1.一种制造掩模的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成包括至少一个开口的第二导电层；
使所述第一导电层的通过所述第二导电层的所述至少一个开口暴露的部分氧化；
通过使用所述第一导电层和所述第二导电层作为种子层进行镀覆来形成镀覆层；以及
从所述镀覆层去除所述第一导电层和所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，所述第一导电层包括在所述基板上的多个单元区域中具有网格形状的第三部分、在所述多个单元区域之间对应的第二部分以及围绕所述第三部分和所述第二部分的第一部分。
3.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，形成所述第二导电层的步骤包括：形成所述第二导电层以覆盖所述第一导电层的上表面和侧表面。
4.根据权利要求2所述的制造掩模的方法，其中，形成所述第二导电层的步骤包括：形成多个第一开口，所述多个第一开口使所述第一导电层的在所述第一部分中的部分暴露。
5.根据权利要求2所述的制造掩模的方法，其中，形成所述第二导电层的步骤包括：形成多个第一开口和多个第二开口，所述多个第一开口使所述第一导电层的在所述第一部分中的部分暴露，所述多个第二开口使所述第一导电层的在所述第二部分中的部分暴露。
6.根据权利要求5所述的制造掩模的方法，其中，所述第一开口具有比所述第二开口大的大小。
7.根据权利要求5所述的制造掩模的方法，其中，通过所述第一开口暴露的所述第一导电层具有比通过所述第二开口暴露的所述第一导电层高的表面粗糙度。
8.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，使所述第一导电层的部分氧化的步骤包括：对所述第一导电层和所述第二导电层执行高温热处理。
9.根据权利要求8所述的制造掩模的方法，其中，执行所述高温热处理的步骤包括：通过调节所述热处理的时间和温度来控制所述第一导电层的部分的表面粗糙度。
10.根据权利要求8所述的制造掩模的方法，其中，使所述第一导电层的部分氧化的步骤包括：使所述第二导电层结晶。
11.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，所述第一导电层由具有比所述第二导电层低的电阻的导电材料制成。
12.根据权利要求11所述的制造掩模的方法，其中，所述第一导电层由金属材料制成，并且
所述第二导电层由透明导电氧化物制成。
13.一种掩模，该掩模包括：
第一部分，该第一部分围绕多个单元区域的外围；
第二部分，该第二部分位于所述多个单元区域之间；以及
第三部分，该第三部分在所述多个单元区域中限定多个开口，
其中，所述第一部分包括具有比所述第一部分的周边区域高的表面粗糙度的对准键区域。
14.根据权利要求13所述的掩模，其中，所述第二部分和所述第三部分的横截面具有带一个开口侧的“u”形状。
15.根据权利要求13所述的掩模，其中，在所述掩模的横截面上，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的每一个具有第一表面以及从该第一表面的至少一侧向下突出的第二表面，并且
所述对准键区域被设置在所述第一表面上。
16.根据权利要求13所述的掩模，其中，所述对准键区域包括沿着所述第一部分设置的多个第一对准键区域和沿着所述第二部分设置的多个第二对准键区域。
17.根据权利要求16所述的掩模，其中，所述第一对准键区域具有比所述第二对准键区域大的大小。
18.根据权利要求16所述的掩模，其中，所述第一对准键区域具有比所述第二对准键区域高的表面粗糙度。
19.根据权利要求13所述的掩模，其中，所述掩模通过镀覆工艺形成。