掩膜版的调整方法及制作方法与流程

1.本发明涉及掩膜版技术领域，特别是涉及一种掩膜版的调整方法及制作方法。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示技术因其自发光效应，且具有厚度薄、可弯曲，在大视角下画面不失真、发光效率高等优势被广泛应用。
3.在制作应用oled显示技术的产品的过程中，需要通过精细金属掩膜版(fine metal mask，fmm)实现发光材料的蒸镀。然而，目前精细金属掩膜版在张网后其上的掩膜开口存在不同程度的偏位，导致所制作像素的像素位置精度(pixel position accuracy，ppa)较低。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明主要解决的技术问题是提供一种掩膜版的调整方法及制作方法，能够缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况。
5.为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜版的调整方法。该调整方法包括：确定掩膜版的框架的实际形变量与理论形变量的差异值；其中，实际形变量为框架在经理论反作用力作用且安装掩膜版的掩膜单元后产生的形变量；对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力；其中，理论反作用力的调整幅度匹配差异值。
6.在本发明的一实施例中，确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤包括：确定实际形变量与理论形变量的比值；对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：将理论反作用力乘以比值，得到目标反作用力。
7.在本发明的一实施例中，确定实际形变量与理论形变量的比值的步骤包括：确定实际形变量与理论形变量的差值；计算得到实际形变量；其中，当实际形变量大于理论形变量时，实际形变量为理论形变量与差值之和，而当实际形变量小于理论形变量时，实际形变量为理论形变量与差值之差；计算得到实际形变量与理论形变量的比值。
8.在本发明的一实施例中，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：当实际形变量大于理论形变量时，且当实际形变量小于理论形变量时，其中，f为目标反作用力，f为理论反作用力，a为理论形变量，b为差值。
9.在本发明的一实施例中，掩膜版划分有至少两个掩膜区域，若干个掩膜单元分布于该至少两个掩膜区域；确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤包括：确定掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的实际形变量与理论形变量的差异值；通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值；对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：对掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的理论反作用力分别进行调整，分
别得到掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的目标反作用力；其中，掩膜区域中各个掩膜单元所对应理论反作用力的调整幅度均匹配目标差异值。
10.在本发明的一实施例中，通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值的步骤包括：对所确定的差异值取平均值，得到目标差异值；或对所确定的差异值取中位数，得到目标差异值。
11.在本发明的一实施例中，将至少两个掩膜区域划分为第一掩膜区域和至少一组掩膜区域组合，令每一掩膜区域组合包括在第一掩膜区域的两侧对称分布且对应的目标差异值相同的两个第二掩膜区域。
12.在本发明的一实施例中，在同一掩膜区域中，各掩膜单元所对应框架的实际形变量之间的差值处于第一预设范围内。
13.在本发明的一实施例中，第一预设范围为0μm至1μm。
14.在本发明的一实施例中，确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤之后包括：判断实际形变量与理论形变量的差值是否处于第二预设范围内；若否，则执行对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤。
15.在本发明的一实施例中，第二预设范围为0μm至1μm。
16.为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种掩膜版的制作方法。该制作方法包括：提供框架；对框架施加目标反作用力；其中，目标反作用力经上述实施例所阐述的调整方法调整得到；将掩膜单元安装于框架。
