增强的镀镍工艺的制作方法

相关申请的交叉引用本专利申请要求于2019年11月6日提交的名称为“enhancednickelplatingprocess”的美国专利申请16/676,344以及于2018年11月8日提交的名称为“enhancednickelplatingprocess”的美国专利申请62/757,658的优先权和权益，这两个专利申请的全部内容以引用方式并入本文。本发明整体涉及玻璃衬底特别是用于磁记录介质诸如硬盘驱动器中的衬底的化学镀镍。
背景技术：
：化学镀镍(“enp”)是用于在固体衬底的表面上沉积镍或镍合金层的工艺。该工艺通常涉及将衬底浸入含有镍离子的镀覆溶液的浴中。还原剂诸如水合次磷酸钠(napo2h2·h2o)与衬底的表面材料反应以沉积镍或镍合金。铝常常用作形成硬盘驱动器(hdd)盘片的衬底，并且在制造期间，此类铝衬底可使用化学镀镍用镍来镀覆。然而，常规铝衬底在0.6mm以下的厚度下具有不良刚度和平坦度，并且当由铝制成时，此类减小尺寸的hdd盘片可能遭受颤振(旋转期间的振动)。为了产生具有低颤振的厚度减小的盘片，此类hdd盘片可使用玻璃衬底来制造。用enp在玻璃衬底上形成镍层(例如用于生产硬盘驱动器的盘)需要与使用铝衬底时不同的步骤。日本专利公布2000-163743中公开了这种工艺的一种替代形式，涉及将pdcl2溶液施加到硅烷化玻璃表面上，之后在200℃至350℃下进行热处理以使镍层退火到玻璃表面。美国专利公布20060210837提出类似的enp工艺，该工艺涉及使用pdcl2在硅烷化表面上形成钯层，之后进行高温退火步骤。技术实现要素：化学镀镍可用于制造硬盘驱动器的盘上的磁性层。在用于镀覆镍或镍合金层的本发明方法中，提供具有玻璃表面的衬底，例如，由玻璃材料形成的衬底。所述玻璃材料可以是无定形的或部分结晶的，并且可以是硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、无碱玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃或铝硼硅酸盐玻璃。然后例如通过向表面施加磨料(诸如具有介于4μm与10μm之间的直径的微粒的浆液)使所述玻璃表面经受机械粗糙化以便形成粗糙化表面。所述衬底表面也可任选地与腐蚀性化学品接触，然后可被洗涤以从所述衬底的所述玻璃表面去除污染物。在粗糙化后，可将所述玻璃表面放置成与氧化剂接触以提供具有共价键合的羟基的氧化表面。所述氧化剂可为h2so4、h2o2、hno3、hf、铬酸、kmno4或这些的组合的溶液。然后使所述氧化表面与包含具有一个或多个硅醇基的硅烷化合物诸如氨基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷(edas)、3-2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基丙基三甲氧基硅烷(etas)和/或(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷(aptes)的溶液接触。所述溶液中ph可介于10与12之间的所述硅烷化合物与所述氧化表面的羟基残基反应，并且通过硅醇键键合到所述玻璃表面，从而提供硅烷化玻璃表面。然后使所述硅烷化玻璃表面与包含钯离子和锡离子的混合物的溶液(“pd/sn溶液”)接触，所述溶液可被提供为pdcl2和sncl2。所述溶液中的sn浓度可介于2.0g/l与8.0g/l之间，并且所述pd/sn溶液可在介于20℃与40℃之间的温度下与所述硅烷化玻璃表面接触。来自所述pd/sn溶液的钯沉积在所述硅烷化玻璃表面上，从而形成活化表面。然后使所述活化表面与具有硝酸钠和草酸的促进剂溶液(例如，具有介于30％与40％之间的硝酸钠和介于10％与20％之间的草酸的溶液)接触。然后在镍化学预镀步骤中，使所述衬底表面与具有介于8与10之间的ph和介于20℃与30℃之间的温度的含镍离子溶液接触。