一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及打磨方法与流程

1.本发明涉及晶片加工领域，具体涉及一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及基于所述加工垫组件的打磨方法。


背景技术：

2.打磨是晶片表面修整的主要手段，在一定压力作用下，通过磨料与晶片表面之间的相互作用，去除晶片表面损伤，最终达到晶片表面微损或无伤状态。
3.现有的打磨盘一般为金属盘，材质较硬，无法嵌入磨料，一般采用在打磨盘表面贴合软质垫，软质垫材质较软，便于磨料的嵌入，从而实现打磨过程中晶片与磨料的相互作用。但是，目前软质垫与打磨盘的贴合工作很困难，贴合时在两者之间很容易产生气泡和褶皱，这些气泡和褶皱会造成晶片表面局部抛光液或者研磨液分布不均，导致晶片表面损伤，甚至产生晶片破损，降低晶片加工良率。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提供了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及基于其的打磨方法，加工垫组件的方案如下：
5.一种用于晶片打磨设备的加工垫组件，所述打磨设备具有可以相对转动的上打磨盘以及下打磨盘，其特征在于，所述加工垫组件包括：
6.第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定；
7.其中，对晶片进行打磨时，所述第一加工垫用于与所述上打磨盘粘结固定，所述第二加工垫用于与所述下打磨盘粘结固定，去除所述离型粘结层后，将所述晶片置于所述第一加工垫和所述第二加工垫之间进行打磨。
8.优选的，所述第一加工垫包括：用于对所述晶片进行打磨的第一功能层，与所述第一功能层粘结固定的第一背胶层；
9.所述第二加工垫包括：用于对所述晶片进行打磨的第二功能层，与所述第二功能层粘结固定的第二背胶层；
10.其中，所述第一功能层与所述第二功能层通过所述离型粘结层粘结固定，对所述晶片进行打磨时，所述第一背胶层用于将所述第一功能层粘结固定在所述上打磨盘盘上，所述第二背胶层将所述第二功能层粘结固定在所述下打磨盘上。
11.优选的，在所述第一背胶层背离所述第一功能层的表面粘贴有可撕除的第一保护层；
12.在所述第二背胶层背离所述第二功能层的表面粘贴有可撕除的第二保护层；
13.其中，对晶片进行打磨时，去除所述第一保护层，以便于所述第一功能层通过所述第一背胶层与所述上打磨盘粘接固定，去除所述第二保护层，以便于所述第二功能层通过所述第二背胶层与所述下打磨盘粘接固定。
14.优选的，所述第一保护层和所述第二保护层都包括基底层和隔离层；
15.同一保护层中，所述基底层位于所述隔离层朝向所述离型粘结层的一侧。
16.优选的，所述基底层包括白纸层、黄纸层、牛皮纸层、格拉辛纸层和布层中的一种或多种的叠层；
17.所述隔离层为聚四氟乙烯层、聚烯烃层、聚碳酸酯层、聚酰胺层、聚丙烯腈层和聚酯层中的一种或多种的叠层；
18.所述隔离层厚度为0.1mm-0.5mm。
19.优选的，所述第一功能层与所述离型粘结层粘结固定的一侧表面具有凸起；
20.所述第二功能层与所述离型粘结层粘结固定的一侧表面具有凸起。
21.优选的，所述第一功能层和所述第二功能层都至少包括如下方式之一：
22.所述第一功能层和所述第二功能层均为聚氨酯层、无纺布层中的一种或多种的叠层；
23.所述第一功能层的凸起与所述第二功能层的凸起都包括圆形或螺旋形中的至少一种；
24.所述第一功能层与所述第二功能层的厚度为0.2mm-1mm。
25.优选的，所述离型粘结层为水溶性胶水层和/或，所述离型粘结层的厚度为0.1mm-1mm。
26.本技术技术方案还提供了一种基于所述加工垫组件的打磨方法，所述打磨方法包括：