17.本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明提供一种掩膜版的调整方法及制作方法。通过确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力并应用于制作掩膜版。其中，理论反作用力的调整幅度匹配该差异值，使得目标反作用力能够尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。
附图说明
18.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。此外，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
19.图1是现有技术掩膜版的结构示意图；
20.图2是本发明掩膜版一实施例的结构示意图；
21.图3是本发明掩膜版的调整方法第一实施例的流程示意图；
22.图4是本发明掩膜版的调整方法第二实施例的流程示意图；
23.图5是本发明框架变形情况一实施例的示意图；
24.图6是本发明框架变形情况另一实施例的示意图；
25.图7是本发明掩膜版的调整方法第三实施例的流程示意图；
26.图8是本发明掩膜版的制作方法一实施例的流程示意图。
具体实施方式
27.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
28.请参阅图1，图1是现有技术掩膜版的结构示意图。
29.掩膜版10包括框架11和掩膜单元12。掩膜单元12具有掩膜开口13，用于蒸镀发光材料以制作像素。掩膜单元12安装于框架11，框架11起到支撑掩膜单元12的作用。掩膜版10可以是精细金属掩膜版10等。对应地，掩膜单元12可以是精细金属掩膜版10的条状掩膜单元12(fmm sheet)。
30.具体地，将掩膜单元12拉伸后，张网焊接在掩膜版10的框架11上。由于处于拉伸状态的掩膜单元12焊接到框架11后，掩膜单元12会向框架11施加拉力sf，因此在掩膜版10的张网过程中通常会对框架11施加反作用力cf(counter force)，使得框架11在安装掩膜单元12之前预先产生形变，此时框架11具有向未形变状态恢复的作用力(该恢复作用力等于反作用力cf，图1中用反作用力cf表示)，在撤去反作用力后利用框架11的恢复作用力抵消掩膜单元12施加于框架11的拉力sf，使得掩膜单元12上的掩膜开口13处于理论位置，以保证发光材料蒸镀于正确位置，即保证所制作像素的像素位置精度。
31.然而，传统掩膜版10的张网工艺中，反作用力cf通常通过仿真模拟计算得到，计算所应用参数均为标准值。在实际张网工艺中，因掩膜版10的实际材料参数、掩膜单元12在张网机构中的受力情况等容易与标准值产生差异，导致模拟计算得到的反作用力cf往往无法完全抵消掩膜单元12的拉力sf，致使张网后掩膜版10上的掩膜开口13存在不同程度的偏位，进而导致所制作像素的像素位置精度较低。
32.图1示例性地展示了现有技术中掩膜版10的掩膜开口13的偏位情况。如图1中a区域所示，反作用力cf小于掩膜单元12的拉力sf，掩膜单元12相对理论状态存在内缩的情况，即掩膜开口13存在内缩的情况；而如图1中b区域所示，反作用力cf大于掩膜单元12的拉力sf，掩膜单元12相对理论状态存在外扩的情况，即掩膜开口13存在外扩的情况。
33.有鉴于此，本发明的一实施例提供一种掩膜版的调整方法，能够解决上述现有技术中所存在的技术问题。
34.请参阅图2，图2是本发明掩膜版一实施例的结构示意图。
35.在一实施例中，掩膜版20包括框架21和掩膜单元22。掩膜单元22具有掩膜开口23，用于蒸镀发光材料以制作像素。掩膜单元22安装于框架21，框架21起到支撑掩膜单元22的作用。掩膜版20可以是精细金属掩膜版20等。对应地，掩膜单元22可以是精细金属掩膜版20的条状掩膜单元22(fmm sheet)。
36.具体地，将掩膜单元22拉伸后，张网焊接在掩膜版20的框架21上。由于处于拉伸状态的掩膜单元22焊接到框架21后，掩膜单元22会向框架21施加拉力sf，因此在掩膜版20的张网过程中通常会对框架21施加反作用力cf，使得框架21在安装掩膜单元22之前预先产生形变，此时框架21具有向未形变状态恢复的作用力(该恢复作用力等于反作用力cf)，在撤去反作用力后利用框架21的恢复作用力抵消掩膜单元22施加于框架21的拉力sf，使得掩膜
单元22上的掩膜开口23处于理论位置，以保证发光材料蒸镀于正确位置，即保证所制作像素的像素位置精度。
37.请参阅图3，图3是本发明掩膜版的调整方法第一实施例的流程示意图。
38.s101：确定掩膜版的框架的实际形变量与理论形变量的差异值。
39.在本实施例中，通过仿真模拟计算得到反作用力为理论反作用力。在仿真模拟计算的过程中，框架经理论反作用力作用且安装掩膜版的掩膜单元后产生的形变量为理论形变量。而在实际掩膜版的制作过程中，框架经理论反作用力作用且安装掩膜单元后产生的形变量为实际形变量。