然后通过以下步骤来完成所述工艺的镀覆部分：使所述衬底表面与具有介于4与6之间的ph和介于40℃与80℃之间的温度的含镍离子溶液接触，从而在所述玻璃表面上形成镍或镍合金层。所述含镍离子溶液可包括例如次磷酸钠。然后可将一种或多种附加材料和/或层沉积到所镀覆衬底上以形成磁记录层。根据本发明工艺具有镀覆有镍或镍合金层的玻璃表面的盘可结合到硬盘驱动器或其它磁记录装置中。附图说明图1为示出本发明化学镀镍方法的一个实施方案的步骤的流程图。图2为本发明化学镀镍方法的一个实施方案的示意图。图3示出根据本公开的实施方案的盘驱动器的俯视平面图。具体实施方式定义如本文所用，以下术语及其变型具有下文给出的含义，除非使用此类术语的上下文清楚地意指不同的含义。“氨基”是指化学基团-nx2，其中x为氢、烷基(直链、支链和/或环状)或芳基(包括杂烷基和杂芳基)，并且氮原子键合到另一原子或化合物。“烷氧基”是指化学基团-or，其中r为烷基(直链、支链和/或环状)或芳基(包括杂烷基和杂芳基)，并且氧原子键合到另一原子或化合物。“玻璃”是指主要包含二氧化硅的大致无定形材料。“羟基”是指化学基团-oh，其中氧原子键合到另一原子或化合物。“均方粗糙度”或rms为表面的实测微观峰和谷的平均值，并且是指表面与平均线的轮廓高度偏差的均方根平均值。rms可由例如afm(原子力显微镜)来测量。“硅烷化合物”是指具有四个取代基的硅化合物。在本发明工艺中，硅烷化合物包含键合到硅的至少一个或两个羟基或烷氧基，并且可包含三个羟基或烷氧基，此外还包含键合到硅的至少一个氨基。“硅醇基”是指结合到硅的羟基(-oh)或烷氧基。“硅醇键”是指硅醇基的氧与另一原子或化合物之间的共价键。“硅烷化”是指硅烷化合物通过硅醇键与表面的共价键合。“浆液”是指包含混合或悬浮在诸如水或水性溶液的液体中的细小颗粒的半液体混合物。如本文所用的术语“在…上方”、“在…下方”、“介于…之间”和相对位置或取向的其它术语是指一层相对于其它层的相对位置。因此，除非本文另外描述，否则沉积或设置在另一层上方或下方的一个层可与另一层直接接触，或者可具有一个或多个中间层。术语“包含(comprise)”和该术语的变型诸如“包含(comprising)”和“包含(comprises)”并非旨在排除其它添加剂、组分、整数或步骤。除非上下文中的用法另外指明，否则本文所用的术语“一个(a/an)”和“该(the)”以及类似指代物应被理解为涵盖单数和复数两者。被描述为“介于”两个值“之间”的范围包括指示值。化学镀镍工艺可对由玻璃材料形成的表面执行本发明enp工艺，并且玻璃表面可为将对其执行enp工艺的玻璃衬底的表面，即，使得玻璃表面为玻璃衬底的整体部分。玻璃材料可为无定形玻璃，但衬底可另选地为完全或部分结晶的或包括结晶组分。无定形玻璃可例如为硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、无碱玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃或铝硼硅酸盐玻璃。在一些实施方案中，为了形成高刚度的玻璃衬底，可通过使玻璃材料经受低温离子交换来化学强化玻璃材料。用作本发明enp工艺的衬底的玻璃材料可商购获得，并且此类材料的示例描述于例如美国专利6,134,918；6,916,558；7,169,487；和7,259,936中。待镀覆玻璃衬底的表面可首先通过化学和/或机械手段来粗糙化(图1的步骤101)，以便形成具有蚀刻区域的粗糙化表面，这些蚀刻区域具有例如介于0.1mm与1nm之间的均方粗糙度(rms)。这导致钯催化剂更好地粘附在衬底表面上以充当衬底上的磁性层(即，镍或镍合金层)的成核区域。例如，可使衬底表面经受化学-机械平面化和/或抛光(“cmp”)，以便使衬底表面粗糙化。