技术特征：
1.一种适用于医疗器械表面的自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和析出层的cu(ru)合金薄膜、植入于衬底和cu(ru)合金薄膜之间并作为预阻挡和耗尽层的非晶ru-ge合金薄膜，以及沉积在cu(ru)合金薄膜上并作为互连层的纯cu层。2.如权利要求1所述的自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：所述衬底为硅片或者具有二氧化硅氧化层的硅片。3.如权利要求1所述的自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：所述扩散阻挡层的厚度为5～15nm。4.如权利要求1所述的自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：所述ru-ge合金薄膜中ge含量为40％-70％。5.一种如权利要求1-3中任意一项所述的自形成双层非晶扩散阻挡层的制备方法，其特征在于：在ar气体氛围中，以ru片、ge片和cu片作为溅射靶材进行共磁控溅射，在硅片或者具有二氧化硅氧化层的硅片表面分别依次沉积ru-ge合金薄膜和cu(ru)合金薄膜，然后纯cu膜沉积在cu(ru)合金薄膜表面，形成cu/cu(ru)/ru-ge/si堆栈体系或者cu/cu(ru)/ru-ge/sio2/si堆栈体系，最后将该堆栈体系进行退火处理即可。6.如权利要求5所述的自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：总溅射气压为0.2pa；共沉积ru-ge合金时，ru靶和ge靶功率比为1～1/2；共沉积cu(ru)合金薄膜时，cu靶和ru靶的功率分别是150w和30w；沉积纯cu的功率为150w。7.如权利要求5所述的自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：所述退火处理的条件为，真空或n2/h2混合气氛保护下，200℃～250℃保温1.5～2h。
技术总结
本发明提供了一种适用于医疗器械表面的自形成双层非晶扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层体系包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和析出层的Cu(Ru)合金薄膜、植入于衬底Cu(Ru)合金薄膜之间并作为预阻挡和耗尽层的非晶Ru-Ge合金薄膜，以及镀在Cu(Ru)合金薄膜上并作为互连层的纯Cu层。本发明自形成的双层阻挡层连续均匀致密，厚度可控制在几纳米内，且具有低的电阻和高的热稳定性，满足医疗器械表面抗菌对Cu互连扩散阻挡层的性能要求。面抗菌对Cu互连扩散阻挡层的性能要求。
技术研发人员：王志博 张恩永 周睿 杨添皓 张冉
受保护的技术使用者：王志博
技术研发日：2022.05.12
技术公布日：2022/8/5