40.由于掩膜版的实际材料参数、掩膜单元在张网机构中的受力情况等容易与标准值产生差异，导致实际框架产生的实际形变量往往与理论形变量存在较大差异。并且，框架的形变等价于掩膜单元的形变，框架的实际形变量与理论形变量存在较大差异，意味着掩膜单元的实际形变量与其所对应理论形变量存在较大差异，导致掩膜单元上的掩膜开口存在较大程度的偏位。
41.因此本实施例对理论反作用力进行调整，以减小框架的实际形变量与理论形变量的差异，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况。具体地，本实施例需要确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值，该差异值即反映了框架的实际形变量与理论形变量的差异，之后对理论反作用力进行匹配该差异值的调整。
42.s102：对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力。
43.在本实施例中，确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值之后，即对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力。其中，理论反作用力的调整幅度匹配该差异值，将该目标反作用力应用于制作掩膜版，能够使得目标反作用力尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，使得框架的实际形变量尽可能地接近理论形变量，即减小掩膜单元的实际形变量与其所对应理论形变量的差异，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。
44.以上可以看出，本实施例通过确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力并应用于制作掩膜版。其中，理论反作用力的调整幅度匹配该差异值，使得目标反作用力能够尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。
45.请参阅图4，图4是本发明掩膜版的调整方法第二实施例的流程示意图。
46.s201：确定框架的实际形变量与理论形变量的差值。
47.在本实施例中，框架的实际形变量与理论形变量的差异值优选为框架的实际形变量与理论形变量的比值。具体地，本实施例通过预先确定框架的实际形变量与理论形变量的差值，再计算得到框架的实际形变量与理论形变量的比值，进而得到目标反作用力。
48.s202：计算得到框架的实际形变量。
49.在本实施例中，由于框架的理论形变量在掩膜版的设计过程中即已确定，其是已知的。通过上述步骤确定的框架的实际形变量与理论形变量的差值和框架的理论形变量，即可计算得到框架的实际形变量。
50.具体地，当实际形变量大于理论形变量时，实际形变量为理论形变量与该差值之和；而当实际形变量小于理论形变量时，实际形变量为理论形变量与该差值之差。
51.s203：计算得到框架的实际形变量与理论形变量的比值。
52.在本实施例中，计算得到框架的实际形变量之后，结合框架的理论形变量，即可计算得到框架的实际形变量与理论形变量的比值，其中该比值即反映出框架的实际形变量与理论形变量的差异值，并应用于后续对理论反作用力进行调整。
53.需要说明的是，在本发明的其它实施例中，框架的实际形变量与理论形变量的差异值的表现形式并不局限于框架的实际形变量与理论形变量的比值，例如可以是框架的实际形变量与理论形变量的差值等，在此不做限定。
54.并且，在本发明的其它实施例中，可以直接获取框架的实际形变量，以计算得到框架的实际形变量与理论形变量的比值，并不局限于上文所述的通过获取框架的实际形变量与理论形变量的差值，再计算得到框架的实际形变量。
55.s204：判断框架的实际形变量与理论形变量的差值是否处于第二预设范围内。
56.在本实施例中，若框架的实际形变量与理论形变量的差值未处于第二预设范围内，则执行步骤s205，若框架的实际形变量与理论形变量的差值处于第二预设范围内，则结束流程。
57.第二预设范围定义为框架的实际形变量与理论形变量的差值的误差许可范围。本实施例对框架的实际形变量与理论形变量的差异情况进行判断，具体是若框架的实际形变量与理论形变量的差值处于第二预设范围内，则说明该差值较小，意味着掩膜版上的掩膜开口的偏位情况并不显著，无需对理论反作用力进行调整；而若框架的实际形变量与理论形变量的差值未处于第二预设范围内，则说明该差值较大，意味着掩膜版上的掩膜开口存在较为严重的偏位情况，需要对理论反作用力进行调整。
58.可选地，第二预设范围可以为0μm至1μm。通过合理设置第二预设范围，能够保证框架的实际形变量与理论形变量具有较小的差异，进而极大程度地缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况及提高所制作像素的像素位置精度。
