本发明涉及引线框架制造技术领域，尤其涉及一种引线框架及制造引线框架的方法。
背景技术：
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，是形成电气回路的关键结构件。引线框架用金属导电片代替常规的导线或线路板，起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中均需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
但是，在引线框架的使用过程中，很容易出现在其表面被划伤的情况，而且当其长时间工作后，本体的温度会急剧上升，散热效果差。因此，我们提出了一种引线框架及制造引线框架的方法用于解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种引线框架及制造引线框架的方法。
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.2%～0.4%、si：0.3%～0.6%、ni：2.5%～3.0%、zn：1.2%～1.6%、fe：0.12%～0.18%、稀土y：0.001%～0.008%、稀土ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为cu。
优选的，所述改性玻璃粉由玻璃粉、去离子水和晶须为原料，硅烷偶联剂kh550为助剂制备而成。
优选的，所述改性玻璃粉的制备方法为：将玻璃粉和晶须混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂kh550和去离子水搅拌均匀得半成品，将半成品投入挤出机中挤出，即得改性玻璃粉。
优选的，所述聚吡咯添加剂由聚吡咯、乙腈和环氧树脂为原料，硅烷偶联剂kh560为助剂制备而成。
优选的，所述聚吡咯添加剂的制备方法为：将聚吡咯、乙腈和环氧树脂混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂kh550搅拌均匀，随后令其在150℃的温度下进行水浴加热15min后即得聚吡咯添加剂。
一种引线框架的制造方法，包括以下步骤：
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2～3小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3～5次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
优选的，所述s1中熔炼温度为1200℃～1250℃。
优选的，所述s2中铸锭的尺寸规格为40mm×l00mm×600mm。
本发明的有益效果是：
1、本发明通过加入改性玻璃粉，利用晶须、去离子水等对玻璃粉进行改性，使其提高所制得的引线框架的耐划伤性能。
2、本发明通过加入聚吡咯添加剂，对聚吡咯进行复配改性，使得所制得的引线框架的导电性能得到提升，也就能够令框架上产生的阻抗减小，从而有助于引线框架更好的散热。
综上所述，本发明不仅能够提高该引线框架的耐划伤性能，而且还有助于该框架更好地进行散热。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.2%～0.4%、si：0.3%～0.6%、ni：2.5%～3.0%、zn：1.2%～1.6%、fe：0.12%～0.18%、稀土y：0.001%～0.008%、稀土ce：0.012%～0.024%、改性玻璃粉：0.5%～0.9%、聚吡咯添加剂0.3%～0.9%，余量为cu。
上述的改性玻璃粉由玻璃粉、去离子水和晶须为原料，硅烷偶联剂kh550为助剂制备而成，且其制备方法为：将玻璃粉和晶须混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂kh550和去离子水搅拌均匀得半成品，将半成品投入挤出机中挤出，即得改性玻璃粉。
上述的聚吡咯添加剂由聚吡咯、乙腈和环氧树脂为原料，硅烷偶联剂kh560为助剂制备而成，且其制备方法为：将聚吡咯、乙腈和环氧树脂混合加热至50℃后，再加入硅烷偶联剂kh550搅拌均匀，随后令其在150℃的温度下进行水浴加热15min后即得聚吡咯添加剂。
一种引线框架的制造方法，包括以下步骤：
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，熔炼温度为1200℃，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成40mm×l00mm×600mm的铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
实施例一：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.2%、si：0.3%、ni：2.5%、zn：1.2%、fe：0.12%、稀土y：0.001%、稀土ce：0.012%、改性玻璃粉：0.5%、聚吡咯添加剂0.3%，余量为cu。
实施例二：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.3%、si：0.4%、ni：2.7%、zn：1.4%、fe：0.15%、稀土y：0.005%、稀土ce：0.018%、改性玻璃粉：0.7%、聚吡咯添加剂0.6%，余量为cu。
实施例三：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.4%、si：0.6%、ni：3.0%、zn：1.6%、fe：0.18%、稀土y：0.008%、稀土ce：0.024%、改性玻璃粉：0.9%、聚吡咯添加剂0.9%，余量为cu。
上述实施例一～实施例三均通过下述工艺进行制造引线框架，具体为：
