一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置的制作方法

本实用新型涉及一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置，属于聚合物涂层制备技术领域。

背景技术：

常见的涂料如：pvc树脂漆、环氧树脂漆等涂料，它们都有一个共同的特点就是状态都是液态。这也带来了一些弊端：因为液态的物体表面会存在很多负面的受力或存在一些粘性，这些问题会造成薄膜厚度存在不统一，从而形成间隙使液体不流入小间隙。而使用固态涂料，可以避免以上出现的问题，固体涂料中的成分会发生挥发，会在薄膜表面形成小孔来起到收缩作用。市面上常见的涂层的绝缘能力一般小于2000v/25μm，因此需要使用厚涂层或多次涂层来实现优异和可靠的保护；与由液体涂料制备涂层的一般构造方法不同，这种材料膜是在真空反应条件下通过气相沉积制作完成，在微观下原材料在高强温度下分解为材料单质，这些单质小材料会聚集在工件表面，使其覆盖一层薄膜，传统方法制备的涂层是单一组分的，因此不能通过掺杂对涂层进行复合和改性，另一方面，裂解温度一般不低于680℃，能源消耗高，材料容易碳化。

技术实现要素：

为了解决上述现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置，本实用新型通过紫外光源降低裂解温度，通过调整加热温度以及载气混合方法控制舱内前驱体复合沉积方式，实现沉积物的改性。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置，包括沉积舱、原料蒸发舱、80nmuc紫外光源、石英玻璃窗、裂解室和真空泵；沉积舱与真空泵连通，沉积舱连接两个裂解室，裂解室设有石英玻璃窗，石英玻璃窗外设有80nmuc紫外光源，每个裂解室连接一个原料蒸发舱。

两个原料蒸发舱内分别放置第一原料和第二原料，第一原料和第二原料取n、c、d、f型二聚体原料中的任意两种，沉积舱底部为被涂覆物，两种原料在原料蒸发舱加热升华后，两种原料蒸汽在裂解室加热温度和紫外线的双重作用下裂解，裂解气温度较传统裂解温度低，不会出现过热，避免了原料高温碳化。通过改变蒸发温度，调整不同工艺条件下的第一原料和第二原料气体流量，流入沉积舱的反应前驱体裂解气体将在沉降前混合，实现双组分聚合物薄膜复合沉积的目的。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过紫外光源降低裂解温度，通过调整加热温度以及载气混合方法控制舱内前驱体复合沉积方式，实现沉积物的改性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

图1为本实用新型的结构示意图。

图中标号：

1、沉积舱，2、原料蒸发舱，3、80nmuc紫外光源，4、石英玻璃窗，5、裂解室，6、真空泵，7、第一原料，8、第二原料，9、被涂覆物。

具体实施方式

如图1所示，一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置，包括沉积舱1、原料蒸发舱2、80nmuc紫外光源3、石英玻璃窗4、裂解室5和真空泵6；沉积舱1与真空泵6连通，沉积舱1连接两个裂解室5，裂解室5设有石英玻璃窗4，石英玻璃窗4外设有80nmuc紫外光源3，每个裂解室5连接一个原料蒸发舱2。

具体操作方式：

两个原料蒸发舱2内分别放置第一原料7和第二原料8，第一原料7和第二原料8取n、c、d、f型二聚体原料中的任意两种，沉积舱1底部为被涂覆物9，两种原料在原料蒸发舱2加热升华后，两种原料蒸汽在裂解室5加热温度和紫外线的双重作用下裂解，裂解气温度较传统裂解温度低，不会出现过热，避免了原料高温碳化。通过改变蒸发温度，调整不同工艺条件下的第一原料7和第二原料8气体流量，流入沉积舱1的反应前驱体裂解气体将在沉降前混合，实现双组分聚合物薄膜复合沉积的目的。

技术特征：

1.一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置，其特征在于：包括沉积舱（1）、原料蒸发舱（2）、80nmuc紫外光源（3）、石英玻璃窗（4）、裂解室（5）和真空泵（6）；沉积舱（1）与真空泵（6）连通，沉积舱（1）连接两个裂解室（5），裂解室（5）设有石英玻璃窗（4），石英玻璃窗（4）外设有80nmuc紫外光源（3），每个裂解室（5）连接一个原料蒸发舱（2）。

技术总结
本实用新型公开了一种利用紫外光辅助裂解的双组分聚对二甲苯气相沉积涂层制备装置，属于涂层制备技术领域；包括沉积舱、原料蒸发舱、80nmUC紫外光源、石英玻璃窗、裂解室和真空泵；沉积舱与真空泵连通，沉积舱连接两个裂解室，裂解室设有石英玻璃窗，石英玻璃窗外设有80nmUC紫外光源，每个裂解室连接一个原料蒸发舱；本实用新型通过紫外光源降低裂解温度，通过调整加热温度以及载气混合方法控制舱内前驱体复合沉积方式，实现沉积物的改性。

技术研发人员：贾宝栋;苍久娜;王佳;袁双宏
受保护的技术使用者：齐齐哈尔市宝宏科技有限公司
技术研发日：2020.09.08
技术公布日：2021.03.30