59.s205：将理论反作用力乘以框架的实际形变量与理论形变量的比值，得到目标反作用力。
60.在本实施例中，框架的实际形变量与理论形变量的差值未处于第二预设范围内，需要对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力。其中，理论反作用力的调整幅度匹配框架的实际形变量与理论形变量的差异值，即该差异值越大，则理论反作用力的调整幅度越大，而该差异值越小，则理论反作用力的调整幅度越小。本实施例中理论反作用力的调整幅度匹配框架的实际形变量与理论形变量的比值。将该目标反作用力应用于制作掩膜版，能够使得目标反作用力尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，使得框架的实际形变量尽可能地接近理论形变量，即减小掩膜单元的实际形变量与其所对应理论形变量的差异，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。
61.具体地，请一并参阅图5和图6，图5和图6中弧线示例性地展示了框架21，并且图5和图6中弧状实线展示了框架21实际的变形情况，弧状虚线展示了框架21理论的变形情况。
62.图5展示了框架21的实际形变量大于理论形变量时，说明掩膜单元实际施加于框架21的拉力大于理论反作用力，此时掩膜单元发生内缩现象。该情况下，对理论反作用力的调整方式为增大理论反作用力，即目标反作用力大于理论反作用力。具体地，
其中，f为目标反作用力，f为理论反作用力，a为理论形变量，b为框架21的实际形变量与理论形变量的差值。
63.图6展示了框架21的实际形变量小于理论形变量时，说明掩膜单元实际施加于框架21的拉力小于理论反作用力，此时掩膜单元发生外扩现象。该情况下，对理论反作用力的调整方式为减小理论反作用力，即目标反作用力小于理论反作用力。具体地，其中，f为目标反作用力，f为理论反作用力，a为理论形变量，b为框架21的实际形变量与理论形变量的差值。
64.需要说明的是，上述式即为框架的实际形变量与理论形变量的差异值，其具体含义为框架的实际形变量与理论形变量的比值。
65.以上可以看出，本实施例通过确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力并应用于制作掩膜版。其中，理论反作用力的调整幅度匹配该差异值，使得目标反作用力能够尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。
66.请继续参阅图2。在一实施例中，掩膜版20划分有至少两个掩膜区域(包括图2中的掩膜区域q1至q3等)，若干个掩膜单元22分布于该至少两个掩膜区域，即各掩膜区域中均设有若干个掩膜单元22。具体地，该至少两个掩膜区域沿第一方向(如图2中箭头x所示，下同)依次分布，且各掩膜单元22均沿第二方向(如图2中箭头y所示，下同)延伸，其中第一方向垂直于第二方向。
67.需要说明的是，框架21的形变量(包括实际形变量和理论形变量)为框架21在第二方向上的形变量。
68.在同一掩膜区域中，各掩膜单元22所对应框架21(掩膜单元22所对应的框架21为该掩膜单元22所连接的框架21部分)的实际形变量较为接近，即同一掩膜区域中各掩膜单元22的偏位情况较为一致。因此，利用同一个差异值对同一掩膜区域中各掩膜单元22所对应框架21的理论反作用力进行调整，即可使得同一掩膜区域中各掩膜单元22的偏位情况达到要求，无需针对每一个掩膜单元22分别计算差异值和调整理论反作用力，有利于提高反作用力的调整效率，缩短制作掩膜版20的工艺耗时。
69.进一步地，在同一掩膜区域中，各掩膜单元22所对应框架21的实际形变量之间的差值处于第一预设范围内。可选地，第一预设范围可以为0μm至1μm。通过合理设置第一预设范围，使得同一掩膜区域中各掩膜单元22的偏位情况均能够达到要求，同时还能保证较高的反作用力调整效率，尽可能缩短制作掩膜版20的工艺耗时。
70.请参阅图7，图7是本发明掩膜版的调整方法第三实施例的流程示意图。需要说明的是，本实施例中掩膜版的各个掩膜区域分别进行下述步骤。
71.s301：确定掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的实际形变量与理论形变量的差异值。
72.在本实施例中，虽然同一掩膜区域中各掩膜单元所对应框架的实际形变量较为接近，但不同掩膜单元所对应框架的实际形变量难免还是存在差异。本实施例通过确定掩膜
区域中各个掩膜单元所对应框架的实际形变量与理论形变量的差异值，以分别得到该掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的目标反作用力。
73.需要说明的是，本实施例中各掩膜单元所对应的差异值的获取方式已在上述实施例中详细阐述，在此就不再赘述。
74.s302：通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值。