27.将所述加工垫组件水平放置于上打磨盘与下打磨盘之间；
28.将所述上打磨盘与所述第一加工垫粘结固定；
29.将所述下打磨盘与所述第二加工垫粘结固定；
30.通过所述上打磨盘与所述下打磨盘竖直方向上的相对移动，使得所述第一加工垫与所述第二加工垫分离；
31.在所述上打磨盘与所述下打磨盘上下分离后，清洗去除粘结在所述第一加工垫和所述第二加工垫表面的离型粘结层；
32.将所述晶片置于所述第一加工垫和所述第二加工垫之间，基于所述上打磨盘与所述下打磨盘相对转动，对所述晶片进行打磨。
33.优选的，所述方法还包括：
34.在所述晶片和所述第一功能层之间以及所述晶片和所述第二功能层之间添加磨料。
35.优选的，所述上打磨盘存在贯穿所述上打磨盘的加料孔，添加所述磨料的方法包括：
36.当清洗去除所述离型粘接层后，基于所述加料孔，在所述第一加工垫对应所述加料孔位置形成通孔；
37.当在所述第一加工垫和所述第二加工垫之间放置所述晶片之后，基于所述加料孔以及所述通孔，添加磨料。
38.优选的，所述第一加工垫包括：用于对所述晶片进行打磨的第一功能层；与所述第一功能层粘接固定的第一背胶层；所述第二加工垫包括：用于对所述晶片进行打磨的第二功能层；与所述第二功能层粘结固定的第二背胶层；所述第一背胶层用于将所述第一功能
层粘接固定在所述上打磨盘上，所述第二背胶层将所述第二功能层粘接固定在所述下打磨盘上；
39.其中，所述第一背胶层的粘结力与所述第二背胶层的粘结力均大于所述离型粘结层的粘结力。
40.通过上述描述可知，本技术技术方案提供的一种用于晶片打磨设备的加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除所述离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，提高双面加工设备贴布的平整度和稳定性，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
附图说明
41.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
42.本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
43.图1为本技术实施例提供的一种加工垫组件的结构示意图；
44.图2为本技术实施例提供的加工垫组件中第一加工垫的结构示意图；
45.图3为本技术实施例提供的加工垫组件中第二加工垫的结构示意图；
46.图4为本技术实施例提供的另一种加工垫组件的结构示意图；
47.图5为本技术实施例提供的又一种加工垫组件的结构示意图；
48.图6为本技术实施例提供的第一保护层和所述第二保护层的结构示意图；
49.图7为本技术实施例提供一种功能层的俯视图；
50.图8为基于本技术实施例所述加工垫组件的打磨方法的流程图；
51.图9是基于本技术实施例所述加工垫组件的打磨设备的结构示意图。
具体实施方式
52.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
53.在第三代半导体材料中，碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、热导率大等特点，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5g基站、卫星等
新兴领域的理想材料。
54.碳化硅晶片是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此在其应用中均要求晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下，而打磨是晶片表面修整的主要手段。打磨盘一般为金属盘，材质较硬，无法嵌入磨料，所以会在打磨盘表面贴合打磨垫，打磨垫材质较软，便于磨料的嵌入。在双面打磨设备中，使用打磨垫的直径为1300mm，现有的打磨垫与打磨盘的贴合是分离式粘贴，使用边贴布边赶压的方式，过程会造成加工垫的形变，导致最后站贴打磨垫的粘接面积大于盘面面积，产生褶皱并且粘贴时间长。