cmp可以本领域已知的方式实现，诸如通过向衬底表面施加研磨和/或腐蚀性浆液，例如具有介于4μm与10μm之间的直径、例如5μm、6μm、7μm、8μm或9μm的尺寸的金刚石微粒的浆液。可通过使聚氨酯或其它抛光垫在介于40和50转/分钟(rpm)之间的速度下(例如，在42、44、45、46、47或4rpm的速度下)在衬底表面上旋转来向浆液施加压力，例如，1.5、1.8、2、2.2或2.5kg的压力。机械粗糙化也可通过喷砂或以其它方式向盘表面施加磨料诸如玻璃珠或胶态二氧化硅来实现。化学粗糙化可与机械粗糙化步骤顺序地或同时地实现。在衬底表面粗糙化后，可随后清洁表面以去除污染物，特别是非极性(油溶性)污染物诸如油脂(图1的步骤102)。在一个实施方案中，向衬底表面施加一种或多种去污剂或去污剂溶液以便去除此类污染物。可使用本领域已知的用于从玻璃表面去除此类污染物的多种去污剂中的任一种。例如，可使用可购自deconlaboratories公司的去污剂(460glenniecircle，kingofprussia，pa19406u.s.a.)，但替代去污剂或除了去污剂之外还可使用其它酸性或碱性清洁剂。在enp工艺中可例如通过刷涂或旋涂向待镀覆表面直接施加去污剂，或另选地，可将衬底浸入去污剂中。在向衬底或衬底表面施加去污剂后，通过用冲洗液体诸如去离子水冲洗衬底表面来去除去污剂，但也可使用其它液体诸如乙醇或其它醇类或醇溶液。可将冲洗液体喷涂到衬底表面上，和/或可将衬底浸没在冲洗液体中。在从衬底表面去除去污剂和污染物材料后，诸如通过在环境温度下或通过加热表面蒸发来从衬底表面去除任何剩余冲洗液体。也可诸如用气刀向表面施加可被过滤以避免引入新污染物的空气或其它气体来去除冲洗液体，如技术人员已知。此后，诸如通过浸没、刷涂、旋涂或其它施加技术，使经清洁衬底表面暴露于强氧化剂以便将羟基引入到衬底表面上(图1的步骤103)。在一个实施方案中，氧化剂为h2so4和h2o2的浓缩混合物。也可使用其它溶液，例如，hno3(硝酸)溶液，其可为约50％的hno3的溶液。另选地，hf、铬酸、kmno4或其它酸(诸如0.001重量％至1重量％的氢氟酸的水性溶液)可用于引入羟基。氧化可在介于50℃与100℃之间，诸如在介于70℃与80℃之间的温度下进行达15分钟、20分钟、30分钟或更长时间。此步骤的结果是在玻璃衬底上形成具有共价键合的羟基的氧化表面。在衬底表面氧化后，使经处理表面的羟基与硅烷化合物反应以在硅烷化合物与衬底表面的羟基之间形成硅醇键(图1的步骤104)。在本发明工艺中，将硅烷化合物用作偶联剂来制备用于沉积金属催化剂(钯)的玻璃表面。在此步骤中可使用多种硅烷化合物，包括氨基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷(edas)、3-2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基丙基三甲氧基硅烷(etas)和(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷(aptes)。优选具有烷氧基甲硅烷基的硅烷，诸如具有一个、两个或三个甲氧基或乙氧基的硅烷。硅烷化合物可在具有水、乙醇和/或其它适当溶剂的溶液中以介于1％与5％之间的浓度，诸如以2％或3％的浓度提供。可通过浸没使衬底表面与含硅烷的溶液例如在20℃与30℃之间诸如25℃、26℃、27℃或28℃的温度下诸如在恒定温度下接触。可使衬底表面与含硅烷的溶液例如在介于10和12之间的ph诸如11或11.5的ph下接触达介于5分钟与45分钟之间的时间，诸如达至多15分钟、至多20分钟或至多30分钟。另选地，可通过刷涂、旋涂或其它施加技术使氧化表面与硅烷化合物接触。此步骤的结果是在经处理衬底上形成硅烷化玻璃表面。接下来用冲洗液体来冲洗硅烷化玻璃表面，以去除未反应的硅烷化合物和其它溶液组分。冲洗液体可以是去离子水、乙醇溶液或其它醇溶液。然后可诸如通过蒸发或使用气刀从表面去除冲洗液体，如上所论述。