75.在本实施例中，同一掩膜区域中各掩膜单元所对应框架的理论反作用力利用同一个差异值进行调整，即目标差异值。本实施例从确定的差异值中得到目标差异值，应用于后续对同一掩膜区域中各掩膜单元所对应框架的理论反作用力进行调整。
76.进一步地，从确定的差异值中得到目标差异值，具体是对所确定的差异值取平均值，得到目标差异值。换言之，目标差异值为所确定差异值的平均值，如此使得在调整理论反作用力之后同一掩膜区域中各掩膜单元的偏位情况均能够达到要求。
77.当然，在本发明的其它实施例中，目标差异值并不局限于为所确定差异值的平均值，例如还可以是所确定差异值的加权平均值，或是所确定差异值的中位数等，在此不做限定。
78.s303：对掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的理论反作用力分别进行调整，分别得到掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的目标反作用力。
79.在本实施例中，利用上述步骤得到的目标差异值，对掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的理论反作用力分别进行调整，分别得到掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的目标反作用力。
80.掩膜区域中各个掩膜单元所对应理论反作用力的调整幅度均匹配该目标差异值，即利用同一个目标差异值对同一掩膜区域中各掩膜单元所对应框架的理论反作用力进行调整。对于上述实施例中利用框架的实际形变量与理论形变量的比值表示差异值的情况，同一掩膜区域中各个掩膜单元所对应的理论反作用力分别乘以该目标差异值，进而分别得到同一掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的目标反作用力。
81.进一步地，由于产线上通常会设置两组张网机构，该两组张网机构可以同时进行不同掩膜单元的张网工作。因此，本实施例将上述至少两个掩膜区域划分为第一掩膜区域和至少一组掩膜区域组合。令每一掩膜区域组合包括在第一掩膜区域的两侧对称分布且对应的目标差异值相同的两个第二掩膜区域。换言之，本实施例掩膜版的掩膜区域包括第一掩膜区域和至少一组掩膜区域组合，掩膜区域组合包括两个第二掩膜区域。第一掩膜区域居中，属于同一掩膜区域组合的两个第二掩膜区域在第一掩膜区域的两侧对称分布，具体是在第一掩膜区域的第一方向上的两侧对称分布。
82.属于同一掩膜区域组合的两个第二掩膜区域可以分别由不同的张网机构同时进行掩膜单元的张网工作，意味着属于同一掩膜区域组合的两个第二掩膜区域中掩膜单元的偏位情况较为一致。因此，属于同一掩膜区域组合的两个第二掩膜区域对应的目标差异值相同，即利用同一个目标差异值对该两个第二掩膜区域中各个掩膜单元所对应理论反作用力进行调整，能够保证在调整理论反作用力之后该两个第二掩膜区域中各掩膜单元的偏位情况均能够达到要求，同时进一步有利于提高反作用力的调整效率，缩短制作掩膜版的工艺耗时。
83.举例而言，第一掩膜区域如图2中掩膜区域q1所示，第一掩膜区域的数量并不局限
于图2所示的一个，其可以是一个或多个。图2还示例性地展示了两组掩膜区域组合，其中一组掩膜区域组合包括两组第二掩膜区域q2，另一组掩膜区域组合包括两组第二掩膜区域q3。其中，两组第二掩膜区域q2在第一掩膜区域q1的两侧对称分布，且两组第二掩膜区域q3在第一掩膜区域q1的两侧对称分布。
84.请参阅图8，图8是本发明掩膜版的制作方法一实施例的流程示意图。
85.s401：提供框架。
86.在本实施例中，提供框架，框架用于对后续的掩膜单元起到支撑的作用。
87.s402：对框架施加目标反作用力。
88.在本实施例中，通过预先对框架施加目标反作用力，使得框架在安装掩膜单元之前预先产生形变，此时框架具有向未形变状态恢复的作用力，以在撤去该目标反作用力后利用框架的恢复作用力抵消掩膜单元施加于框架的拉力。
89.需要说明的是，本实施例的目标反作用力通过上述实施例阐述的反作用力的调整方法调整得到，在此就不再赘述。
90.s403：将掩膜单元安装于框架。
91.在本实施例中，对框架施加目标反作用力，使得框架在安装掩膜单元之前预先产生形变之后，保持目标反作用力施加于框架的状态，并将掩膜单元拉伸，之后将掩膜单元安装于框架(可以通过焊接、粘接等方式)，同时撤去该目标反作用力，此时框架的恢复作用力抵消掩膜单元施加于框架的拉力，使得掩膜单元上的掩膜开口处于理论位置，以保证发光材料蒸镀于正确位置，即保证所制作像素的像素位置精度。
92.此外，在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“层叠”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
93.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。