55.为了解决上述问题，本技术提供一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及基于所述加工垫组件的打磨方法，所述加工垫组件中，所述第一加工垫与所述第二加工垫通过离型粘结层粘结，将加工垫组件放在上打磨盘和下打磨盘之间，去除所述第一保护层后，上打磨盘与第一加工垫之间的粘结固定是采用正面下压式的粘贴方法，在第一加工垫与上打磨盘粘贴固定后，所述加工垫组件整体随上打磨盘竖直向上上升，去除所述第二保护层，下打磨盘正面上压粘贴第二加工垫，通过这种正面下压和正面上压的粘贴方式，就减少了粘贴过程中气泡和褶皱的产生。
56.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
57.参考图1，图1为本技术实施例提供的一种加工垫组件的结构示意图，所述加工垫组件用于打磨设备，所述打磨设备可以如图9所示，具有可以相对转动的上打磨盘7以及下打磨盘8，本技术实施例一所述加工垫组件包括：
58.第一加工垫1和第二加工垫2通过离型粘结层3粘结固定；
59.其中，对晶片进行打磨时，所述第一加工垫1用于与所述上打磨盘7粘结固定，所述第二加工垫2用于与所述下打磨盘8粘结固定，去除所述离型粘结层3后，将所述晶片置于所述第一加工垫1和所述第二加工垫2之间进行打磨。
60.本技术实施例中提供的加工垫组件中所述第一加工垫1和所述第二加工垫2通过所述离型粘结层3粘结固定，所述第一加工垫1与所述上打磨盘7粘结固定，而所述第二加工垫2与所述下打磨盘8粘结固定，在打磨前需将所述第一加工垫1与所述第二加工垫2分离，则所述离型粘结层3的粘结力需小于所述第一加工垫1与所述上打磨盘7的粘结力和所述第二加工垫2与所述下打磨盘8的粘结力，在打磨之前还需清洗粘结在所述第一加工垫1和所述第二加工垫2表面的离型粘结层3，之后将晶片置于所述第一加工垫1和所述第二加工垫2之间进行打磨。
61.参考图2，图2为本技术实施例提供的加工垫组件中第一加工垫的结构示意图，所述第一加工垫1包括：用于对所述晶片进行打磨的第一功能层11，与所述第一功能层11粘结固定的第一背胶层12。
62.参考图3，图3为本技术实施例提供的加工垫组件中第二加工垫的结构示意图，所述第二加工垫2包括：用于对所述晶片进行打磨的第二功能层21，与所述第二功能层粘结固定的第二背胶层22。
63.参考图4，图4为本技术实施例提供的另一种加工垫组件的结构示意图，其中，所述第一功能层11与所述第二功能层21通过所述离型粘结层3粘结固定，对所述晶片进行打磨
时，所述第一背胶层12用于将所述第一功能层11粘结固定在所述上打磨盘7上，所述第二背胶层22将所述第二功能层21粘结固定在所述下打磨盘8上。
64.本技术实施例中，所述第一背胶层12是通过旋涂方式粘贴附着在所述第一功能层11之上的，所述第二背胶层22也是用过旋涂方式粘贴附着在所述第二功能层21之上的，所述第一背胶层12和所述第二背胶层22都是环氧树脂层，厚度为0.2mm。
65.所述第一加工垫1包括所述第一背胶层12与所述第一功能层11，所述第二加工垫2包括所述第二背胶层22与所述第二功能层21，所述第一功能层11和所述第二功能层21之间用于放置晶片。所述第一背胶层12用于将所述第一功能层11粘结固定在所述上打磨盘7上，所述第二背胶层22用于将所述第二功能层粘结固定在所述下打磨盘8上。在打磨之前，所述第一功能层11与所述第二功能层12通过所述离型粘结层3粘结固定。在打磨时所述第一背胶层12与所述上打磨盘7粘结，所述第二背胶层22与所述下打磨盘8粘结。其中，所述离型粘结层3的粘结力必需小于所述第一背胶层12与所述上打磨盘7的粘结力以及所述第二背胶层22与所述下打磨盘8的粘结力。如果离型粘结层3的粘结力大于所述第一背胶层12与所述上打磨盘7的粘结力或所述第二背胶层22与所述下打磨盘8的粘结力，则会导致在所述上打磨盘7与所述下打磨盘8相对竖直分离时，所述第一功能层11和所述第二功能层21无法分离，从而无法打磨晶片。
