一种磁控溅射装置的制作方法

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本实用新型属于磁控溅射技术领域，涉及一种磁控溅射装置，特别涉及一种可用于对基片膜层厚度性能研究。


背景技术：

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近年来，镁合金由于其优良性能，受到人们的关注，被广泛应用于陆地交通工具、航空航天、3c产品等领域。然而，镁合金的硬度和耐腐蚀性能较差，严重限制了其广泛应用。提高镁合金的表面性能是当前镁合金开发与研究的重要课题。目前主要采用的各类表面技术中，磁控溅射由于具有薄膜质量好、密度和纯度高、对环境友好等优点，被认为是制备表面涂层的最佳方法之一。
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磁控溅射技术在固体靶表面的溅射机理，非平衡磁控溅射以及脉冲磁控溅射对沉积涂层的影响等方面的研究取得了重要的进展，目前许多国内外研究者都在研究工艺参数对不同分涂层的影响，并根据不同的材料开发了一系列沉积工艺的过程。
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但是磁控溅射技术的工艺过程中需要来自于磁控溅射装置中真空、电压、电流、气压、阴极温度、基片温度、工艺温度、功率、溅射的时间等工艺参数的获取及分析，传统工艺分析采用在线采集，离线分析的方法，虽然可以准确寻找影响膜层厚度和透光率的主要影响因素，但是缺乏实时性，影响工艺的调整时间，以致于影响产品生产效率。


技术实现要素：

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针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供一种可用于对基片膜层厚度性能研究的磁控溅射装置。
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本实用新型的技术方案如下：
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一种磁控溅射装置，包括真空室，所述真空室内设置有可旋转的旋转平台，所述旋转平台上安装有罩壳，所述罩壳内设置有基材，所述罩壳外侧的真空室内设置有靶材，所述真空室内部后侧设置有水循环装置，所述水循环装置的一端从真空室的一侧穿过，且水循环装置的这一端设置有加热及控制装置，所述水循环装置的另一端从真空室的另一侧穿过，所述罩壳内设置有第一温度传感器。
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进一步的，所述真空室的底部设置有石英晶体震荡传感器，真空室的顶部设置有真空传感器、气压传感器、第三温度传感器、流量传感器、气压调整及控制装置。
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进一步的，所述真空室内还设置有降温风扇，所述降温风扇的启停通过风扇开关控制。
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进一步的，所述靶材与真空室的侧壁之间设置有间隙，所述间隙中安装有第二温度传感器。
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进一步的，所述旋转平台的下方安装有电机，所述旋转平台可在电机的驱动下旋转。
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进一步的，所述水循环装置包括若干个收尾依次连接的管道，使水循环装置从真
空室的一侧到另一侧呈迂回前进的结构延伸。
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进一步的，所述管道中的冷媒为水，水流从一侧进入真空室，从另一侧流出真空室。
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本实用新型的有益效果如下：
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本实用新型结构设计合理，使用方法简单，利用该装置既可以主动控制磁控溅射电流电压时间等工艺参数，也可以被动的获取环境工艺参数以及基片膜厚，从而为调整磁控溅射工艺参数得到标准基材厚度奠定良好基础。
附图说明
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图1是本实用新型磁控溅射装置的结构示意图。
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图2是图1所示装置的俯视图。
具体实施方式
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下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
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本实用新型磁控溅射装置的结构如图1-2所示，包括真空室1，真空室1内设置有可旋转的旋转平台16，该旋转方式的实现可以是，在旋转平台16的下方安装电机10，旋转平台16 可在电机10的驱动下旋转。旋转平台16上安装有圆柱形罩壳17，罩壳17上间隔设置有基材18，罩壳17外侧的真空室1内设置有靶材6，真空室1内部后侧设置有水循环装置11，水循环装置11的一端从真空室1的一侧穿过，且水循环装置11的这一端设置有加热及控制装置12，水循环装置11的另一端从真空室1的另一侧穿过，罩壳17内设置有第一温度传感器8。本实用新型克服传统工艺决策的离线、实时性差的不足，构建了一种磁控溅射装置，利用该装置既可以主动控制磁控溅射电流电压时间等工艺参数，也可以被动的获取环境工艺参数以及基片膜厚，从而为调整磁控溅射工艺参数得到标准基材厚度奠定良好基础。
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为了实现磁控溅射工艺参数的全方位测量，还可以在真空室1的底部设置石英晶体震荡传感器9，在真空室1的顶部设置真空传感器2、气压传感器3、第三温度传感器4、流量传感器5、气压调整及控制装置15。所述靶材6与真空室1的侧壁之间设置有间隙，间隙中安装有第二温度传感器7。
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如图1所示，真空室1内还可以设置降温风扇，降温风扇的启停通过风扇开关14控制。
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作为本实用新型的一种优选结构，水循环装置11包括若干个收尾依次连接的管道，使水循环装置11从真空室1的一侧到另一侧呈迂回前进的结构延伸。本实施例中，管道中的冷媒为水，水流从一侧进入真空室1，从另一侧流出真空室1。输入侧的管道端口连接至水泵及控制开关13。
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本实用新型的主要优点在于既可以主动通过计算机控制磁控溅射电流电压时间等工艺参数，也可以被动的通过各传感器获取环境工艺参数以及基片膜厚，综合以上参数和膜厚数据，调整磁控溅射电流、电压、时间、冷却、降压等措施，进一步优化环境工艺参数得到标准基材厚度。本实用新型克服传统工艺决策的离线、实时性差的不足，提供了一种磁控溅射装置，提升了磁控溅射产品的质量和效率。
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以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型。凡在本
实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。