1.一种耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：
s1、对金属基体表面进行预处理，以使得所述金属基体表面粗糙度ra≤0.5μm；
s2、在金属基体表面依次沉积第一cr结合层、第一cr/wc过渡层、第一wc-c：h过渡层，再采用pecvd技术在所述第一wc-c：h过渡层表面沉积含氢dlc层；
s3、再用辉光蚀刻工艺蚀刻所述含氢dlc层背离所述第一wc-c：h过渡层的表面；
s4、再在所述含氢dlc层背离所述第一wc-c：h过渡层的表面依次沉积第二wc-c：h过渡层、第二cr/wc过渡层、表层，形成耐腐蚀镀膜。
2.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述步骤s2中在金属基体表面依次沉积第一cr结合层、第一cr/wc过渡层、第一wc-c：h过渡层和在所述步骤s4中再在所述含氢dlc层背离所述第一wc-c：h过渡层的表面依次沉积第二wc-c：h过渡层、第二cr/wc过渡层、表层均采用磁控溅射工艺；所述第一cr结合层、第一cr/wc过渡层、第一wc-c：h过渡层、所述第二cr结合层、第二cr/wc过渡层的厚度在0.1-2μm。
3.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述表层选自tisin、tin、金属cr、彩色ta-c中的一种。
4.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述采用pecvd技术沉积含氢dlc层时使用的工艺气体为低分子碳氢化合物。
5.根据权利要求4所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述低分子碳氢化合物为乙炔。
6.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述含氢dlc层的厚度大于等于所述金属基体表面粗糙度的5倍。
7.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述辉光蚀刻工艺中采用惰性工作气体，所述惰性工作气体选自he、ne、ar、kr、xe中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，沉积于所述含氢dlc层的第二wc-c：h过渡层的厚度为0.2-1.0μm。
9.根据权利要求1所述的耐腐蚀镀膜工艺，其特征在于，所述耐腐蚀镀膜工艺的工艺温度区间为100-220℃。
10.一种耐腐蚀镀膜涂层，其特征在于，由根据权利要求1-9任意一项所述的耐腐蚀镀膜工艺制备得到。