66.参考图5，图5为本技术实施例提供的又一种加工垫组件的结构示意图，如图5所示，在所述第一背胶层12背离所述第一功能层11的表面粘贴有可撕除的第一保护层13。在所述第二背胶层22背离所述第二功能层21的表面粘贴有可撕除的第二保护层23。
67.其中，对晶片进行打磨时，去除所述第一保护层13，以便于所述第一功能层11通过所述第一背胶层12与所述上打磨盘7粘接固定，去除所述第二保护层23，以便于所述第二功能层21通过所述第二背胶层22与所述下打磨盘8粘接固定。
68.如图5所示，在所述第一背胶层12背离所述第一功能层11的表面有所述第一保护层13，在所述第一背胶层12与所述上打磨盘粘结固定之前，所述第一保护层13保护所述第一背胶层12，在晶片打磨时所述第一背胶层12要与所述上打磨盘7粘结固定，保证第一功能层11通过所述第一背胶层12粘结固定在所述上打磨盘7上，所以在打磨时需去除所述第一保护层13。在所述第二背胶层22背离所述第二功能层21的表面有所述第二保护层23，在所述第二背胶层22与所述下打磨盘8粘结固定之前，所述第二保护层23保护所述第二背胶层22，在晶片打磨时所述第二背胶层22要与所述下打磨盘8粘结固定，保证第二功能层21通过所述第二背胶层22粘结固定在所述下打磨盘8上，所以在打磨时需去除所述第二保护层23。
69.参考图6，图6为本技术实施例提供的第一保护层和所述第二保护层的结构示意图，上图为所述第一保护层13的结构示意图，下图为所述第二保护层23的结构示意图,基于图6可知，所述第一保护层13和所述第二保护层23都包括基底层4和隔离层5。
70.同一保护层中，所述基底层4位于所述隔离层5朝向所述离型粘结层3的一侧。
71.上述所述，同一保护层中，所述基底层4位与所述隔离层5朝向所述离型粘结层3的一侧，则所述第一保护层13的所述基底层4与所述第一背胶层12粘结，所述第二保护层23的所述基底层4与所述第二背胶层22粘结。
72.所述基底层4包括白纸层、黄纸层、牛皮纸层、格拉辛纸层和布层中的一种或多种的叠层。
73.所述隔离层5为聚四氟乙烯层、聚烯烃层、聚碳酸酯层、聚酰胺层、聚丙烯腈层和聚酯层中的一种或多种的叠层。
74.所述隔离层厚度为0.1mm-0.5mm。
75.所述基底层4可以通过在所述白纸层、黄纸层、牛皮纸层、格拉辛纸层和布层中的一种或多种的叠层上旋涂、喷淋以及粘贴方法中的至少一种方法制备得到所述隔离层5包括的聚四氟乙烯层、聚烯烃层、聚碳酸酯层、聚酰胺层、聚丙烯腈层和聚酯层中的一种或多种的叠层。
76.所述第一功能层11与所述离型粘结层3粘结固定的一侧表面具有凸起；
77.所述第二功能层21与所述离型粘结层3粘结固定的一侧表面具有凸起。
78.所述第一功能层11与和所述第二功能层21都用于打磨所述晶片，若所述第一功能层和所述第二功能层打磨晶片的一侧为光滑平面，则无法产生打磨效果，所以所述第一功能层11与所述第二功能层12打磨晶片的一侧均具有凸起，所述第一功能层11的凸起位于所述第一功能层11与所述离型粘结层3粘结的一侧，所述第二功能层21的凸起位于所述第二功能层21与所述离型粘结层3粘结的一侧，在对晶片打磨时前，去除所述离型粘结层3，将晶片置于所述第一功能层11和所述第二功能层21之间，添加磨料，利用第一功能层11和第二功能层21的凸起对晶片进行打磨。
79.所述第一功能层11和所述第二功能层21至少包括如下方式之一：