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，熔炼温度为1200℃，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成40mm×l00mm×600mm的铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
试验一：对引线框架的耐划伤性能的测定
以实施例二的制备原料及过程作为参照例一的制备原料及过程；
对比例一：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.3%、si：0.4%、ni：2.7%、zn：1.4%、fe：0.15%、稀土y：0.005%、稀土ce：0.018%、聚吡咯添加剂0.6%，余量为cu。
引线框架的制造方法如下：
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入聚吡咯添加剂继续熔炼，熔炼温度为1200℃，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成40mm×l00mm×600mm的铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
对照例一：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.3%、si：0.4%、ni：2.7%、zn：1.4%、fe：0.15%、稀土y：0.005%、稀土ce：0.018%、玻璃粉：0.7%、聚吡咯添加剂0.6%，余量为cu。
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入玻璃粉和聚吡咯添加剂继续熔炼，熔炼温度为1200℃，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成40mm×l00mm×600mm的铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
取上述参照例一、对比例一、对照例一中所制造的引线框架进行表面划伤试验，每组试验三次，试验时，将引线框架置于划伤试验机的工作台上，划针被安装成以45度角下压至引线框架的表面上，以逐级增加压在引线框架上的负荷直至其表面被划伤为止，记录每次引线框架表面被划伤时的压力大小，如下表所示：
由上表数据可知，引线框架被划伤时所需的压力大小由大到小依次为参照例＞对照例＞对比例，也就是说，在原料配方中加入适当的玻璃粉可以提高引线框架的耐划伤性能，且对比于参照例和对照例可进一步发现，经过改性后的玻璃粉，对引线框架的耐划伤性能有着进一步的提升效果，因此，改性玻璃粉的加入提高显著地提高该引线框架的耐划伤性能。
试验二：对引线框架在工作过程中的散热效果进行测定
以实施例二的制备原料及过程作为参照例二的制备原料及过程；
对比例二：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.2%、si：0.3%、ni：2.5%、zn：1.2%、fe：0.12%、稀土y：0.001%、稀土ce：0.012%、改性玻璃粉：0.5%，余量为cu。
且其制造工艺如下：
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉继续熔炼，熔炼温度为1200℃，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成40mm×l00mm×600mm的铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
对照例二：
一种引线框架，按质量百分比计包括以下原料：mn：0.2%、si：0.3%、ni：2.5%、zn：1.2%、fe：0.12%、稀土y：0.001%、稀土ce：0.012%、改性玻璃粉：0.5%、聚吡咯0.3%，余量为cu。
上述原料中以聚吡咯单体替代实施例二中的聚吡咯添加剂，其制造工艺如下：
s1、按照上述配方称取原料，并于在中频感应炉中，按照cu、mn、si、ni+zn、fe、稀土y、稀土ce的顺序在氩气保护下熔炼，并于温度升至120℃时，加入改性玻璃粉和聚吡咯继续熔炼，熔炼温度为1200℃，随后再用铁模铸成板坯；
s2、将板坯使用锯床锯切成40mm×l00mm×600mm的铸锭，随后将其在加热炉上以800℃均化2小时，放入水中急冷，除去表面缺陷后，得棒状的粗坯；
s3、将粗坯采用水洗去除表面杂质，采用超声波对粗坯进行无损探伤，再令粗坯经头尾锯切、矫直、复检后得到半成品a；
s4、将半成品a进行冷轧，再用箱式电阻炉在900℃下退火1h进行固溶处理，然后经水淬后得到半成品b；
s5、对半成品b进行拉拔—退火—拉拔，反复3次，直到引线线径达到2.2～2.5mm，根据使用需要进行切割，形成包括一个或多个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。
取上述参照例二、对比例二、对照例二中所制造的引线框架进行散热效果试验，每组试验三次，将三个引线框架分别装上芯片，并装于同一规格的设备上，并在其表面上用胶带粘上贴片式温度传感器，记录在连续工作1小时、3小时、5小时以及7小时后的温度（单位：℃），如下表所示：
由上表数据可知，参照例中三次试验的增幅均低于5℃，对比例中三次试验的增幅均为10℃左右，对照例中三次试验的增幅均介于5℃～10℃之间，相较之下，参照例中的引线框架的散热效果最佳，其次为对照例中的引线框架，散热效果最差的是对比例中的引线框架，由此可见，聚吡咯添加剂的加入可以有效地改善所制引线框架的散热效果。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。