用于半导体减薄工艺的限位装置及研磨设备和减薄系统的制作方法

1.本实用新型属于半导体芯片制造技术领域，具体涉及一种用于半导体减薄工艺的限位装置及研磨设备和减薄系统。


背景技术：

2.在芯片减薄工艺中，一般是通过石蜡加热融化后将晶圆贴在研磨盘上，在实际贴片过程中，很难保证晶圆处于研磨盘的中心位置，因贴片位置偏移，导致在研磨过程中受机械力不均匀，造成晶圆减薄厚度不均匀。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的在于提供一种用于半导体减薄工艺的限位装置及研磨设备和减薄系统，以克服现有技术中存在的不足。
4.为实现前述目的，本实用新型实施例采用的技术方案包括：
5.本实用新型实施例提供了一种用于半导体减薄工艺的限位装置，包括晶圆承载盘，所述晶圆承载盘具有一穿孔和安装凹槽，所述穿孔位于晶圆承载盘的中央且由顶面贯穿到底面，且所述穿孔的内径自顶面向底面逐渐减小，以形成用于支撑承载晶圆周边的支撑弧面；所述安装凹槽位于晶圆承载盘的底面，且所述安装凹槽的内径大于所述穿孔的内径。
6.进一步地，所述晶圆承载盘的顶面上还设有提把，所述提把对称设置在安装凹槽的两侧。
7.进一步地，所述提把的下端设有螺纹结构，所述晶圆承载盘上对称设有螺纹连接孔，所述提把与晶圆承载盘通过所述螺纹结构和螺纹连接孔连接固定。
8.本实用新型实施例还提供了一种用于半导体减薄工艺的研磨设备，包括研磨盘和所述的限位装置，所述限位装置通过安装凹槽安装所述研磨盘，使限位装置与研磨盘连接固定。
9.本实用新型实施例还提供了一种用于半导体减薄工艺的减薄系统，包括所述的限位装置或所述的研磨设备。
10.与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
11.(1)本实用新型用于半导体减薄工艺的限位装置，可以精确把晶圆限位在研磨盘中间位置，贴片操作便捷，简单易行，从而有效解决研磨过程中，因位贴片位置偏移导致减薄厚度不均匀问题。
12.(2)本实用新型用于半导体减薄工艺的限位装置，其中，增设的提把，方便限位装置的安装；此外，提把与晶圆承载盘采用螺纹连接的方式，因此在晶圆承载盘或提把其中一个发生损坏时，均可将其更换，从而节省了成本。
附图说明
13.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
14.图1是本技术一实施方式中用于半导体减薄工艺的限位装置的俯视图。
15.图2是本技术一实施方式中用于半导体减薄工艺的限位装置的仰视图。
16.图3是图1中提把的具体结构示意图。
17.附图标记说明：1、晶圆承载盘，2、穿孔，3、安装凹槽，4、支撑弧面，5、提把，51、手提部，511、顶部，512、中间部，513、底部，52、螺纹柱状部，6、螺纹连接孔。
具体实施方式
18.本实用新型实施例的一个方面提供了一种用于半导体减薄工艺的限位装置，包括晶圆承载盘，所述晶圆承载盘具有一穿孔和安装凹槽，所述穿孔位于晶圆承载盘的中央且由顶面贯穿到底面，且所述穿孔的内径自顶面向底面逐渐减小，以形成用于支撑承载晶圆周边的支撑弧面；所述安装凹槽位于晶圆承载盘的底面，且所述安装凹槽的内径大于所述穿孔的内径。
19.在一些优选实施例中，所述安装凹槽设置在距晶圆承载盘边缘6mm-8mm的区域。
20.在一些优选实施例中，所述晶圆承载盘的顶面上还设有提把，所述提把对称设置在安装凹槽的两侧。
21.在一些优选实施例中，所述提把的下端设有螺纹结构，所述晶圆承载盘上对称设有螺纹连接孔，所述提把与晶圆承载盘通过所述螺纹结构和螺纹连接孔连接固定。
22.在一些更为优选的实施例中，所述提把包括手提部和螺纹柱状部，所述螺纹柱状部形成设在手提部的下面。
23.在一些更为优选的实施例中，所述手提部包括顶部、中间部和底部，其中，所述顶部设为圆弧形，中间部设为向中心凹的曲面形，底部设为圆弧形。
24.在一些优选实施例中，所述的手提部与螺纹柱状部一体成形。
25.在一些优选实施例中，所述限位装置安装于研磨盘上。
26.本实用新型实施例的另一个方面提供了一种用于半导体减薄工艺的研磨设备，包括研磨盘和所述的限位装置，所述限位装置通过安装凹槽安装所述研磨盘，使限位装置与研磨盘连接固定。
27.本实用新型实施例的另一个方面还提供了一种用于半导体减薄工艺的减薄系统，包括所述的限位装置或所述的研磨设备。
28.本实用新型实施例提供的用于半导体减薄工艺的限位装置，可以精确把晶圆限位在研磨盘中间位置，贴片操作便捷，简单易行，从而有效解决研磨过程中，因位贴片位置偏移导致减薄厚度不均匀问题。
29.如下将结合附图对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
30.实施例
31.本实施例提供了一种用于半导体减薄工艺的限位装置，该限位装置安装于研磨盘
上，如图1和图2所示，包括晶圆承载盘1，晶圆承载盘1具有一穿孔2和安装凹槽3，穿孔2位于晶圆承载盘1的中央且由顶面贯穿到底面，且穿孔2的内径自顶面向底面逐渐减小，以形成供用于支撑承载晶圆周边的支撑弧面4；安装凹槽3位于晶圆承载盘1的底面，安装凹槽3设置在距晶圆承载盘1边缘6mm-8mm的区域，且安装凹槽3的内径大于穿孔2的内径。
32.在本实施例中，晶圆承载盘1的顶面上还设有提把5，提把5对称设置在安装凹槽3的两侧，如图3所示，提把5包括手提部51和螺纹柱状部52，螺纹柱状部52形成设在手提部51的下面，晶圆承载盘1上对称设有螺纹连接孔6，螺纹柱状部52与螺纹连接孔6通过螺纹配合，使提把5与晶圆承载盘1连接固定。
33.具体实施时，手提部51包括顶部511、中间部512和底部513，其中，顶部511设为圆弧形，中间部512设为向中心凹的曲面形，底部513设为圆弧形，且手提部51与螺纹柱状部52一体成形。
34.本实施例还提供了一种用于半导体减薄工艺的研磨设备，包括研磨盘和本实施例中的限位装置，限位装置通过安装凹槽3安装研磨盘，使限位装置与研磨盘连接固定。
35.本实施例还提供了一种用于半导体减薄工艺的减薄系统，包括本实施例中的限位装置或研磨设备。
36.本实施例的用于半导体减薄工艺的限位装置，工作过程如下：通过安装凹槽3，将晶圆承载盘1安装在研磨盘上，通过支撑弧面4将晶圆支承在带有穿孔2的晶圆承载盘1上，进而将晶圆限位在研磨盘中间位置，从而有效解决研磨过程中，因位贴片位置偏移导致减薄厚度不均匀问题。
37.此外，本案实用新型人还参照前述实施例，以本说明书述及的其它原料、工艺操作、工艺条件进行了试验，并均获得了较为理想的结果。
38.尽管已参考说明性实施例描述了本实用新型，但所属领域的技术人员将理解，在不背离本实用新型的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外，可在不背离本实用新型的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本实用新型的教示。因此，本文并不打算将本实用新型限制于用于执行本实用新型的所揭示特定实施例，而是打算使本实用新型将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外，除非具体陈述，否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。