在冲洗和干燥硅烷化衬底表面后，可任选地加热该表面。加热可在超过50℃下例如在70℃与120℃之间或在80℃与100℃之间进行，达5分钟与30分钟之间，例如达10分钟与20分钟之间。较长的时间段可用于较低的温度处理。这种热处理强化了硅烷化合物与玻璃衬底的表面的硅醇键合，并且允许避免enp后的退火步骤。接下来诸如通过浸没(但刷涂或旋涂和其它施加步骤也是可能的)使衬底表面与pd/sn溶液接触(图1的步骤105)。用于本发明工艺中的pd/sn溶液包括sn2+和pd2+的混合物，并且可被酸化并且诸如在介于1和5之间的ph下例如在3或4的ph下存在于去离子水中。溶液的sn组分可提供为例如sncl2·2h2o，其可以至多0.3m的浓度存在，诸如0.1m、0.12m、0.15m、0.17m、0.18m、0.20m、0.22m或0.25m的溶液。例如，溶液中的sn浓度可介于2.0g/l与8.0g/l之间，例如2.1g/l、2.5g/l、3g/l、4g/l、5g/l、6g/l、7g/l、7.5g/l或7.7g/l的溶液。溶液中的pd可提供为例如可以至多3.5×10-4m的浓度诸如以3.1、3.2、3.3或3.4×10-4m的浓度存在的pdcl2。例如，pd可以介于30ppm与120ppm之间的量、诸如以40ppm、50ppm、60ppm、70ppm、80ppm、90ppm、100ppm或110ppm的浓度存在于溶液中。pd/sn溶液还可包含其它适当组分，诸如介于2m与3m之间的浓度下、例如2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8m下的浓度的nacl。衬底表面可在介于20℃与80℃之间的温度下、诸如在25℃、30℃、35℃、40℃、45℃、55℃、65℃、70℃或75℃的温度下与pd/sn溶液接触。当将硅烷化玻璃表面浸入溶液中时，据信，sn2+沉积在衬底表面上并充当pd0的接种层。据信，每个sn2+贡献2个电子，从而将pd2+离子还原为pd金属并被氧化为sn4+[公式：sn2++pd2+→sn4++pd0]。据信，一些sn4+保留在衬底表面上并且稳定并防止pd0聚集。作为该步骤105的结果，pd0分散层沉积在衬底表面上，并且形成活化表面。此后，诸如用去离子水、乙醇溶液或其它醇溶液冲洗衬底表面，以去除pd/sn溶液的未反应组分，然后可诸如通过蒸发或使用气刀从表面去除冲洗液体。为了增加电镀镍在衬底表面上的粘附强度，可使活化表面与包含硝酸钠和草酸的“促进剂”溶液接触(图1的步骤106)。工艺的此步骤有助于去除衬底表面的sn4+离子。在一个实施方案中，促进剂溶液包含介于20％与50％之间诸如30％或40％的硝酸钠，以及介于10％与20％之间诸如12.5％、15％或17.5％的草酸。溶液的其余部分可包含去离子水。促进剂溶液可在介于30℃与60℃之间诸如40℃、45℃、50℃或55℃下与活化表面接触达介于2分钟与10分钟之间，诸如4分钟、5分钟、6分钟、7分钟或8分钟。来自此步骤105的pd层用作催化剂层，以引发镍化学沉积到衬底表面上(图1的步骤106和107)。在去除促进剂溶液之后并且在引发enp之前，优选地执行镍化学预镀(ens)步骤(图1的步骤106)。在此步骤中，在衬底表面上形成薄镍层，以充当后续enp步骤的“晶种”。在ens步骤中，使镍含量介于1与2重量％之间的镍溶液(ens溶液)(诸如1.5重量％的溶液)与衬底表面接触，该溶液具有介于20℃与30℃之间的温度，诸如25℃的温度。ens溶液可具有介于4g/l与6g/l之间的镍浓度和介于8与10之间的ph(诸如8.5、9或9.5的ph)并且与衬底接触达仅短时间，例如，介于1分钟与3分钟之间，诸如达11/2分钟或2分钟enp(图1的步骤107)是通过使活化(经pd/sn处理)表面与含镍离子溶液(诸如包含水合次磷酸钠(napo2h2·h2o)的溶液)接触来引发的。