一种板式PECVD设备的承载加热结构的制作方法

一种板式pecvd设备的承载加热结构
技术领域
1.本实用新型涉及一种板式pecvd设备的承载加热结构。


背景技术：

2.板式pecvd设备是制作高效异质结太阳能电池的关键设备，载板承载着硅片进入pecvd腔室进行非晶硅薄膜沉积。板式pecvd设备中，腔体加热底座在支撑载板上的硅片时，也为硅片提供偏压电极，并对硅片进行加热使其快速升温，以达到工艺所需温度，令等离子体更容易成膜沉积。现有板式pecvd设备只能进行单面镀膜沉积，硅片若要双面镀膜，需破空在腔体外进行翻面后再进入腔体内完成另一面镀膜沉积。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种板式pecvd设备的承载加热结构，能够在需要的时候有效进行双面膜层沉积，保证硅片镀膜质量同时提高镀膜效率。
4.本实用新型的目的通过如下技术方案实现：
5.一种板式pecvd设备的承载加热结构，它包括加热底座以及能推升硅片使硅片与加热底座留有间隙的推升组件；所述推升组件包括嵌插于加热底座上表面且与硅片放置位对应设置的多个推升支撑以及控制推升支撑伸出或缩回加热底座上表面的推升驱动单元；每个硅片放置位设置平稳推升该处硅片的三个以上推升支撑。
6.较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：
7.(1)通过可伸缩的推升支撑，在需要双面同步镀膜时能推升硅片使硅片与加热底座留有间隙，有利于pecvd辉光的等离子体绕到硅片另一面，有效进行双面膜层沉积，保证硅片镀膜质量同时提高镀膜效率。
8.(2)子载板框的第一阶梯凹槽设置有定位凸点，阻止硅片偏移，避免硅片边缘受载板影响而膜层偏薄，影响镀膜质量。
9.(3)子载板框的四边高度略低于硅片的厚度，进一步降低边缘对硅片薄膜沉积的干扰，提高硅片边缘和中间的镀膜均匀性。
附图说明
10.图1是本实用新型中加热底座的俯视图；
11.图2是本实用新型中加热底座的仰视图；
12.图3是硅片在本实用新型加热底座工作状态的a-a剖视图，图中载板框省略未画出；
13.图4是图3的i局部放大图；
14.图5本实用新型中太阳能电池载板子载板框的剖视图；
15.图6是本实用新型中太阳能电池载板子载板框的结构平面图；
16.图7是硅片在本实用新型中载板子载板框偏移的结构平面图。
具体实施方式
17.一种板式pecvd设备的承载加热结构，它包括加热底座以及能推升硅片使硅片与加热底座留有间隙的推升组件；所述推升组件包括嵌插于加热底座上表面且与硅片放置位对应设置的多个推升支撑以及控制推升支撑伸出或缩回加热底座上表面的推升驱动单元；每个硅片放置位设置平稳推升该处硅片的三个以上推升支撑。
18.所述推升支撑可伸出加热底座上表面1cm-2cm。
19.所述推升支撑与硅片接触的直径为1-2mm。
20.所述推升支撑的材质与加热底座上表面的材质相同。
21.所述板式pecvd设备的承载加热结构还包括与加热底座相配合的载板，所述载板包括载板框以及容置于载板框内的多个子载板框；所述子载板框由四条子边框组成；每条子边框内侧设有用于承载硅片的第一阶梯凹槽，所述第一阶梯凹槽槽底内侧上设有用于控制硅片与子边框接触宽度的一个以上定位凸点。
22.所述推升支撑与子载板框内边缘的距离为0.5-1cm。
23.所述定位凸点底面与子载板框内边缘最近的距离为2-6mm。
24.所述定位凸点的半径为0.5-3mm。
25.下面结合说明书附图和实施例对本

技术实现要素：
进行详细说明：
26.如图1至图7所示为本实用新型提供的一种板式pecvd设备的承载加热结构的实施例示意图。
27.一种板式pecvd设备的承载加热结构，包括加热底座21、加热底座21上均匀分布着的推升支撑22，所述推升支撑22的分布与载板的子载板框镂空结构相匹配，每片硅片14有4个推升支撑22形成的支撑点，当载板承载硅片14进入腔室，放置在加热底座21时，推升支撑22伸出加热底座21上表面，硅片14被推升支撑22撑起，与加热底座22形成一定空隙，如图3。如图4所示，推升支撑22固定在顶推板23上，液压缸驱动导向运动杆24带动顶推板23升降，以实现推升支撑22的伸缩。当硅片14在腔室镀膜时，pecvd辉光的等离子体可以绕到硅片14另一面，进行双面镀膜，提高同种膜层镀膜的效率。
28.所述板式pecvd设备的承载加热结构还包括子载板框轮廓11、用于支撑硅片14四周边缘的第一阶梯凹槽12、用于限定硅片移动范围的1/4球体的定位凸点13，所述第一阶梯凹槽12的阶梯宽度为5mm，所述限定硅片移动范围的定位凸点的半径为1.5mm。如图3所示，硅片14放置在子载板框上，硅片14偏移被限制在一定范围内，即硅片的不会偏移至支撑框边缘，且四边的高度略低于硅片的厚度，则镀膜时不会受载板边缘影响而提高了整体的镀膜均匀性。


技术特征：
1.一种板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：它包括加热底座以及能推升硅片使硅片与加热底座留有间隙的推升组件；所述推升组件包括嵌插于加热底座上表面且与硅片放置位对应设置的多个推升支撑以及控制推升支撑伸出或缩回加热底座上表面的推升驱动单元；每个硅片放置位设置平稳推升该处硅片的三个以上推升支撑。2.根据权利要求1所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：所述推升支撑可伸出加热底座上表面1cm-2cm。3.根据权利要求1所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：所述推升支撑与硅片接触的直径为1-2mm。4.根据权利要求1所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：所述推升支撑的材质与加热底座上表面的材质相同。5.根据权利要求1-4任意一项所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：它还包括与加热底座相配合的载板，所述载板包括载板框以及容置于载板框内的多个子载板框；所述子载板框由四条子边框组成；每条子边框内侧设有用于承载硅片的第一阶梯凹槽，所述第一阶梯凹槽槽底内侧上设有用于控制硅片与子边框接触宽度的一个以上定位凸点。6.根据权利要求5所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：所述推升支撑与子载板框内边缘的距离为0.5-1cm。7.根据权利要求5所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：所述定位凸点底面与子载板框内边缘最近的距离为2-6mm。8.根据权利要求5所述的板式pecvd设备的承载加热结构，其特征在于：所述定位凸点的半径为0.5-3mm。

技术总结
本实用新型涉及一种板式PECVD设备的承载加热结构，它包括加热底座以及能推升硅片使硅片与加热底座留有间隙的推升组件；所述推升组件包括嵌插于加热底座上表面且与硅片放置位对应设置的多个推升支撑以及控制推升支撑伸出或缩回加热底座上表面的推升驱动单元；每个硅片放置位设置平稳推升该处硅片的三个以上推升支撑。本实用新型的目的在于提供一种板式PECVD设备的承载加热结构，能够在需要的时候有效进行双面膜层沉积，保证硅片镀膜质量同时提高镀膜效率。提高镀膜效率。提高镀膜效率。


技术研发人员：林锦山 张超华 谢志刚
受保护的技术使用者：福建金石能源有限公司
技术研发日：2022.05.31
技术公布日：2022/12/20