技术特征：
1.一种掩膜版的调整方法，其特征在于，所述调整方法包括：确定所述掩膜版的框架的实际形变量与理论形变量的差异值；其中，所述实际形变量为所述框架在经理论反作用力作用且安装所述掩膜版的掩膜单元后产生的形变量；对所述理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力；其中，所述理论反作用力的调整幅度匹配所述差异值。2.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述确定所述框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤包括：确定所述实际形变量与所述理论形变量的比值；所述对所述理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：将所述理论反作用力乘以所述比值，得到所述目标反作用力。3.根据权利要求2所述的调整方法，其特征在于，所述确定所述实际形变量与所述理论形变量的比值的步骤包括：确定所述实际形变量与所述理论形变量的差值；计算得到所述实际形变量；其中，当所述实际形变量大于所述理论形变量时，所述实际形变量为所述理论形变量与所述差值之和，而当所述实际形变量小于所述理论形变量时，所述实际形变量为所述理论形变量与所述差值之差；计算得到所述实际形变量与所述理论形变量的比值。4.根据权利要求3所述的调整方法，其特征在于，所述对所述理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：当所述实际形变量大于所述理论形变量时，且当所述实际形变量小于所述理论形变量时，其中，f为所述目标反作用力，f为所述理论反作用力，a为所述理论形变量，b为所述差值。5.根据权利要求1至4任一项所述的调整方法，其特征在于，所述掩膜版划分有至少两个掩膜区域，若干个所述掩膜单元分布于所述至少两个掩膜区域；所述确定所述框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤包括：确定所述掩膜区域中各个所述掩膜单元所对应框架的实际形变量与理论形变量的差异值；通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值；所述对所述理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：对所述掩膜区域中各个所述掩膜单元所对应框架的理论反作用力分别进行调整，分别得到所述掩膜区域中各个所述掩膜单元所对应框架的目标反作用力；其中，所述掩膜区域中各个所述掩膜单元所对应理论反作用力的调整幅度均匹配所述目标差异值。6.根据权利要求5所述的调整方法，其特征在于，所述通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值的步骤包括：对所确定的差异值取平均值，得到所述目标差异值；或
对所确定的差异值取中位数，得到所述目标差异值。7.根据权利要求5所述的调整方法，其特征在于，将所述至少两个掩膜区域划分为第一掩膜区域和至少一组掩膜区域组合，令每一所述掩膜区域组合包括在所述第一掩膜区域的两侧对称分布且对应的目标差异值相同的两个第二掩膜区域。8.根据权利要求5所述的调整方法，其特征在于，在同一所述掩膜区域中，各所述掩膜单元所对应框架的实际形变量之间的差值处于第一预设范围内；优选地，所述第一预设范围为0μm至1μm。9.根据权利要求1至4任一项所述的调整方法，其特征在于，所述确定所述框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤之后包括：判断所述实际形变量与所述理论形变量的差值是否处于第二预设范围内；若否，则执行所述对所述理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤；优选地，所述第二预设范围为0μm至1μm。10.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供框架；对所述框架施加目标反作用力；其中，所述目标反作用力经权利要求1至9任一项所述的调整方法调整得到；将掩膜单元安装于所述框架。
技术总结
本发明涉及掩膜版技术领域，公开了一种掩膜版的调整方法及制作方法。通过确定掩膜版的框架的实际形变量与理论形变量的差异值，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力并应用于制作掩膜版。其中，理论反作用力的调整幅度匹配该差异值，使得目标反作用力能够尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。制作像素的像素位置精度。制作像素的像素位置精度。
技术研发人员：孙琳 李露露
受保护的技术使用者：合肥维信诺科技有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/4/12