本领域已知的用于enp的多种含镍离子溶液中的任一种均可用于此步骤。镍溶液可例如在碱性ph诸如介于4与6之间的ph诸如4.5、5或5.5的ph下并且在介于40℃与80℃之间的温度下诸如在50℃、60℃或70℃的温度下提供。当使用次磷酸钠时，其可以介于30g/l与50g/l之间的浓度诸如以35g/l、40g/l或45g/l的浓度例如以介于大约3％与5％之间的浓度提供，但也可使用其它浓度，诸如介于2％与10％之间的浓度。溶液中的镍可以介于5g/l与6g/l之间的浓度诸如以5.1、5.2、5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.8或5.9g/l的浓度提供(公式：ni2++h2po2-+h2o→ni0+h2po3-+2h+)。一旦薄镍层镀覆在玻璃表面上，就继续自催化过程，其中次磷酸盐充当还原剂。一旦将足够的镍或镍合金层镀覆到衬底的表面上，就移除衬底使其不与含镍离子溶液接触，并且可用诸如去离子水冲洗以去除含镍离子溶液的未反应的材料和其它组分。本发明工艺使得玻璃衬底能够用作硬盘驱动器的盘片，从而允许它们相比由铝制成的盘片更薄(<0.6mm)并且具有更好的硬度和刚度。这种刚度使得本发明工艺能够在玻璃衬底上实现期望薄的镀镍层，并且减少使hdd盘片旋转时的颤动和其它不期望的振动。所沉积镍层可在介于约2μm与5μm之间的范围内。本发明工艺在镍化学沉积到玻璃表面上之后不需要退火步骤，并且可在enp后用高于100℃或150℃的加热步骤执行。这种步骤将涉及将镀镍衬底加热至超过150℃，诸如加热至介于200℃与350℃之间。虽然一些现有技术方法采用这种步骤来加强镍层与玻璃表面之间的结合，但以这种方式加热镀覆表面带来诸如通过镍表面的拉伸应力和/或氧化损坏镍层的风险。本发明工艺也可使用hno3而不是致癌的高度氧化的铬酸或kmno3来采用。存储设备本发明化学镀镍工艺可用于生产在硬盘驱动器中使用的磁盘。在根据本发明工艺(如图2所示)在衬底152上形成镍层154之后，可将一种或多种附加材料和/或层(例如，镍磷(nip)、钴铂(copt)、铁铂(fept)合金的层和/或它们的组合)沉积到衬底152上，以形成磁记录层。还可包括保护层，诸如一层或多层碳、类金刚石晶体、具有氢和/或氮掺杂的碳和/或它们的组合。使用本发明化学镀镍工艺生产的磁盘可用作磁记录装置的盘驱动器中的存储介质。图3示出了并入了使用根据本发明工艺的化学镀镍生产的盘(盘片)205的盘驱动器200(例如，用于信息的磁性存储的硬盘驱动器)的平面图。盘驱动器200包括一个或多个介质202(其可为盘)、主轴组件204、驱动器外壳206、滑触头208和电路210。滑触头208可包括滑触头头部并且可用于定位滑触头头部。一个或多个介质202可被配置为存储数据，并且可以是磁记录介质，诸如具有使用本发明化学镀镍工艺生产的磁性层的介质盘。介质202定位在安装到驱动器外壳206的主轴组件204上。数据可沿着介质202的磁记录层中的轨道存储。数据的读取和写入用与滑触头208一起定位的读取元件和写入元件来完成。写入元件用于更改介质202的磁记录层的性质，并由此向该介质写入信息。在一个具体实施中，滑触头208可包括感应读取/写入头部或霍尔效应头部。在盘驱动器200的操作期间，主轴马达(未示出)使主轴组件204旋转，由此使介质202旋转。滑触头208可定位在介质202上方沿着期望盘磁道207的特定位置处。滑触头208相对于介质202的位置可由位置控制电路210控制。在介质202旋转时，滑触头208可在介质202上方滑动。实施例实施例1：enp工艺在一个实施方案中，本文所述的enp工艺在下表1所示的条件下执行。表1实施例2：表面粗糙化的影响使硼硅酸钠玻璃表面经受不同的处理，以便确定表面粗糙化对本发明工艺的影响。用cmp、喷砂、二氟化铵或它们的组合处理表面，然后如上文实施例1中所述进行镀覆。在enp后，使用横向切割带测试(astmd3359)来测试磁性层对玻璃表面的粘附力。