本实用新型涉及铝硅材料制造技术领域，具体领域为一种铝硅壳体专用除氢装置。
背景技术：
由于极低的温度膨胀系数，铝硅材料广泛应用于有源相控阵雷达的t/r组件壳体当中。但是由于铝硅壳体在加工过程中，需要镀金工艺，以保证芯片在壳体内部焊接的可靠性。铝硅壳体在电镀过程中，会吸附有氢分子，容易造成焊接引脚的氢脆现象，使结构可靠性降低，同时封装后的t/r组件芯片，容易因为氢气的渗入，腐蚀芯片，造成芯片失效。因此，铝硅壳体在机械加工完成后，激光封焊前要进行除氢处理，以提高t/r组件的可靠性。
目前，金属电镀后除氢主要有空气中直接加热除氢、放置到煤油中加热除氢等，主要适用于要求不高的场合。
传统的除氢方式存在二次污染问题，不能用来制造用于航空航天等领域的高标准器件，另外传统的除氢方式除氢效率低，能耗高，经济成本及环境成本都很高
技术实现要素：
本实用新型的目的在于一种铝硅壳体专用除氢装置，以解决现有的除氢方式存在二次污染问题以及能耗高等问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种铝硅壳体专用除氢装置，包括加热炉体、除氢腔体、真空系统和水冷系统，所述除氢腔体设置在加热炉体内部，所述加热炉体根据预设温控曲线对除氢腔体进行加热，所述真空系统与除氢腔体连通，所述真空系统对除氢腔体抽真空，所述水冷系统的水冷管道包裹除氢腔体，所述水冷系统对除氢腔体进行降温。
优选的，所述水冷系统包括水冷机和水冷管道，所述水冷管道包括总进水管、总出水管、多路分进水管和多路分出水管，冷却水由总进水管经过各分进水管进入到炉壳、炉门以及除氢腔体，再经各分路出水管汇集至总出水管排出。
优选的，所述除氢腔体由不锈钢材料制成。
优选的，所述除氢腔体内部设有分层隔板。
优选的，还包括安全监控系统，所述安全监控系统对除氢腔体内部的温度以及真空度进行监控，并根据监控的温度和真空度数据控制加热炉体、真空系统以及水冷系统。
优选的，所述预设温控曲线为前5-7分钟加热至210℃，保持210℃加热40-45分钟，而后两分钟内降至30℃。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本技术：
采用了真空环境除氢，避免了二次污染，也避免了铝硅壳体镀金层高温氧化；针对铝硅壳体除氢设计了专用的温控曲线，既能满足铝硅除氢的技术要求，又能节约能耗成本，降低人工成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的除氢温控曲线图。
图中：1加热炉体、2除氢腔体、21分层隔板，3真空系统、4水冷系统。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种铝硅壳体专用除氢装置，包括加热炉体1、除氢腔体2、真空系统3和水冷系统4，除氢腔体2设置在加热炉体1内部，需要说明的是，加热炉体1是带炉门的，为了方便观察，图1未示出炉门，加热炉体1采用三段式加热、九点测温、专用仪表pid温度控制，根据预设温控曲线对除氢腔体2进行加热，预设温控曲线为前5-7分钟加热至210℃，保持210℃加热40-45分钟，而后两分钟内降至30℃，温控曲线针对铝硅壳体除氢专门测试制定，既能高效除氢，达到除氢标准，同时降低能耗，避免器件老化，减少人员参与程度，在本实施例中，具体的温控曲线如图2所示，0-6分钟温度递增，直至210℃，从6-48分钟保持210℃加热，48-50分钟递减至30℃。真空系统3与除氢腔体2连通，真空系统3对除氢腔体2抽真空，去除除氢腔体2内部空气，避免空气对铝硅壳体二次污染，同时避免镀金层高温氧化，水冷系统4的水冷管道包裹除氢腔体2，水冷系统4主要用于除氢完成后腔体的迅速降温，避免铝硅壳体再吸收已排出的氢气。
优选的，水冷系统4包括水冷机和水冷管道，水冷管道包括总进水管、总出水管、多路分进水管和多路分出水管，冷却水由总进水管经过各分进水管进入到炉壳、炉门以及除氢腔体2，再经各分路出水管汇集至总出水管排出。
优选的，除氢腔体2由不锈钢材料制成，且可以根据铝硅壳体的数量设置分层隔板21，使铝硅壳体均匀分布在除氢空间里，达到最好的除氢效果。
进一步的，本申请提供的除氢装置还包括安全监控系统，安全监控系统对除氢腔体2内部的温度以及真空度进行监控，并根据监控的温度和真空度数据控制加热炉体1、真空系统3以及水冷系统4，一旦发现异常，马上采取必要措施，关闭加热炉体1，启动水冷降温等，避免铝硅壳体报废。
本申请采用了真空环境除氢，避免了二次污染，也避免了铝硅壳体镀金层高温氧化；针对铝硅壳体除氢设计了专用的温控曲线，既能满足铝硅除氢的技术要求，又能节约能耗成本，降低人工成本。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
1.一种铝硅壳体专用除氢装置，其特征在于：包括加热炉体(1)、除氢腔体(2)、真空系统(3)和水冷系统(4)，所述除氢腔体(2)设置在加热炉体(1)内部，所述加热炉体(1)根据预设温控曲线对除氢腔体(2)进行加热，所述真空系统(3)与除氢腔体(2)连通，所述真空系统(3)对除氢腔体(2)抽真空，所述水冷系统(4)的水冷管道包裹除氢腔体(2)，所述水冷系统(4)对除氢腔体(2)进行降温。
2.根据权利要求1所述的一种铝硅壳体专用除氢装置，其特征在于：所述水冷系统(4)包括水冷机和水冷管道，所述水冷管道包括总进水管、总出水管、多路分进水管和多路分出水管，冷却水由总进水管经过各分进水管进入到炉壳、炉门以及除氢腔体(2)，再经各分路出水管汇集至总出水管排出。
3.根据权利要求1所述的一种铝硅壳体专用除氢装置，其特征在于：所述除氢腔体(2)由不锈钢材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种铝硅壳体专用除氢装置，其特征在于：所述除氢腔体(2)内部设有分层隔板(21)。
5.根据权利要求1所述的一种铝硅壳体专用除氢装置，其特征在于：还包括安全监控系统，所述安全监控系统对除氢腔体(2)内部的温度以及真空度进行监控，并根据监控的温度和真空度数据控制加热炉体(1)、真空系统(3)以及水冷系统(4)。
6.根据权利要求1所述的一种铝硅壳体专用除氢装置，其特征在于：所述预设温控曲线为前5-7分钟加热至210℃，保持210℃加热40-45分钟，而后两分钟内降至30℃。