技术特征：
1.一种在基板上选择性沉积膜的方法，所述方法包括：在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；和选择性地将所述杂环反应物沉积在所述金属表面上以形成钝化层，其中所述杂环头基选择性地与所述金属表面反应并结合。2.如权利要求1所述的方法，其中所述杂环头基包括n、o、s、se和p原子中的一个或多个。3.如权利要求1所述的方法，其中所述杂环头基包括吡咯、吡咯烷、吡唑、咪唑、呋喃、联咪唑、噻吩、噻唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、喹喔啉、吲唑、噻嗪、膦、磷啉和磷酰中的一个或多个。4.如权利要求1所述的方法，其中所述尾基包括苯基和碳链中的一个或多个。5.如权利要求4所述的方法，其中所述碳链的长度在1至50个碳原子的范围内。6.如权利要求4所述的方法，其中所述尾基的长度在至的范围内。7.如权利要求4所述的方法，其中所述尾基具有在1至50个范围内的一个或多个取代r基团。8.如权利要求7所述的方法，其中所述取代r基团包括烷基、环烷基、芳基中的一个或多个，所述基团可以是直链或支链的并且含有以下键：碳碳单键/双键/三键。9.如权利要求1所述的方法，其中所述金属表面包括铜、钴、镍、钨、钒、钌、铬、铁、铂、金、银、钼、镓、铟、氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的一种或多种。10.如权利要求9所述的方法，其中所述杂环反应物在较高温度下保持与所述金属表面结合，其中所述较高温度在50℃至350℃的范围内。11.如权利要求4所述的方法，其中所述碳链具有长度并且所述尾基具有取代，以使得碳链长度和尾基取代的总和不大于50个碳原子。12.如权利要求1所述的方法，其中所述钝化膜的密度在1x10
13
至1x10
14
分子/平方厘米的范围内。13.如权利要求1所述的方法，其中所述钝化膜的厚度在自至的范围内。14.如权利要求1所述的方法，其中所述介电表面包括sio
x
、si
x
n
y
、si、sion、alo
x
、al2o3、hfo
x
、zro2、tio
x
、tin、ta
x
o5、ta2o5、y2o3、la2o3、a1n、mgo、caf2、lif、sro、sic、bao、hfsio4、laalo3、nb2o5、batio3、srtio3、bi4ti3o
12
、pb(zr，ti)o3、cacu3ti4o
12
、linbo3、batio3、linbo3和knbo3中的一个或多个。15.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述介电表面上沉积介电材料，其中所述介电材料包括sio
x
、si
x
n
y
、si、sion、alo
x
、al2o3、hfo
x
、zro2、tio
x
、tin、ta
x
o5、ta2o5、y2o3、la2o3、aln、mgo、caf2、lif、sro、sic、bao、hfsio4、laalo3、nb2o5、batio3、srtio3、bi4ti3o
12
、pb(zr，ti)o3、cacu3ti4o
12
、linbo3、batio3、linbo3和knbo3中的一个或多个。16.如权利要求14所述的方法，其中所述钝化层和所述介电材料的一个或多个是通过气相沉积来沉积的。17.如权利要求15所述的方法，其中所述杂环化合物的蒸气压在25℃的温度下在0.00001mmhg至150mmhg范围内。
18.如权利要求14所述的方法，进一步包括在分解温度下分解所述钝化层，其中所述分解温度高于稳定温度。19.一种在基板上选择性沉积膜的方法，所述方法包括：在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；和选择性地将所述杂环反应物沉积在所述金属表面上以形成钝化层，其中所述杂环头基选择性地与所述金属表面反应并结合，并且其中所述杂环头基包括n、o、s、se和p原子中的一个或多个，以及其中所述尾基包括苯基和碳链中的一个或多个，并且所述碳链的长度在1至50个碳原子的范围内。20.一种包括指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由基板处理腔室的控制器执行时，使所述基板处理腔室在处理腔室中将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；并且选择性地将所述杂环反应物沉积在所述金属表面上以形成钝化层，其中所述杂环头基选择性地与所述金属表面反应并结合。
技术总结
描述了选择性沉积方法。钝化膜在沉积介电材料之前沉积在金属表面上。所述方法包括在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；并且选择性地将杂环反应物沉积在金属表面上以形成钝化层，其中杂环头基选择性地与金属表面反应并结合。并结合。并结合。
技术研发人员：王勇 多琳
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.10.26
技术公布日：2022/7/1