结果示出于下表2中。表2cmp仅喷砂仅双氰胺铵结果---磁性层在测试之前被剥离--+磁性层在测试之前被剥离-+-通过+--通过++通过+-+磁性层在测试之前被剥离提供本文阐述的示例以示出本公开的某些概念。上面示出的装置、设备或部件可以被配置为执行本文描述的方法、特征或步骤中的一个或多个。本领域普通技术人员将理解，这些本质上仅是示例性的，并且其他示例可以落入本公开和所附权利要求的范围内。基于本文的教导内容，本领域技术人员应理解，本文公开的方面可以独立于任何其他方面来实现，并且这些方面中的两个或更多个可能以各种方式组合。例如，可以使用本文阐述的任何数量的方面来实现一种装置或可以实践一种方法。此外，除了或替代本文阐述的一个或多个方面，可以使用其他结构、功能、或结构和功能来实现这种装置或可以实践这种方法。下文已经参考根据本公开实施方案的方法、装置、系统和计算机程序产品的示意性流程图和/或示意性框图描述了本公开的各方面。应当理解，示意性流程图和/或示意性框图的每个框，以及示意性流程图和/或示意性框图中的框的组合可由计算机程序指令实现。这些计算机程序指令可被提供给计算机的处理器或其他可编程数据处理设备以生产机器，使得经由该处理器或其他可编程数据处理设备执行的指令创建用于实现在示意性流程图和/或示意性框图的一个或多个框中指定的功能和/或动作的装置。本文所述的主题可通过由硬件、软件、固件、或其任何组合控制的装置来形成。这样，本文所使用的术语“功能”、“模块”等可以指代硬件，其也可以包括软件和/或固件部件，以用于实现所描述的特征。在一个示例性具体实施中，本文所述的主题可使用其上存储有计算机可执行指令的计算机可读或机器可读介质来实现，这些计算机可执行指令在由计算机(例如，处理器)执行时控制计算机以执行本文所述的功能。适用于实现本文所述的主题的机器可读介质的示例包括非暂时性计算机可读介质，诸如盘存储器设备、芯片存储器设备、可编程逻辑设备和专用集成电路。此外，实现本文所述的主题的机器可读介质可位于单个设备或计算平台上，或者可分布在多个设备或计算平台上。还应当指出，在一些另选的实施方式中，框中示出的功能可以不按图中所示的顺序发生。例如，事实上，连续示出的两个框可基本上同时执行，或者这些框有时可以采用相反的顺序执行，这取决于所涉及的功能。可以设想在功能、逻辑或效果上等同于所示附图的一个或多个框或其部分的其他步骤和方法。尽管在流程图和/或框图中可以采用各种箭头类型和线条类型，但是应当理解这些箭头类型和线条类型不限制相应实施方案的范围。例如，箭头可以指示所描绘的实施方案的枚举的步骤之间的未指定持续时间的等待或监视时段。上述各种特征和过程可以彼此独立地使用，或者可以以各种方式组合。所有可能的组合和子组合均旨在落入本公开的范围内。另外，在一些具体实施中可以省略某些方法、事件、状态或过程块。本文描述的方法和过程也不限于任何特定序列，并且与其相关的块或状态可以以适当的其他序列执行。例如，所描述的任务或事件可以以不同于具体公开的顺序执行，或者多个可以在单个块或状态中组合。示例性任务或事件可以串行、并行或以某种其他合适的方式执行。可以向所公开的示例性实施方案添加任务或事件或从其中删除任务或事件。本文描述的示例性系统和部件可以与所描述的不同地配置。例如，与所公开的示例性实施方案相比，可以添加、移除或重新布置元件。本领域技术人员将理解，可以使用多种不同技艺和技术中的任何一种来表示信息和信号。例如，在以上整个说明书中可能引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子、或其任何组合来表示。词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何方面并非一定被解释为比其他方面更优选或更具优势。同样，术语“方面”不要求所有方面均包括所讨论的特征、优点或操作模式。