红外类碳膜底板褪膜处理方法与流程

1.本公开涉及光学加工领域，具体涉及光学镜片镀膜领域，更具体涉及红外类碳膜底板褪膜处理方法。


背景技术：

2.对于红外类金刚石膜镀膜工装底板，当镀膜后底板上面会留下较厚的残留膜层，由于类金刚石膜对外观要求较高，残留的膜层在再次下炉镀膜时会产生灰尘，而镜片落上灰尘会产生脱膜点，导致镜片报废，所以镀一炉后就要处理掉残留的膜层。原本的处理方法是用砂轮机对膜层进行打磨，然而残留的膜层由于比较牢固，难以打磨且打磨过程中会产生大量的灰尘，对人身体健康有一定危害，对环境造成较大污染，并且浪费人工成本。


技术实现要素：

3.鉴于背景技术存在的问题，本公开的目的在于提供一种红外类碳膜底板褪膜处理方法，该方法可以将底板表面的膜层处理掉，解决现有打磨工序产生的问题，大大节约成本。
4.在一些实施例中，本公开提供的红外类碳膜底板褪膜处理方法，包括以下步骤：s1，将镀过膜的底板放入类金刚石镀膜机内；s2，打开镀膜机，开启抽真空；s3，将镀膜机功率设置为600w～800w，通入氧气；s4，打开射频电源进行褪膜处理；s5，处理完成后，进行冷却；s6，冷却后开门取出底板，完成褪膜处理。
5.在一些实施例中，在步骤s2中，真空度设置为5
×
100pa～5
×
10-1
pa。
6.在一些实施例中，在步骤s3中，氧气流量设置为60sccm～80sccm。
7.在一些实施例中，步骤s4为：当真空度达到5
×
100pa～5
×
10-1
pa后，打开射频电源进行褪膜处理。
8.在一些实施例中，在步骤s4中，射频电源工作1000s～1200s后关闭射频电源，完成褪膜处理。
9.在一些实施例中，在步骤s5中，冷却时间为5min～10min。
10.在一些实施例中，步骤s6后还包括步骤s7：重复进行步骤s1-s6进行二次处理。
11.本公开的有益效果为：通过类金刚石镀膜机采取本公开提供的工艺方法将镀过膜的底板表面残留的膜层处理掉，解决现有打磨工序产生的问题，大大节约人工成本，同时保护环境和人身健康。
12.说明书附图
13.图1为本公开实施例1的红外类碳膜底板褪膜处理方法的流程图。
具体实施方式
14.应理解的是，所公开的实施例仅是本公开的示例，本公开可以以各种形式实施，因此，本公开的具体细节不应被解释为限制，而是仅作为权利要求的基础且作为表示性的基
础用于教导本领域普通技术人员以各种方式实施本公开。在本公开的说明中，未明确说明的术语、专业用词均为本领域技术人员的公知常识，未明确说明的方法均为本领域技术人员公知的常规方法。
15.接下来说明本公开的红外类碳膜底板褪膜处理方法。
16.本公开提供的红外类碳膜底板褪膜处理方法，包括步骤：s1，将镀过膜的底板放入类金刚石镀膜机内；s2，打开镀膜机，开启抽真空；s3，将镀膜机功率设置为600w～800w，通入氧气；s4，打开射频电源进行褪膜处理；s5，处理完成后，进行冷却；s6，冷却后开门取出底板，完成褪膜处理。
17.在一些实施例中，在步骤s2中，真空度设置为5
×
100pa～5
×
10-1
pa。
18.在一些实施例中，在步骤s3中，氧气流量设置为60sccm～80sccm。当其他工艺相同、氧气流量超过80sccm时，最终的褪膜程度不变，但是这会造成氧气浪费。
19.在一些实施例中，步骤s4为：当真空度达到5
×
100pa～5
×
10-1
pa后，打开射频电源进行褪膜处理。
20.在一些实施例中，在步骤s4中，射频电源工作1000s～1200s后关闭射频电源，完成褪膜处理。
21.在一些实施例中，在步骤s5中，冷却时间为5min～10min。需要一定的冷却时间是防止工艺过程中被烫伤，冷却时间对褪膜的干净程度不造成影响。
22.在一些实施例中，步骤s6后还包括步骤s7：重复进行步骤s1-s6进行二次处理。
23.本公开通过类金刚石镀膜机采取上述工艺方法将镀过膜的底板表面残留的膜层处理掉，解决现有打磨工序产生的问题，大大节约人工成本，同时保护环境和人身健康。
24.下面结合实施例，进一步阐述本公开。应理解，这些实施例仅用于说明本公开而不用于限制本公开的范围。在下述实施例、对比例中，所使用到的试剂、材料以及仪器如没有特殊的说明，均可商购获得或本领域中公知的方法制备获得。
25.实施例1
26.将镀过膜的底板放入类金刚石镀膜机内。打开镀膜机，开启抽真空，将镀膜机真空设置为5
×
10-1
pa，将镀膜机功率设置为700w，通入氧气，氧气流量值为70sccm。当真空到达设置的5
×
10-1
pa时，打开射频电源进行褪膜处理，射频电源工作1100s后关闭射频电源。冷却5min后开门取出底板，完成褪膜处理。
27.实施例2
28.将镀过膜的底板放入类金刚石镀膜机内。打开镀膜机，开启抽真空，将镀膜机真空设置为5
×
10-1
pa，将镀膜机功率设置为800w，通入氧气，氧气流量值为80sccm。当真空到达设置的5
×
10-1
pa时，打开射频电源进行褪膜处理，射频电源工作1200s后关闭射频电源。冷却5min后开门取出底板，完成褪膜处理。
29.实施例3
30.将镀过膜的底板放入类金刚石镀膜机内。打开镀膜机，开启抽真空，将镀膜机真空设置为5
×
10-1
pa，将镀膜机功率设置为800w，通入氧气，氧气流量值为80sccm。当真空到达设置的5
×
10-1
pa时，打开射频电源进行褪膜处理，射频电源工作1200s后关闭射频电源。冷却5min后开门取出底板，完成第一次褪膜处理。重复上述步骤进行二次工艺处理。
31.对比例1
32.步骤与实施例1相同，区别在于氧气的流量值为100sccm。
33.对比例2
34.步骤与实施例1相同，区别在于射频电源工作800s后关闭射频电源。
35.经过不同的处理工艺，实施例1-3和对比例1-2的红外类碳膜底板褪膜处理的实验参数和最终底板膜层残留情况如表1所示。
36.表1实施例和对比例的实验参数和底板膜层情况
[0037][0038]
根据表1实施例1-3的实验结果可以看出，通过本公开提供的红外类碳膜底板褪膜处理方法，可以将镀过膜的底板上的碳膜残留清理干净。对比例1中氧气流量为100sccm，最终也可以将碳膜残留清理干净，但是这不会产生对膜层处理的进一步有益效果，且会造成氧气资源的浪费，不具有经济效益。对比例2中的射频时间为800s，时间较短，最终底板上存在10％的碳膜残留，没有处理干净，因此射频时间也是影响底板上褪膜处理工艺的参数。
[0039]
以上所述，仅是本公开的示例，并非对本公开做任何形式的限制，虽然本公开以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许变动或修饰均等同于等效实施案例，均在本公开技术方案的范围内。