80.所述第一功能层11和所述第二功能层21均为聚氨酯层、无纺布层中的一种或多种的叠层；
81.参考图7，图7为本技术实施例提供的一种功能层的俯视图，所述第一功能层11的凸起6与所述第二功能层21的凸起6可以如图7所示，包括圆形或螺旋形中的至少一种。所述第一功能层11与所述第二功能层21可以图7中左图所示的圆形，或是如图7中右图所示的螺旋线。需要说明是，图7中两种方式仅是给出了第一功能层和第二工作层仅包括一种凸起结构，显然也可以同一功能层包括多种不同凸起结构。
82.所述第一功能层11与所述第二功能层21的厚度为0.2mm-1mm。
83.所述第一功能层11与所述第二功能层21可以是聚氨酯层的叠层，也可以是聚氨酯层和无纺布层的叠层，所述第一功能层11与所述第二功能层21的厚度范围是0.2mm-1mm，但是厚度优选为0.6mm，所述第一功能层11与所述第二功能层21的凸起6可以不相同，但是所述第一功能层11与所述第二功能层21都必须有凸起6，所述第一功能层11与所述第二功能层21的凸起6的形状可以是圆形或螺旋形中的至少一种。
84.所述离型粘结层3为水溶性胶水层和/或，所述离型粘结层3的厚度为0.1mm-1mm。
85.所述离型粘结层3为水溶性胶水层，优选为聚醋酸乙烯酯层，且所述离型粘结层3的厚度范围为0.1mm-1mm，其中所述第一功能层11与第二功能层21通过所述离型粘结层3粘结，则所述离型粘结层3的粘结力小于所述第一背胶层12与所述上打磨盘7的粘结力和所述第二背胶层22与所述下打磨盘8的粘结力。
86.基于上述实施例所述加工垫组件，本技术另一实施例提供一种基于上述实施例加工垫组件的晶片打磨方法如下所述：
87.参考图8，图8为基于本技术实施例所述加工垫组件的打磨方法的流程图，基于本技术实施例所述加工垫组件的所述打磨方法包括：
88.步骤s11：将所述加工垫组件水平放置于上打磨盘7与下打磨盘8之间。
89.步骤s12：将所述上打磨盘7与所述第一加工垫1粘结固定。
90.步骤s13：将所述下打磨盘8与所述第二加工垫2粘结固定。
91.步骤s14：通过所述上打磨盘7与所述下打磨盘8竖直方向上的相对移动，使得所述第一加工垫1与所述第二加工垫2分离。
92.步骤s15：在所述上打磨盘7与所述下打磨盘8上下分离后，清洗去除粘结在所述第一加工垫1和所述第二加工垫2表面的所述离型粘结层3。
93.步骤s16：将所述晶片置于所述第一加工垫1和所述第二加工垫2之间，基于所述上打磨盘7与所述下打磨盘8相对转动，对所述晶片进行打磨。
94.参考图9，图9是基于本技术实施例所述加工垫组件的打磨设备的结构示意图，所述打磨设备包括：第一转动设备9，上打磨盘7，第一加工垫1，离型粘结层3，第二加工垫2，下打磨盘8以及第二转动设备10，所述第一转动设备9用于带动所述上打磨盘7的转动和移动，所述第二转动设备10用于带动所述下打磨盘8的转动和移动。在所述打磨设备粘贴所述加工垫组件时，将所述加工垫组件水平放置在所述下打磨盘8上，所述第一转动设备9带动所述上打磨盘7正向下压所述加工垫组件，使得所述上打磨盘7与所述第一加工垫1粘贴固定，所述第二转动设备10带动所述下打磨盘8竖直朝上打磨盘7按压，使得所述下打磨盘8与所述第二加工垫2粘贴固定，所述上打磨盘7与所述下打磨盘8在竖直方向上进行相对的移动，从而使得所述第一加工垫1与所述第二加工垫2分离，所述离型粘结层3只是用于粘结固定第一加工垫1与第二加工垫2，所以在第一加工垫1与第二加工垫2分离后，清洗粘结在所述第一加工垫1和第二加工垫2表面的所述离型粘结层3，再将所述晶片置于所述上打磨盘7与所述下打磨盘8之间进行打磨，在此种方法中，上打磨盘7与第一加工垫1以及下打磨盘8与第二加工垫2之间的粘贴方法都是通过竖直按压的方法，通过这种方法能够有效的减少打磨盘与加工垫之间在粘贴时形成的气泡和褶皱，从而可以有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