虽然以上描述包含本发明的许多具体实施方案，但这些不应解释为对本发明范围的限制，而是作为其具体实施方案的示例。因此，本发明的范围不应由例示的实施方案确定，而应由所附权利要求及其等同物确定。此外，本说明书通篇所提到的“一个实施方案”、“实施方案”或相似语言是指结合所述实施方案所描述的特定特征、结构或特性被包含在本公开的至少一个实施方案中。因此，本说明书通篇出现的短语“在一个实施方案中”、“在实施方案中”和相似语言可以但不一定全部是指同一个实施方案，而是指“一个或多个但不是所有实施方案”，除非另有明确说明。本文所列的某些组分(包括层、涂层或其它组分)可被描述为“包含”、“由…制成”、“包括”或类似的此类术语、材料或材料的组合。在一个方面，那些组分中的每个也可由该材料或材料的组合组成。在另一方面，那些组分中的每个也可基本上由该材料或材料的组合组成。鉴于本公开，本领域技术人员应当了解，虽然本文参考磁记录盘论述了各种示例性制造方法，但这些方法在具有或不具有一些修改的情况下可用于制造其它类型的记录盘，例如，光学记录盘诸如光盘(cd)和数字通用光盘(dvd)、或磁光记录盘、或铁电数据存储设备。本文所使用的术语仅出于描述特定方面的目的并且不旨在限制这些方面。如本文所用，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式(即，一个或多个)，除非上下文另外明确指出。枚举的项目列表并不意味着项目中的任何或所有项目是互相排斥的和/或相互包容的，除非另有明确说明。应当进一步理解的是，除非另外明确指明，否则本文中使用的术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(having)”及其变型意指“包括但不限于”。也就是说，这些术语可以指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、部件、或其组的存在或添加。此外，应当理解，单词“或”具有与布尔运算符“or”相同的含义，也就是说，它包含“或者”和“两者”的可能性，并且不限于“异或”(“xor”)，除非另有明确说明。还应理解，两个相邻单词之间的符号“/”具有与“或”相同的含义，除非另有明确说明。此外，诸如“连接到”、“耦接到”或“与之通信”的短语不限于直接连接，除非另有明确说明。在本文所用的情况下，术语“确定”涵盖各种动作。例如，“确定”可以包括算数、计算、处理、推导、调查、查找(例如，在表、数据库或另一个数据结构中查找)、确定等。而且，“确定”可以包括接收(例如，接收信息)、访问(例如，访问存储器中的数据)等。而且，“确定”可以包括解析、选择、选出、建立等。本文中使用诸如“第一”、“第二”等的名称对元件的任何引用通常不限制那些元件的数量或顺序。相反，这些指定在本文中可以用作区分两个或更多个元件或元件实例的便利方法。因此，对第一和第二元件的引用并不意味着在那里仅可以使用两个元件，或者第一元件必须以某种方式在第二元件之前。另外，除非另有说明，否则一组元件可以包括一个或多个元件。此外，说明书或权利要求书中使用的“a、b或c中的至少一个”或“a、b、c或其任何组合”形式的术语是指“a或b或c或这些元件的任何组合”。例如，此术语可以包括a、或b、或c、或a和b、或a和c、或a和b和c、或2a、或2b、或2c、或2a和b等。作为另外的示例，“a、b或c中的至少一个”旨在涵盖a、b、c、ab、ac、bc和abc、以及相同成员的倍数(例如，包括aa、bb或cc的任何列表)。同样，“a、b和c中的至少一个”旨在涵盖a、b、c、ab、ac、bc和abc、以及相同成员的倍数。类似地，如本文所用，指代与“和/或”链接的项目列表的短语是指项目的任何组合。作为示例，“a和/或b”旨在涵盖a单独、b单独、或a和b一起。作为另一个示例，“a、b和/或c”旨在涵盖a单独、b单独、c单独、a和b一起、a和c一起、b和c一起、或a、b和c一起。当前第1页12