二与步骤三中，磁控溅射的镀膜工艺为：电子在高压脉冲电场磁控溅射镀膜设备所产生的电场的作用下加速飞向磁控溅射膜的底膜过程中与氩原子发生碰撞氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子沉积在磁控溅射膜的底膜上成膜。
所述步骤二与步骤三中，磁控溅射的镀膜工艺还采用了氧原子、原子核。
所述步骤二与步骤三中，磁控溅射膜层的底膜在真空设备中进行磁控溅射的镀膜工艺时是呈排列往复运动的。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。