技术特征：
1.一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，包括：主剂和辅剂；所述主剂，按重量百分比计，其制备原料包括：氧化剂1-20％、第一羧基化合物1-15％、氨基化合物1-15％、第一稳定剂0.01-5％、五元杂环化合物0.01-1％、溶剂补充余量；所述辅剂，按重量百分比计，其制备原料包括：第二羧基化合物30-60％、第二稳定剂0.01-5％、五元杂环化合物0.01-1％、溶剂补充余量。2.根据权利要求1所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述主剂，按重量百分比计，其制备原料包括：氧化剂8-12％、羧基化合物2-10％、氨基化合物2-10％、稳定剂0.1-1％、五元杂环化合物0.01-0.1％、溶剂补充余量；所述辅剂，按重量百分比计，其制备原料包括：第二羧基化合物40-55％、第二稳定剂0.01-1％、五元杂环化合物0.05-0.5％、溶剂补充余量。3.根据权利要求1或2所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述氧化剂为无机过氧化物、次氯酸盐、氯酸盐、重铬酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、硝酸盐中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述第一羧基化合物含有至少两个羧基。5.根据权利要求1-4任一项所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述氨基化合物为二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、2-氨基-2-甲基-丙醇、二甲基乙醇胺。6.根据权利要求5所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述第一稳定剂为2-羟基膦酰基乙酸、羟基乙叉二膦酸、苯基碳酰二铵、有硅酸钠、乙二胺四醋酸钠盐、焦磷酸钠、对羟基苯磺酸、膦酸丁胺-1，2，4三羧酸中的一种或多种。7.根据权利要求6所述的高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，，其特征在于，所述五元杂环化合物的环中至少含有两个杂原子。8.根据权利要求1-7任一项所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，制备方法包括如下步骤：将主剂原料和辅剂原料按重量比分别在20-45℃之间混合搅拌30-60min，分别得到主剂和辅剂。9.根据权利要求1-8任一项所述的一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，使用时用主剂进行刻蚀，随着蚀刻的进行，铜离子每升高100ppm，向体系中补加0.1％-0.15％主剂重量的辅剂。10.一种根据权利要求1-9任一项所述的高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物的应用。
技术总结
本发明涉及蚀刻液领域，尤其涉及IPC C23F1领域，更具体地，涉及一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物及其应用。通过选用特定的氧化剂、第一羧基化合物、氨基化合物、第一稳定剂、五元杂环化合物制备成高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物，该蚀刻液无氟无磷，环境友好，废液处理成本低，完美解决了金属界面处的倒角和裂缝问题，蚀刻出来的金属层具有良好的蚀刻形貌，且铜离子负载能力可达15000ppm，蚀刻寿命内线宽损失和坡度角变异量小，蚀刻特性稳定性优异。性优异。
技术研发人员：徐帅 李闯 张红伟 胡天齐 黄海东 王毅明
受保护的技术使用者：江苏和达电子科技有限公司
技术研发日：2022.05.10
技术公布日：2022/8/30