一种静电势阱磁约束装置的制作方法

本实用新型涉及镀膜设备技术领域，特别涉及一种静电势阱磁约束装置。

背景技术：

传统的电弧离子镀膜机的小圆盘型靶材的阴极弧源中通常都不设有磁约束装置，这样当等离子体脱离靶材之后，根据熵增理论，等离子体产生后总是在膨胀之中，为阻止此增熵膨胀，唯有对流动的等离子体加功，脱离靶材的等离子体处在静磁场中，而静磁场是不能对等离子体加功，如此部分等离子体的溅射方向不可控，最终导致溅射效果不好，影响溅射质量。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是，针对上述现有技术中的不足，提供一种静电势阱磁约束装置，其能对脱离靶材的等离子体进行加功，以此使全部等离子体能溅射到基材上，有效提高溅射效果，稳定溅射质量。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种静电势阱磁约束装置，包括筒体、电磁线圈、第一电源、第二电源和截止阀，所述电磁线圈与第二电源电连接，所述电磁线圈套设于筒体的外侧以使筒体内形成电磁场，所述筒体内装设有电极环，所述电极环的一端与第一电源电连接，所述筒体设有开口，所述电极环的另一端穿过开口与截止阀电连接，所述筒体接地线。

作为一种优选方案，所述筒体包括呈球状的第一筒体和自第一筒体两侧向外延伸形成的第二筒体，所述电磁线圈套设于第二筒体的外侧，所述电极环装设于第一筒体内，所述开口设于第一筒体上。

作为一种优选方案，所述电极环为阳极环。

作为一种优选方案，所述静电势阱磁约束装置还包括第二电阻和第一电阻，所述第二电阻的一端与电极环电连接，所述第二电阻的另一端与第一电阻的一端电连接，所述第一电阻的另一端与第一电源电连接。

作为一种优选方案，所述静电势阱磁约束装置还包括密封圈，所述第二筒体还设有用于安装密封圈的安装槽，所述安装槽与开口相互连通。

作为一种优选方案，所述第一电源为直流电源，所述第一电源的电压值为0-500v。

作为一种优选方案，所述电磁场的磁场强度为1-2t。

作为一种优选方案，所述第二筒体的内部直径为180mm。

作为一种优选方案，所述第一筒体的长度为160mm，所述第二筒体的长度为80mm。

本实用新型的有益效果是：通过筒体、电磁线圈、第一电源、第二电源、截止阀和电极环的配合下，能对脱离靶材的等离子体进行加功，以此使全部等离子体能溅射到基材上，有效提高溅射效果，稳定溅射质量。

附图说明

图1为本实用新型之实施例的组装结构图。

图中：1-电磁线圈，2-筒体，21-第一筒体，22-第二筒体，3-电极环，4-密封圈，5-截止阀，6-第一电阻，7-第一电源，8-第二电源，9-第二电阻。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作进一步详细说明。

如图1所示，一种静电势阱磁约束装置，包括筒体2、电磁线圈1、第一电源7、第二电源8和截止阀5，所述电磁线圈1与第二电源8电连接，所述电磁线圈1套设于筒体2的外侧以使筒体2内形成电磁场，所述筒体2内装设有电极环3，所述电极环3的一端与第一电源7电连接，所述筒体2设有开口，所述电极环3的另一端穿过开口与截止阀5电连接，所述筒体2接地线。

作为一种优选方案，所述筒体2包括呈球状的第一筒体21和自第一筒体21两侧向外延伸形成的第二筒体22，所述电磁线圈1套设于第二筒体22的外侧，所述电极环3装设于第一筒体21内，所述开口设于第一筒体21上。

作为一种优选方案，所述电极环3为阳极环。

作为一种优选方案，所述静电势阱磁约束装置还包括第二电阻9和第一电阻6，所述第二电阻9的一端与电极环3电连接，所述第二电阻9的另一端与第一电阻6的一端电连接，所述第一电阻6的另一端与第一电源7电连接。

作为一种优选方案，所述静电势阱磁约束装置还包括密封圈4，所述第二筒体22还设有用于安装密封圈4的安装槽，所述安装槽与开口相互连通。

作为一种优选方案，所述第一电源7为直流电源，所述第一电源7的电压值为0-500v。

作为一种优选方案，所述电磁场的磁场强度为1-2t。

作为一种优选方案，所述第二筒体22的内部直径为180mm。

作为一种优选方案，所述第一筒体21的长度为160mm，所述第二筒体22的长度为80mm。

使用时，本静电势阱磁约束装置装设于电弧离子镀膜机的小圆盘型靶材的阴极弧源中，且本装置的电场方向相对于圆盘靶材是轴向的。

本实用新型的有益效果是：通过筒体2、电磁线圈1、第一电源7、第二电源8、截止阀5和电极环3的配合下，能对脱离靶材的等离子体进行加功，以此使全部等离子体能溅射到基材上，有效提高溅射效果，稳定溅射质量。

以上所述，仅是本实用新型较佳实施方式，凡是依据本实用新型的技术方案对以上的实施方式所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。