95.基于本技术实施例所述加工垫组件的所述打磨方法还包括：
96.在所述晶片和所述第一功能层11之间以及所述晶片和所述第二功能层21之间添加磨料。
97.在晶片打磨中，添加磨料也是必须的步骤，磨料是用来打磨晶片表面的主要研磨介质，磨料的选择对于晶片打磨也很重要，在本实施例中所述磨料可以是金刚石粉料、氧化铝粉料、碳化硅粉料、二氧化硅粉料中的一种。
98.所述上打磨盘7存在贯穿所述上打磨盘7的加料孔，添加所述磨料的方法包括：
99.当清洗去除所述离型粘接层3后，基于所述加料孔，在所述第一加工垫1对应所述加料孔位置形成通孔；
100.当在所述第一加工垫1和所述第二加工垫2之间放置所述晶片之后，基于所述加料孔以及所述通孔，添加磨料。
101.所述添加磨料是通过贯穿所述上打磨盘7的加料孔来向加工垫内添加磨料，由于所述第一加工垫1上无用来添加磨料的通孔，所以在清洗去除所述离型粘接层3后需要在所述第一加工垫1与所述填料孔相对应的位置上上形成通孔，所述通孔是通过冲孔器对所述第一加工垫1打通得到的，在所述通孔打通以及放置所述晶片后，基于所述加料孔和通孔添
加磨料，开始打磨所述晶片。
102.所述第一加工垫1包括：用于对所述晶片进行打磨的第一功能层11；与所述第一功能层11粘接固定的第一背胶层12；所述第二加工垫2包括：用于对所述晶片进行打磨的第二功能层21；与所述第二功能层21粘结固定的第二背胶层22；所述第一背胶层12用于将所述第一功能层11粘接固定在所述上打磨盘7上，所述第二背胶层22将所述第二功能层21粘接固定在所述下打磨盘上8；
103.其中，所述第一背胶层12的粘结力与所述第二背胶层22的粘结力均大于所述离型粘结层3的粘结力。
104.所述第一功能层11通过所述第一背胶层12与所述上打磨盘7粘结固定，若所述第一背胶层12粘结力小于或等于所述离型粘结层3的粘结力则所述第一功能层11无法与离型粘结层3分离，导致无法放置晶片进行打磨，所述第二功能层21通过所述第二背胶层22与所述下打磨盘8粘结固定，若所述第二背胶层22粘结力小于或等于所述离型粘结层3的粘结力则所述第二功能层21无法与离型粘结层3分离，导致无法放置晶片进行打磨。
105.本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言，由于其与实施例公开的组件相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
106.需要说明的是，在本技术的描述中，需要理解的是，幅图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书实施例的同样的幅图标记标识同样的结构。另外，处于理解和易于描述，幅图可能夸大了一些层、膜、面板、区域等厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其他元件上或者可以存在中间元件。另外，“在
…
上”是指将元件定位在另一元件上或者另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。
107.术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
108.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种组件所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括上述要素的组件中还存在另外的相同要素。
109.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一
致的最宽的范围。